制造半导体元件的方法技术

一种制造半导体元件的方法，包含形成源/漏极接触开口延伸穿越至少一介电层，以曝露源/漏极结构的源/漏极接触区域。沿着源/漏极接触开口的侧壁和底表面和介电层上方沉积光阻挡层。执行激光退火制程以活化源/漏极接触区域内的掺杂物。在源/漏极接触开口内形成源/漏极接触结构。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体元件的方法
本揭露是一关于一种制造半导体元件的方法。
技术介绍
晶体管是集成电路的关键元件。为满足逐渐增快的开关速度，晶体管的驱动电流需要逐渐增高。随着元件尺寸缩小，晶体管中源/漏极接触和源/漏极结构之间的接触电阻成为了元件表现的一个因素。高接触电阻导致元件的驱动电流降低，此举将降低晶体管的表现。
技术实现思路
本揭露的实施例包括一种制造半导体元件的方法，包含形成源/漏极接触开口延伸穿越至少一介电层，以曝露源/漏极结构的源/漏极接触区域。沿着源/漏极接触开口的侧壁和底表面和介电层上方沉积光阻挡层。执行激光退火制程以活化源/漏极接触区域内的掺杂物。在源/漏极接触开口内形成源/漏极接触结构。附图说明阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本揭露的多个态样。应注意，根据业界中的标准做法，多个特征并非按比例绘制。事实上，多个特征的尺寸可任意增加或减少以利于讨论的清晰性。图1为本揭露的部分实施例的制造半导体场效晶体管的方法的流程图；图2A至图2M为本揭露的部分实施例在不同制造步骤下的半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：/n形成多个源/漏极接触开口延伸穿越至少一介电层，以曝露多个源/漏极结构的多个源/漏极接触区域；/n沿着所述多个源/漏极接触开口的侧壁和底表面和该至少一介电层上方沉积一光阻挡层；/n执行一激光退火制程以活化所述多个源/漏极接触区域内的多个掺杂物；以及/n在所述多个源/漏极接触开口内形成多个源/漏极接触结构。/n

【技术特征摘要】
20190927 US 16/586,7901.一种制造半导体元件的方法，其特征在于，包含：
形成多个源/漏极接触开口延伸穿越至少一介电层，以曝露多个源/漏极结构的多个源/漏极接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：布莱戴恩·杜瑞兹，马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔，马丁·克里斯多福·霍兰德，荷尔本·朵尔伯斯，乔治·凡利亚尼提斯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71