【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域的。
技术介绍
近年来，随着元件的细微化和LSI的高度集成化，要求在紫外光或更 短的波长的分辨率。因此，曝光量裕度、焦点裕度等曝光工艺裕度变得不 足。因此，作为在使用现有的曝光光源的同时提高分辨率的技术，提出了 液浸膝光技术。液浸膝光技术如日本专利JP 2753930 B所公开的那样，设 置如下的装置，在使该装置与基欧上的曝光区域相对移动的同时进行啄光，所迷装置是，将与投影光学系统的^i^面相对的光学元件从投影光学系统本身分离出来，并且将该光学元件制成具有相互平行的2个表面的平板 状元件，并具备下述容器，所述容器构成用于在该平板元件和与4^目对的 ^L之间填充液体的封闭空间。在液浸曝光技术中，为了防止浸渍液i^抗蚀剂膜、或抗蚀剂膜向浸 渍液的溶出，研究了在抗蚀剂膜上形成保护膜的技术。200810174269.6说明书第2/31页作为在曝光前形成于抗蚀剂膜上的保护膜的代表性实例，有例如，JP2001-319863 A所公开的通过使抗蚀剂膜的表面与氟系处理气体相互作用 形成的膜。与此相对，在液浸曝光中所使用的保护膜，如Keitalshizu...
【技术保护点】
一种图案的形成方法，其包括： 在被加工膜上形成感光性树脂膜； 通过涂布法在上述感光性树脂膜上形成用于保护上述感光性树脂膜的保护膜； 通过浸渍液对上述感光性树脂膜的部分区域选择性地进行液浸曝光，将上述浸渍液提供到上述感光性树脂膜上； 在形成上述保护膜后，且在对上述感光性树脂膜的部分区域进行选择性液浸曝光之前，将上述保护膜的表面平滑化； 除去上述保护膜；以及， 通过选择性地除去上述感光性树脂膜的曝光区域或者非曝光区域，形成由上述感光性树脂膜构成的图案。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤信一，松永健太郎，河村大辅，大西廉伸，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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