粘合片制造技术

本发明专利技术涉及一种粘合片，其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的粘合片(10)，该粘合片(10)具备基材(11)、和包含抗静电剂的粘合剂层(12)，其中，在氮气氛围中于190℃加热60分钟、然后在23℃及50％RH的气体氛围中放置24小时后，上述粘合片(10)的粘合剂层(12)的表面电阻率低于10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘合片


[0001]本专利技术涉及粘合片。

技术介绍

[0002]在半导体装置的制造工序中，出于固定半导体晶片、及保护半导体元件(例如半导体芯片等)等的目的而使用了粘合片。
[0003]粘合片在给定的处理工序结束时将被剥离，但此时，有时会在粘合片与半导体晶片之间、或者在粘合片与半导体元件之间产生被称作剥离起电的静电。这样的静电会成为破坏半导体晶片、半导体元件、及在这些部件上形成的电路等的原因，因此，已探讨了用以防止该破坏(以下也称为“静电破坏”)的方法。
[0004]例如，专利文献1中公开了一种电子部件补强用粘合片，其特征在于，粘合剂层是光聚合性组合物的光聚合物，所述光聚合性组合物分别以特定量包含：(a)以特定的(甲基)丙烯酸烷基酯为主成分、并含有能够与该主成分共聚的单乙烯性不饱和酸而成的单体混合物；(b)作为交联剂的多官能(甲基)丙烯酸酯；(c)光聚合引发剂；以及(d)环氧树脂。且专利文献1中公开了该电子部件补强用粘合片的粘合剂层还可以含有抗静电剂。
[0005]另外，专利文献2中公开了一种粘合剂组合物，其包含：(a)离子性液体、(b)以一种以上具有碳原子数4～12的烷基的(甲基)丙烯酸酯作为主成分的(甲基)丙烯酸类聚合物、以及(c)分子中含有2个以上羟基的特定的化合物，且上述(甲基)丙烯酸类聚合物的重均分子量为30万以上且130万以下。
[0006]另外，公开了在支撑体的单面或两面形成有由该粘合剂组合物交联而成的粘合层的粘合片类。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2003-105278号公报
[0010]专利文献2：日本特开2011-127130号公报

技术实现思路

[0011]专利技术要解决的问题
[0012]然而，在半导体装置的制造工序中，在实施利用密封材料密封半导体元件的工序的情况下，有时要在高温(例如150℃以上且190℃以下)下加热粘合片。而经过这样的加热工序后，将粘合片从被粘附物剥离时，在由剥离起电引发的静电的作用下，电子部件(例如电子电路等)更容易被破坏，其结果，有时会导致半导体元件发生破坏。
[0013]在上述专利文献1及2中，虽然公开了可以使粘合片的粘合剂层包含抗静电剂，但为了进一步抑制静电破坏，需要根据用途及工序来选择材料。特别是，在实施密封工序的半导体装置的制造工序中，还需要考虑到粘合片在高温下加热后的特性来选择材料。
[0014]本专利技术的目的在于通过使用包含在经过高温(例如150℃以上且190℃以下)下加
热的工序后具有低于给定值的表面电阻率的粘合剂层的粘合片，从而提供即使将粘合片从被粘附物剥离，也能够抑制半导体元件的静电破坏的粘合片。
[0015]解决问题的方法
[0016]本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的粘合片，该粘合片具备基材、和包含抗静电剂的粘合剂层，其中，在氮气氛围中于190℃加热60分钟、然后在23℃及50％RH的气体氛围中放置24小时后，上述粘合片的上述粘合剂层的表面电阻率低于10
11
Ω/
□
。
[0017]在本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片中，优选在氮气氛围中于190℃加热60分钟、然后在23℃及50％RH的气体氛围中放置24小时后，上述粘合片的上述粘合剂层的静电电压低于0.1kV。
[0018]在本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片中，优选上述抗静电剂包含选自碳材料及离子性材料中的至少一种。
[0019]在本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片中，优选上述碳材料为选自碳纳米管、石墨烯及炭黑中的至少一种。
[0020]在本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片中，优选上述离子性材料为选自离子性液体及离子聚合物中的至少一种。
[0021]在本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片中，优选上述抗静电剂为上述离子性液体、或者为上述离子性液体与上述碳材料的混合物。
[0022]在本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片中，优选上述离子性液体包含阳离子、和下述通式(1)所示的阴离子。
[0023][化学式1][0024][0025]在通式(1)中，R1及R2各自独立地为氟原子、或碳原子数1以上且8以下的全氟烷基，R1及R2相同或不同。
[0026]在本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片中，优选相对于上述粘合剂层整体，上述离子性液体的含量为0.01质量％以上且10质量％以下。
[0027]在本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片中，优选上述粘合剂层含有丙烯酸类粘合剂组合物，上述丙烯酸类粘合剂组合物包含以烷基碳原子数为4以上且12以下的(甲基)丙烯酸烷基酯作为主要单体的丙烯酸类共聚物。
[0028]在本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片中，优选在将上述粘合片在100℃及30分钟的条件下进行加热、接着在180℃及30分钟的条件下进行加热、进一步在190℃及60分钟的条件下进行加热、然后在23℃及50％RH的气体氛围中放置24小时后，上述粘合剂层对于铜箔的粘合力为0.5N/25mm以上且3.0N/25mm以下、且上述粘合剂层对于聚酰亚胺膜的粘合力为0.50N/25mm以上且2.00N/25mm以下。
[0029]在本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片中，优选上述基材的上述粘合剂层一侧的表面具有导电性。
[0030]在本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片中，优选在将上述粘合片在氮气氛围中于
190℃加热60分钟、然后在23℃及50％RH的气体氛围中放置24小时后，上述基材的上述粘合剂层一侧的表面电阻率为10-7
Ω/
□
以上且107Ω/
□
以下。
[0031]在本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片中，优选在上述基材与上述粘合剂层之间具有导电层。
[0032]在本专利技术的一个实施方式涉及的粘合片中，优选在将上述粘合片在氮气氛围中于190℃加热60分钟、然后在23℃及50％RH的气体氛围中放置24小时后，上述导电层的上述粘合剂层一侧的表面电阻率为10-7
Ω/
□
以上且107Ω/
□
以下。
[0033]根据本专利技术，通过使用包含在经过高温(例如150℃以上且190℃以下)下加热的工序后具有低于给定值的表面电阻率的粘合剂层的粘合片，可以提供即使将粘合片从被粘附物剥离，也能够抑制半导体元件的静电破坏的粘合片。
附图说明
[0034][图1]为第一实施方式的粘合片的剖面图。
[0035][图2]为第二实施方式的粘合片的剖面图。
[0036][图3]为第三实施方式的粘合片的剖面图。
[0037][图4]为第四实施方式的粘合片的剖面图。
[0038][图5]为第五实施方式的粘合片的剖面图。
[0039]符号说明
[0040]10、10A、10B、10C、10D
…
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种粘合片，其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的粘合片，该粘合片具备：基材、和包含抗静电剂的粘合剂层，其中，在氮气氛围中于190℃加热60分钟、然后在23℃及50％RH的气体氛围中放置24小时后，所述粘合片的所述粘合剂层的表面电阻率低于10
11
Ω/
□
。2.根据权利要求1所述的粘合片，其中，在氮气氛围中于190℃加热60分钟、然后在23℃及50％RH的气体氛围中放置24小时后，所述粘合片的所述粘合剂层的静电电压低于0.1kV。3.根据权利要求1或2所述的粘合片，其中，所述抗静电剂包含选自碳材料及离子性材料中的至少一种。4.根据权利要求3所述的粘合片，其中，所述碳材料为选自碳纳米管、石墨烯及炭黑中的至少一种。5.根据权利要求3或4所述的粘合片，其中，所述离子性材料为选自离子性液体及离子聚合物中的至少一种。6.根据权利要求5所述的粘合片，其中，所述抗静电剂为所述离子性液体，或者为所述离子性液体与所述碳材料的混合物。7.根据权利要求5或6所述的粘合片，其中，所述离子性液体包含阳离子、和下述通式(1)所示的阴离子，在通式(1)中，R1及R2各自独立地为氟原子、或碳原子数1以上且8以下的全氟烷基，R1及R2相同或不同。8.根据权利要求5～7中任一项所述的粘合片，其中，相对于所述粘合剂层整体，所述离子性液体的含量为0.01质量％以上且10质量％以下。9.根据权利要求1～8中任一项所述的粘合片，其中，所述粘合剂层含有丙烯酸类粘合剂组合物，所述丙烯酸类粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉延毅朗，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：