投影式光刻机制造技术

本发明专利技术公开了一种投影式光刻机，在掩膜版和投影透镜之间还包括四个全反射镜：第一个全反射镜的反射面与掩膜版平面相对且呈４５度夹角，第二个全反射镜的反射面与第一个全反射镜的反射面相对，且与第一个全反射镜平行，第三个全反射镜的反射面与第二个全反射镜的反射面相对且成９０度夹角，第四个全反射镜的反射面与第三个全反射镜的反射面相对，且与第二个全反射镜平行，上述第二个全反射镜和第三个全反射镜可以同时在与掩膜版平行的方向作平移。本发明专利技术在投影式光刻机原来的镜头组光路中，加入两对全反射镜片，通过精确调节其中一对全反射镜片的位置，改变掩膜版到投影透镜的物距，从而改变光刻图形的像的大小，从而达到改变光刻机倍率的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造设备领域中的光刻设备，特别是涉及一种投影 式光刻机。
技术介绍
投影式光刻机是半导体
中非常普遍采用的曝光工具。如图1 所示，己有的简单的投影光刻机的光学系统包括一个激光光源，这个激光 光源发出特定频率的激光，该激光通过光阑照射到聚光透镜上，通过聚光 透镜照射在掩膜版上，从掩膜版上穿过的光线通过投影透镜再照射到晶片 上。在投影式光刻机上通常采用的光学系统中，各个光源元件包括光源、 聚光透镜和投影透镜都是固定的，这样光刻机的倍率也是固定的。但是在实际应用的过程中，不同倍率的掩膜版可能在同一个工厂被使 用，使得不同倍率的掩膜版和光刻机之间的匹配成为问题。只采用一种特 定倍率的掩膜版不是明智之举，而特定购买不同倍率的光刻机大大增加了 生产的成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种投影式光刻机，能够实现不同 倍率的掩膜版和光刻机之间的匹配，而且不增加成本。为解决上述技术问题，本专利技术投影式光刻机的技术方案是，其光学系统包括特定的激光光源、光阑、聚光透镜、掩膜版、投影透镜，激光光源 发出的光通过光阑、聚光透镜和掩膜版并经过投影透镜射向晶片，在掩膜 版和投影透镜之间还包括四个全反射镜第一个全反射镜的反射面与掩膜 版平面相对且呈45度夹角，它接受从掩膜版平面上出射的光线；第二个全 反射镜的反射面与第一个全反射镜的反射面相对，且与第一个全反射镜平 行，它接受从第一个全反射镜面反射出的光线；第三个全反射镜的反射面与第二个全反射镜的反射面相对且成90度夹角，它接受第三个全反射镜反 射出的光线；第四个全反射镜的反射面与第三个全反射镜的反射面相对， 且与第二个全反射镜平行，它接受第三个全反射镜的反射光，并将该光线 反射从而照射到投影透镜上，上述第二个全反射镜和第三个全反射镜可以 同时在与掩膜版平行的方向作平移。作为本专利技术的进一步改进是，第二个全反射镜和第三个全反射镜在与 掩膜版平行的方向所作的平移量精确到微米。本专利技术通过在掩膜版和投影透镜之间增加四个全反射镜，通过同时移 动其中两个反射镜改变掩膜版到投影透镜之间的物距，改变掩膜版图形像 的大小，因此调节光刻机的倍率。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细的说明 图1为已有投影式光刻机简单的光学链图； 图2为本专利技术投影式光刻机光学示意图。图中附图标记为IO为第一个全反射镜，20为第二个全反射镜，30为第三个全反射镜，40为第四个全反射镜。 具体实施例方式根据透镜成像原理，以薄透镜作简单假设。当透镜组的物方焦距等于像方焦距是F为焦距，S为物距，S'为相距，则有公式l: 1/S，+1/S二l/F，其中，F为焦距，S为物距，S，为相距。而薄透镜的像的横向放大率V为 公式2: V》(S'-F)/F二1-S，/F，其中，V为薄透镜的像的横向放大率，F为 焦距，S为物距，S'为相距。由公式1和2得出当物距减小时，像距变大；当像为实像时，此时， 像距小于焦距，像的倍率减小。反之，当物距变大时；当像为实像时，此时，像距小于焦距，像的倍率增大。根据上述原理，如图2所示，本专利技术投影式光刻机的光学系统包括特 定的激光光源、光阑、聚光透镜、掩膜版、投影透镜，激光光源发出的光 通过光阑、聚光透镜和掩膜版并经过投影透镜射向晶片，在掩膜版和投影 透镜之间还包括四个全反射镜第一个全反射镜10的反射面与掩膜版平面 相对且呈45度夹角，它接受从掩膜版平面上出射的光线；第二个全反射镜 20的反射面与第一个全反射镜10的反射面相对，且与第一个全反射镜10平行，它接受从第一个全反射镜10反射出的光线；第三个全反射镜30的反射面与第二个全反射镜20的反射面相对且成90度夹角，它接受第二个 全反射镜20反射出的光线；第四个全反射镜40的反射面与第三个全反射 镜30的反射面相对，且与第二个全反射镜20平行，它接受第三个全反射镜30的反射光，并将该光线反射从而照射到投影透镜上，上述第二个全反 射镜20和第三个全反射镜30可以同时在与掩膜版平行的方向作平移，并 且，第二个全反射镜20和第三个全反射镜30在与掩膜版平行的方向所作 的平移量精确到微米。本专利技术在投影式光刻机原来的镜头组光路中，加入两对全反射镜片， 通过精确调节其中一对全反射镜片的位置，改变掩膜版到投影透镜的物距， 从而改变光刻图形的像的大小，从而达到改变光刻机倍率的目的。权利要求1. 一种投影式光刻机，其光学系统包括特定的激光光源、光阑、聚光透镜、掩膜版、投影透镜，激光光源发出的光通过光阑、聚光透镜和掩膜版并经过投影透镜射向晶片，其特征在于，在掩膜版和投影透镜之间还包括四个全反射镜第一个全反射镜的反射面与掩膜版平面相对且呈45度夹角，它接受从掩膜版平面上出射的光线；第二个全反射镜的反射面与第一个全反射镜的反射面相对，且与第一个全反射镜平行，它接受从第一个全反射镜面反射出的光线；第三个全反射镜的反射面与第二个全反射镜的反射面相对且成90度夹角，它接受第三个全反射镜反射出的光线；第四个全反射镜的反射面与第三个全反射镜的反射面相对，且与第二个全反射镜平行，它接受第三个全反射镜的反射光，并将该光线反射从而照射到投影透镜上，上述第二个全反射镜和第三个全反射镜可以同时在与掩膜版平行的方向作平移。2. 根据权利要求2所述的投影式光刻机，其特征在于，第二个全反射 镜和第三个全反射镜在与掩膜版平行的方向所作的平移量精确到微米。全文摘要本专利技术公开了一种投影式光刻机，在掩膜版和投影透镜之间还包括四个全反射镜第一个全反射镜的反射面与掩膜版平面相对且呈45度夹角，第二个全反射镜的反射面与第一个全反射镜的反射面相对，且与第一个全反射镜平行，第三个全反射镜的反射面与第二个全反射镜的反射面相对且成90度夹角，第四个全反射镜的反射面与第三个全反射镜的反射面相对，且与第二个全反射镜平行，上述第二个全反射镜和第三个全反射镜可以同时在与掩膜版平行的方向作平移。本专利技术在投影式光刻机原来的镜头组光路中，加入两对全反射镜片，通过精确调节其中一对全反射镜片的位置，改变掩膜版到投影透镜的物距，从而改变光刻图形的像的大小，从而达到改变光刻机倍率的目的。文档编号G03F7/20GK101452212SQ200710094390公开日2009年6月10日 申请日期2007年12月6日 优先权日2007年12月6日专利技术者雷 王, 陈福成 申请人:上海华虹Nec电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种投影式光刻机，其光学系统包括特定的激光光源、光阑、聚光透镜、掩膜版、投影透镜，激光光源发出的光通过光阑、聚光透镜和掩膜版并经过投影透镜射向晶片，其特征在于，在掩膜版和投影透镜之间还包括四个全反射镜：第一个全反射镜的反射面与掩膜版平面相对且呈４５度夹角，它接受从掩膜版平面上出射的光线；第二个全反射镜的反射面与第一个全反射镜的反射面相对，且与第一个全反射镜平行，它接受从第一个全反射镜面反射出的光线；第三个全反射镜的反射面与第二个全反射镜的反射面相对且成９０度夹角，它接受第三个全反射镜反射出的光线；第四个全反射镜的反射面与第三个全反射镜的反射面相对，且与第二个全反射镜平行，它接受第三个全反射镜的反射光，并将该光线反射从而照射到投影透镜上，上述第二个全反射镜和第三个全反射镜可以同时在与掩膜版平行的方向作平移。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈福成，王雷，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]