切晶粘晶一体型膜及其使用的压敏胶黏剂膜制造技术

本发明专利技术的一方面所涉及的切晶粘晶一体型膜具有至少依次层叠有基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层的结构，且上述压敏胶黏剂层含有光聚合成分、及光聚合引发剂(D)。上述光聚合成分包含源自聚合物(A)、具有羟基的能量固化性压敏黏合成分(B)、及热交联剂(C)的结构单元，所述聚合物(A)具有含季铵盐的基团与羟基，且该结构单元为聚合物(A)与压敏黏合成分(B)经由热交联剂(C)连结的结构单元、以及压敏黏合成分(B)彼此经由热交联剂(C)连结的结构单元中的至少一者。至少一者。至少一者。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切晶粘晶一体型膜及其使用的压敏胶黏剂膜


[0001]本专利技术涉及一种切晶粘晶一体型膜及其使用的压敏胶黏剂膜(pressure-sensitive adhesive film)。

技术介绍

[0002]半导体装置经过以下的工序而制造。首先，在晶圆(wafer)贴附切晶用压敏胶黏剂膜的状态下实施切晶工序。之后，实施扩张(expand)工序、拾取(pickup)工序、安装(mounting)工序及粘晶(diebonding)工序等。
[0003]在半导体装置的制造工艺中，使用被称为切晶粘晶一体型膜的膜。该膜具有依次层叠有基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂(adhesive)层的结构，例如，如以下使用。首先，对晶圆贴附胶黏剂层侧的面并且在利用切晶环(dicingring)将晶圆固定的状态下对晶圆进行切晶。由此，晶圆被单片化为大量芯片(chip)。接着，通过对压敏胶黏剂层照射紫外线而减弱压敏胶黏剂层相对于胶黏剂层的胶接力(adhesive force)后，将芯片连同胶黏剂层单片化而成的胶黏剂片从压敏胶黏剂层一并拾取。之后，经过经由胶黏剂片将芯片安装于基板等的工序而制造半导体装置。另外，将包含经过切晶工序而获得的芯片与附着于该芯片的胶黏剂片的层叠体称为晶粒黏附膜(DieAttachFilm，DAF)。
[0004]如上所述，通过照射紫外线而胶接力减弱的压敏胶黏剂层(切晶膜)被称为紫外线(ultraviolet，UV)固化型。相对于此，在半导体装置的制造工艺中不照射紫外线而胶接力保持恒定的压敏胶黏剂层被称为压敏型。r/>[0005]可是，对半导体装置的制造工艺中所使用的膜要求抗静电性。专利文献1中公开有：一种半导体加工用片，具备通过照射能量线而使压敏胶黏剂组合物固化而成的压敏胶黏剂层，所述压敏胶黏剂组合物含有具有季铵盐(抗静电剂)及能量线固化性基的聚合物、以及能量线固化性压敏黏合成分(所述聚合物除外)。根据该半导体加工用片，能够发挥优异的抗静电性且能够抑制剥离时的被粘附体(晶圆或芯片)的污染(参考专利文献1的[0020]段)。
[0006]以往技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本专利特开2015-115385号公报

技术实现思路

[0009]专利技术要解决的技术课题
[0010]专利文献1中记载的半导体加工用片并未设想应用于切晶粘晶一体型膜中。即，该半导体加工用片是作为背面研磨片(半导体晶圆表面保护片)、切晶片或用于转移拾取后的芯片的片而使用(参考专利文献1的[0101]段)。即，该半导体加工用片的压敏胶黏剂层是将半导体晶圆或半导体芯片作为被粘附体的。相对于此，切晶粘晶一体型膜的压敏胶黏剂层是将胶黏剂层作为被粘附体的。以彼此相接的方式配置的压敏胶黏剂层及胶黏剂层均包含
树脂成分，因此存在在这些层的界面中低分子量成分的渗出(bleedout)量变多的倾向。由此，胶黏剂层与压敏胶黏剂层之间的剥离强度随着时间经过而上升，结果，容易产生拾取错误。对切晶粘晶一体型膜的压敏胶黏剂层要求如下特性：抑制因压敏胶黏剂层中所含有的成分的渗出而引起的剥离性的降低。
[0011]并且，对切晶粘晶一体型膜的压敏胶黏剂层的切晶工序中对胶黏剂层及切晶环要求较高的胶接力。若压敏胶黏剂层的胶接力不充分，则产生如下现象：伴随切晶刀(dicingblade)的高速旋转而胶黏剂层与压敏胶黏剂层之间产生剥离，芯片与胶黏剂片一起飞散的现象(以下，将该现象称为“DAF飞散”。)，或者，因切削水的水流而切晶环自压敏胶黏剂层剥离的现象(以下，将该现象称为“环剥落”。)。专利文献1中所记载的半导体加工用片的压敏胶黏剂层通过照射能量线而事先固化，因此，可推测为若将该压敏胶黏剂层作为切晶粘晶一体型膜的压敏胶黏剂层使用，则因胶接力不足而在切晶时产生DAF飞散及环剥落。
[0012]本专利技术提供一种抗静电性及切晶工序中的相对于晶圆的胶黏性优异，并且拾取工序中相对于胶黏剂层的剥离性优异的用于切晶粘晶一体型膜的压敏胶黏剂膜。并且，本专利技术提供一种包含上述压敏胶黏剂膜的切晶粘晶一体型膜。
[0013]用于解决技术课题的手段
[0014]本专利技术的一方面提供一种用于切晶粘晶一体型膜的压敏胶黏剂膜。该压敏胶黏剂膜至少具备基材层、以及设置于基材层上的压敏胶黏剂层，且压敏胶黏剂层含有以下的光聚合成分、及光聚合引发剂(D)。即，光聚合成分包含源自聚合物(A)、具有羟基的能量固化性压敏黏合成分(B)、及热交联剂(C)的结构单元，所述聚合物(A)具有含季铵盐的基团与羟基，且该结构单元为聚合物(A)与压敏黏合成分(B)经由热交联剂(C)连结的结构单元、以及压敏黏合成分(B)彼此经由热交联剂(C)连结的结构单元中的至少一者。
[0015]通过压敏黏合成分(B)经由热交联剂(C)与聚合物(A)交联、或压敏黏合成分(B)彼此经由热交联剂(C)交联，即便使用低分子量的成分作为压敏黏合成分(B)，也能够充分抑制其渗出。并且，通过光聚合成分包含源自聚合物(A)的结构单元，而发挥抗静电性，所述聚合物(A)具有含季铵盐的基团。
[0016]上述压敏胶黏剂层中，通过照射活性能量线(例如，紫外线)而上述光聚合成分与光聚合引发剂(D)反应，胶黏性降低。在半导体装置的制造工艺中，在切晶工序后，对压敏胶黏剂层照射活性能量线，由此提高DAF相对于压敏胶黏剂层的剥离性，能够充分减少在之后的拾取工序中的拾取错误。从胶黏性的观点考虑，上述压敏胶黏剂层优选为23℃下的储能模量充分小，其值例如为10MPa～60MPa。
[0017]从进一步稳定地获得上述效果的观点考虑，优选为胶黏性组合物(B)包含具有可链聚合的官能团的树脂，该官能团为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基中的至少一种。从同样的观点考虑，优选为使用在一分子中具有两个以上的异氰酸酯基的多官能异氰酸酯与在一分子中具有三个以上的OH基的多元醇的反应物作为上述热交联剂(C)。作为光聚合引发剂(D)的一例，可列举光自由基聚合引发剂。
[0018]本专利技术的一方面提供一种切晶粘晶一体型膜。该一体型膜具备上述压敏胶黏剂膜、以及设置于上述压敏胶黏剂膜所具备的压敏胶黏剂层上的胶黏剂层。根据该一体型膜，在切晶工序中压敏胶黏剂层具有相对于晶圆的优异的胶黏性，且在活性能量线照射后的拾
取工序中压敏胶黏剂层具有相对于胶黏剂层的优异的剥离性。在从胶黏剂层剥离压敏胶黏剂层时，能够抑制压敏胶黏剂层的成分污染胶黏剂层，因此能够实现可靠性优异的粘晶(优异的粘晶性)。
[0019]专利技术效果
[0020]根据本专利技术，提供一种抗静电性及切晶工序中的相对于晶圆的胶黏性优异、且拾取工序中相对于胶黏剂层的剥离性优异的用于切晶粘晶一体型膜的压敏胶黏剂膜。并且，根据本专利技术，提供一种包含上述压敏胶黏剂膜的切晶粘晶一体型膜。
附图说明
[0021]图1是示意性地表示本专利技术所涉及的切晶粘晶一体型膜的一实施方式的剖视图。
[0022]图2是示意性地表示本专利技术所涉及的压敏胶黏剂膜的一实施方式的剖视图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种压敏胶黏剂膜，其为用于切晶粘晶一体型膜的压敏胶黏剂膜，并且至少具备：基材层、以及设置于所述基材层上的压敏胶黏剂层，所述压敏胶黏剂层含有：光聚合成分，包含源自聚合物(A)、具有羟基的能量固化性压敏黏合成分(B)、及热交联剂(C)的结构单元，所述聚合物(A)具有含季铵盐的基团与羟基；以及光聚合引发剂(D)，所述结构单元为聚合物(A)与压敏黏合成分(B)经由热交联剂(C)连结的结构单元、以及压敏黏合成分(B)彼此经由热交联剂(C)连结的结构单元中的至少一者。2.根据权利要求1所述的压敏胶黏剂膜，其中，所述压敏胶黏剂层的23℃下的储能模量为10MPa～60MPa。3.根据权利要求1或2所述的压敏胶黏剂膜，其中，所述聚合...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村尚弘，大久保恵介，山中大辅，
申请(专利权)人：昭和电工材料株式会社，
类型：发明
国别省市：