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本公开实施例提供一种形成半导体装置的方法，包括：形成栅极堆叠于半导体基板上；形成蚀刻停止层于栅极堆叠与半导体基板上；沉积介电衬层于蚀刻停止层上；执行非等向性蚀刻以选择性地移除介电衬层的多个部分，使得蚀刻停止层露出于栅极堆叠与半导体基板的顶面...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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