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一种半导体结构包括：多个源极/漏极(S/D)特征部件，设置于半导体基底上；一金属栅极堆叠，设置于源极/漏极(S/D)特征部件之间，其中金属栅极堆叠横越源极/漏极(S/D)特征部件之间的一通道区；多个栅极间隙壁，设置于金属栅极堆叠的侧壁上；以...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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