探针诱导光刻薄膜制造技术

一种用于探针诱导表面等离子体共振光刻的探针诱导光刻薄膜，特征在于其结构由沉积于玻璃基底上的直写光刻材料层、介质层和表面等离子体共振层组成，所述的直写光刻材料层由ＡｇＯ↓［ｘ］或ＮｉＯ↓［ｙ］组成；所述的介质层由ＳｉＯ↓［２］组成；所述的表面等离子体共振层由Ａｇ组成。采用磁控溅射的方法制备。本实用新型专利技术探针诱导光刻薄膜用于探针诱导表面等离子体共振光刻将大大降低刻蚀线宽。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光刻
，是一种探针诱导光刻薄膜，用于探 针诱导表面等离子体共振光刻的探针诱导光刻薄膜，可以大大降低刻蚀 线宽。
技术介绍
电子化工材料是电子工业中关键的基础材料，电子工业的发展要求 电子化工材料与之同歩发展，不断更新换代，以适应其在技术方面不断 推陈出新的需要。特别是在集成电路方面，其发展完全得益于微细加工 技术，尤其是光学光刻技术的不断进步。目前国际上通用的縮小光刻尺寸的方法就是减小刻写光的波长，现 在已经发展到使用极深紫外光(193 nm)，甚至Y射线作为微电路的光刻 光源。这类光刻系统技术复杂，价格昂贵。不縮短波长而縮小光斑尺寸 的另一条途径是近场光学技术。采用通光的SNOM光纤探针，采用传统的 基底/光刻胶结构，能够获得超过光学衍射极限(超分辨)的光刻线宽到 100nm 以下 (Eric Betzig, Jay K. Trautman， Near-Field Optics: Microscopy, Spectroscopy, and Surface Modification Beyond the Diffaction Limit, SCIENCE, 1992本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于探针诱导表面等离子体共振光刻的探针诱导光刻薄膜，特征在于其结构由沉积于玻璃基底（４）上的直写光刻材料层（１）、介质层（２）和表面等离子体共振层（３）组成，所述的直写光刻材料层由ＡｇＯ↓［ｘ］或ＮｉＯ↓［ｙ］组成；所述的介质层由ＳｉＯ↓［２］组成；所述的表面等离子体共振层由Ａｇ组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李小刚，洪小刚，赵成强，王阳，徐文东，唐晓东，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]