半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种具有负电容介电结构的半导体装置结构以及上述半导体装置的制造方法。一种半导体装置的制造方法包括：形成一鳍部结构于一基底上，鳍部结构具有一鳍部基体部及一鳍部顶部；形成一间隙壁结构于鳍部顶部的一第一区域内，其中间隙壁结构包括第一负电容介电材料；以及形成一栅极结构于鳍部顶部的一第二区域上，其中栅极结构包括一栅极介电层，栅极介电层具有不同于第一负电容介电材料的一第二负电容介电材料。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本专利技术实施例涉及一种半导体技术，且特别涉及一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的进步，对于更高的存储容量、更快的处理系统、更高的效能以及更低的成本的需求不断地增长。为了满足这些需求，半导体工业继续微缩半导体装置的尺寸，例如金属氧化物半导体场效晶体管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor,MOSFET)，包括平面式MOSFET及鳍式场效晶体管(finfieldeffecttransistor,finFET)。上述微缩已增加了半导体装置中的功耗及寄生电容。
技术实现思路
在一些实施例中，一种半导体装置的制造方法方法包括：形成具有一鳍部基体部及一鳍部顶部的一鳍部结构于一基底上；形成一间隙壁结构于鳍部顶部的一第一区域内；以及形成一栅极结构于鳍部顶部的一第二区域上。间隙壁结构包括第一负电容介电材料，且栅极结构包括具有不同于第一负电容介电材料的一第二负电容介电材料的一栅极介电层。在一些实施例中，一种半导体装置的制造方法包括：形成具有一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：/n形成一鳍部结构于一基底上，该鳍部结构具有一鳍部基体部及一鳍部顶部；/n形成一间隙壁结构于该鳍部顶部的一第一区域内，其中该间隙壁结构包括第一负电容介电材料；以及/n形成一栅极结构于该鳍部顶部的一第二区域上，/n其中该栅极结构包括一栅极介电层，该栅极介电层具有不同于该第一负电容介电材料的一第二负电容介电材料。/n

【技术特征摘要】
20190917 US 16/573,3341.一种半导体装置的制造方法，包括：
形成一鳍部结构于一基底上，该鳍部结构具有一鳍部基体部及一鳍部顶部；
形成一间隙壁结构于...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨建勋，杨建伦，张克正，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71