清洁设备和浸没式光刻设备制造技术

本发明专利技术公开了一种清洁设备以及一种包括用于清洁一个或更多个表面的设备的浸没式光刻设备。所述清洁设备用于清洁浸没式光刻设备的衬底或组件。清洁设备可以包括等离子体原子团源、导管和原子团限制系统。等离子体原子团源可提供原子团流。导管可将来自等离子体原子团源的原子团供给将被清洁的表面。原子团限制系统可引导原子团以清洁所述表面的局部。清洁设备可包括旋转器且可构造为清洁衬底边缘。所述浸没式光刻设备可包括用于支撑衬底的衬底台和用于限制投影系统和衬底台和／或衬底之间的浸没流体的流体限制结构。

【技术实现步骤摘要】
清洁设备和浸^fe刻设备狱领域本专利技术涉及一种清洁设备和浸没式光刻设备。 背景狱0001光刻设备是一种将所需的图案施加于衬底上，通常是施加于衬底的目标部分上的机器。光刻设备例如可用于集成电路(ic)的制造。在那种情况 下，可淑也被称为掩模或掩^l^的图案形成装置可用来生成在ic单个层上形成的电路图案。该图案可被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括 一部分、 一个或更多个管芯)。图案典型地借助于成像转移至设在衬底上的辐射 敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将会包含被连续形成图案的相邻目 标部分的网络。已知的光亥股备包括所谓的步进机和所谓的扫描器，在戶腿步进机中，M将整个图案同时曝光至各目标部分上来辐射该目标部分；在所述 扫描器中，通过辐射光束在给定的方向("扫掛'方向)上扫描图案、同时同步 地沿平行于或者反向平行于这个方向扫描衬底来辐射各目标部分。也可能通过 将图案压印在该衬底上而将图案从图案形成装置转移至衬底。0002曾经提出将光亥啦影设备内的衬底^A在具有相对高的折射率的液体(例如水)中，以便填充投影系统的最终元件与衬底之间的空隙。该液体可 能是蒸馏水，尽管也可使用其它液体。在此描述涉及液体。然而，其它流体也可能适合，尤其是润湿流体(wetting fluid)、不可压縮性流体(incompressible fluid) 禾口/或折射率比空气高的流体，理想的是折射率比水高的流体，例如碳氢化合物， 诸如氢氟烃(hydrofluorocarbon)。因为曝光辐射在液体中将具有更短的波长， 所以这一点使得较小特征能够成像。(该液体的作用也可被认为增加了系统的 有效数值 L径(NA)，并且也增加了焦深。)己经提出的其它浸没液体包括具有 悬浮在其中的固体颗粒(例如石英)和折射率与其悬浮在其中的液体相同的颗 粒的水。这些颗粒可具有纳米颗粒的大小。它们可以能够增大它们悬浮在其中7的液体的折射率的浓度^l共。0003然而，在液体槽中^A衬底或者衬底和衬底台(参见例如US4， 509, 852)意味着大量液体在扫描曝光期间必须要被加速。这需要额外的或更强大的 电动机，并且液体中的湍流可导致不期望的以及无法预测的效应。0004在浸没式设备中，通过流 作系统、结构或设备来操纵浸没液体。 在一个实施例中，流体操作系统可提供浸没流体或液体，且因此为流体供应系 统。在一个实施例中，流体操作系统可至少部分地限定流体，且因此为流体限 制系统。在一个实施例中，流体操作系统可对流#^{共阻挡，且因此为阻挡件， 诸如流体限制结构。在一个实施例中，流條作系统可形成或使用气流，以例 如帮助控制液体的流动和/或定位。气流可形成限制流体的密封，从而流体操作 结构可称为密封构件；这种密封构件可以是流体限制结构。在一个实施例中， 使用浸没液体而不是浸没流体。在这种情况下，流体操作系统可为液体操作系 统。参考上面的描述，此段涉及关于流体限定的特征可理解为包括关于液体限 定的特征。0005所提议的解决方案之一是，液体供应系统利用液体限制系统仅在衬 底的局部区域上以及在投影系统的最终元件和衬底之间供给液体(衬底通常具 有比投影系统的最终元件更大的表ffiffi积)。被提出以进行这种布置的一种方式 在WO99/49504中被公开。如图2和3中所示，液体ffi31至少一个入口 IN优选 地沿衬底相对于最终元件的移动方向被提供至衬底上，并且于经过投影系统下 方之后ilil至少一个出口 OUT被移去。也就是，当衬底在-X方向上于元件下 方被扫描时，液4ffi元件的+X —侧被供给并且在-X —侧被吸收。图2示意性 示出了该布置，其中液体i!31A口 IN被供给并且在元件的另外一侧iM^接到 低压源的出口OUT被吸收。在图2中所示，液^&着衬底相对于最终元件的移 动方向被供给，尽管不必是这种情形。位于最终元件周围的入口和出口的各种 取向和数量都是可能的；图3示出了一个示例，其中在任一侧上的四组入口加 出口在最终元件的周围以规则的图案来设置。0006曾经提出的另一个解决方案是向液体供应系统衞共沿着投影系统的 最终元件与衬底台之间的空间的至少一部分边界延伸的密封构件。这种方案在 图4中示出。在XY平面中密封构件相对于投影系统PS基本上固定，尽管在Z8方向(光轴的方向上)有一些相对移动。密封形i^E密封构件和衬底W的表面 之间。 密封构件为非接触密封，诸如气封。这种具有气封的系统在图5中示出，并且在EP-A-1，420,298中公开。0007在EP-A-1420300中，公开了一对或双台浸没式光刻设备的概念。 这样的设备提供了用于支撑衬底的两个台。在没有浸没液体的情况下，利用在 第一位置的台实施调平测量，并且在存在浸没液体之处利用在第二位置的台实 施曝光。可选择地，该设备仅具有一个台。0008浸没式光刻机器遇到的一个问题是在浸没式系统中和晶片的表面上 出现的污染颗粒。如果颗粒存在于投影系统和被曝光的衬底之间，浸没式系统 中颗粒的存在可导致曝光过程期间出现缺陷。因此，期望最佳地减少存在于浸 没式系统中的颗粒。
技术实现思路
0009期望提供一种能够清洁浸没式系统和/或晶片表面的浸没式光刻设备oooio根据本专利技术的第一方面，Mi共一种用于清^m没式光刻设备的衬底或部件的清洁设备，该浸没式光刻设备包括用于支撑衬底的衬底台和用于将浸 没流体限制在投影系统和衬底台禾口/或衬底之间的流体限制系统，该清洁设备包括用于提供原子团流的等离子体原子团源；用来将来自等离子体原子团源的 原子团供给将被清洁的表面的导管；以及用来引导原子团以清洁所述表面的局 部的原子团限制系统。0011根据本专利技术的一方面，掛共一种浸没式光刻设备，包括投影系统， 用于将图案化的光束施加给到衬底；浸没流体限制结构，用于在投影系统和衬 底和/或衬底台之间P蹄U浸没流体，衬底台用于支撑衬底；以及根据本专利技术的第 一方面的清洁设备。该清洁设备布置为清洁流体限制结构的局部表面。0012根据本专利技术的一方面，J^共一种浸没式光刻设备，包括投影系统， 用于将图案化的光束施加给衬底；衬底台，用于支撑衬底；浸没流体限制结构， 用于在投影系统和衬底和域衬底台之间限制浸没流体；以及根据本专利技术的第一 方面的清洁设备。该清洁设备布置为清洁衬底台的局部表面。0013根据本专利技术的一方面，^f共根据本专利技术的第一方面的清洁设备。该清洁设备还可包括衬底旋转器，构造为相对于所述导管旋转衬底。原子团限制 系统构造为将原子团弓l导到衬底的周边局部，以便通过相对于所述导管旋转衬 底来清洁衬底的全部周界。0014根据本专利技术的一方面，iH共一种光刻设备，包括衬底处理器，构造为在曝光期间在用来支撑衬底的衬底台上定位衬底，该衬底处理器构造为在衬底台上定位衬底之前旋转衬底；以及衬底清洁器，构造为随着衬底旋转来清洁衬底局部表面，等离子Wf洁器包括用于提供原子团流的等离子体原子团源、用于将来自等离子体原子团源的原子团供给将被清洁的表面的导管和用于 引导原子团以清洁戶，局部的原子团限制系统。0015根据本专利技术的一方面，提供一种清洁设备，用于清洁浸没式光刻设 备的表面，该浸没式光亥股备包括用于支撑衬底的衬底台和用于在投影系统和 衬底台和/或衬底之间限定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洁设备，用于清洁浸没式光刻设备的衬底或部件，该浸没式光刻设备包括用于支撑衬底的衬底台和用于在投影系统和衬底台和／或衬底之间限定浸没流体的流体限制系统，该清洁设备包括：　等离子体原子团源，其用于提供原子团流；　导管，用来将来 自等离子体原子团源的原子团供给将被清洁的表面；以及　原子团限制系统，用来引导原子团以清洁所述表面的局部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：AMCP德仲，H詹森，MHA里德尔斯，P布洛姆，RHG克莱默，M范普特恩，A德格拉夫，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]