半色调式相移掩模及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半色调式相移掩模，它包括一个透明衬底，其上依次叠层有一个相移图形和一个铬图形，两图形具有一个窗口，所述窗口暴露出所述透明衬底的一个预定区域，所述铬图形在靠近窗口处有一个台阶，该台阶的厚度仅可以透过大约５～５０％的在所述半色调式相移掩模上照射的射入光束。本发明专利技术还提供了制备上述半色调式相移掩模的方法。本发明专利技术能够防止在未指定区域光的透入，这样能够获得一种具有良好平滑轮廓的光刻胶图形。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及制备一种半色调式(Half—tone type)相移掩模的方法，该掩模能够防止在未指定区域光的透入，从而能够获得一种具有良好平滑轮廓的感光图形。半导体器件的高集成化普遍地要求减少线路尺寸和线路与单元器件诸如晶体管和电容器之间的距离变得更小。结果，增加了涉及制备高集成半导体器件的步骤量。用于半导体器件的一种典型的光刻处理使用了一种掩模。它包括一个透明衬底例如石英。在该衬底上形成有遮光图形。然而，使用一种典型的掩模来形成一种比光分辨率小的精细的图形是困难的。确实，使用目前的感光方法和曝光设备来获得具有0.5μm或更小线宽的精细图形实际是不可能的。而且，更高集成化的半导体器件，诸如64M或更高的DRAM要求0.4μm或更小的精细圆形。为了满足上述要求已经作了各种努力。在开发高集成化半导体器件的努力中，开发出了一种相移掩模。一个相移掩模大致上由一个石英衬底、遮光图形和一个相移材料层构成。该相移材料层与石英衬底上的遮光图形一起，起着偏移一个光束180°的作用。这种相移掩模被设计成在光辐照处理中使照射到晶片(wafer)上的一个光束的振幅保持不变，并使由在光通过该相移层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半色调式相移掩模，包括一个透明的衬底，在该衬底上依次叠层有一个相移图形和一个铬图形，两个图形具有一个窗口，由所述窗口暴露出所述透明衬底的一个预定区域，并且所述铬图形在靠近窗口处有一个台阶，该台阶的厚度仅可以透过大约５～５０％的在所述半色调式相移掩模上照射的射入光束。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：咸泳穆，
申请(专利权)人：现代电子产业株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]