形成半导体装置的方法制造方法及图纸

本公开实施例提供一种形成半导体装置的方法，包括：形成栅极堆叠于半导体基板上；形成蚀刻停止层于栅极堆叠与半导体基板上；沉积介电衬层于蚀刻停止层上；执行非等向性蚀刻以选择性地移除介电衬层的多个部分，使得蚀刻停止层露出于栅极堆叠与半导体基板的顶面；选择性地沉积硅层在蚀刻停止层露出的表面上；沉积层间介电质(ILD)层于栅极堆叠与半导体基板上；以及执行退火工艺以氧化硅层，从而对栅极堆叠下方的通道区产生压缩应力(compressive stress)。

【技术实现步骤摘要】
形成半导体装置的方法
本专利技术实施例涉及半导体技术，特别涉及一种鳍式场效晶体管的形成方法。
技术介绍
集成电路是形成于半导体基板上，并且包括各种装置，像是晶体管、二极管及/或电阻器，其被配置且一起连接至功能电路。特别地，集成电路还包括场效晶体管，像是金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductorFETs,MOSFETs)或者互补式金属氧化物半导体场效晶体管(complimentaryMOSFETs)，其各自包括栅极电极以控制对应的场效晶体管的通道区。可通过各种技术提高场效晶体管的效能。例如，使用高介电常数介电材料与金属来形成栅极堆叠。鳍片状主动区可用于增强栅极电极与通道区之间的耦合。在其他例子中，利用应变效应对通道区施加适当的应力，以增加载子迁移率(carriermobility)和装置速度。然而，施加于通道的应力可能会导致其他问题，例如栅极尺寸改变以及栅极填充问题。因此，需要新的装置结构以及其制作方法来增强电路效能，以解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种形成半导体装置的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成半导体装置的方法，该方法包括：/n形成一栅极堆叠于一半导体基板上；/n形成一蚀刻停止层于该栅极堆叠与该半导体基板之上；/n沉积一介电衬层于该蚀刻停止层上；/n执行一非等向性蚀刻以选择性地移除该介电衬层的多个部分，使得该蚀刻停止层露出于该栅极堆叠与该半导体基板的顶面；/n选择性地沉积一硅层在该蚀刻停止层露出的表面上；/n沉积一层间介电质层于该栅极堆叠与该半导体基板上；以及/n执行一退火工艺以氧化该硅层，从而对该栅极堆叠下方的一通道区产生压缩应力。/n

【技术特征摘要】
20190917 US 16/573,8981.一种形成半导体装置的方法，该方法包括：
形成一栅极堆叠于一半导体基板上；
形成一蚀刻停止层于该栅极堆叠与该半导体基板之上；
沉积一介电衬层于该蚀刻停止层上；
执行一非等向性...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴旭升，林佑波，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71