基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质，抑制微小颗粒的产生并提高生产率。基板处理装置具备：装填室，其与对基板进行处理的处理室连通，且能够收纳两个以上的保持多个基板的晶舟；升降机，其使晶舟在处理室与装填室之间出入；晶舟交换装置，其构成为能够使从处理室取出的搭载于升降机的状态的晶舟向第一待机区域及第二待机区域移动；第一净化单元，其与装填室内的对搭载于升降机的状态的晶舟进行保持的卸载区域相面对，并向第一方向输送净化空气；第二净化单元，其与第一待机区域相面对，并向第二方向输送净化空气；以及第三净化单元，其与第二待机区域相面对，并向第三方向输送净化空气，第一净化单元、第二净化单元、第三净化单元构成为能够各自独立地控制风量，在装填室内的配置晶舟交换装置的高度形成预定的气流。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质
本公开涉及对硅晶圆等基板进行薄膜的生成、氧化、扩散、CVD、退火等热处理的基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质。
技术介绍
半导体装置的制造工艺中，可以采用立式基板处理装置作为用于在基板(以下称为晶圆)上形成氧化膜、金属膜的装置。另外，有一种双晶舟式的基板处理装置，其为了提高生产率而使用两个保持晶圆的晶舟，并使两个晶舟交替地相对于处理室搬入搬出。为了使处理完的晶圆冷却或者为了除去微小颗粒而在基板处理装置中设有喷出净化空气的净化空气单元。但是，在双晶舟式的基板处理装置的情况下，需要设置用于交换晶舟的晶舟交换装置，因此为了避免净化单元和设置于净化单元背面的风扇单元与晶舟交换装置发生干涉而有可能使形状受到限制。因此，有可能难以确保净化空气的风量，在基板处理装置的下部、晶舟交换装置的周边、晶舟交换装置的晶圆冷却位置等发生净化空气的滞留，无法充分地除去微小颗粒。此外，当在使晶舟升降的晶舟升降机附近无法可靠地形成净化空气流时，则晶圆无法均匀地冷却，有可能导致生产率降低，因产生微小颗粒而导致品质降低。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015－167240号公报专利文献2：日本特开2012－94805号公报专利文献3：日本特开2008－141176号公报专利文献4：日本特开2002－175999号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本公开提供一种能够抑制微小颗粒的产生并提高生产率的结构。用于解决课题的方案本公开的一方案提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备：装填室，其与对基板进行处理的处理室连通，且能够收纳两个以上的保持多个基板的晶舟；升降机，其使所述晶舟在所述处理室与所述装填室之间出入；晶舟交换装置，其构成为能够使从所述处理室取出的搭载于所述升降机的状态的晶舟向第一待机区域及第二待机区域移动；第一净化单元，其与所述装填室内的对搭载于所述升降机的状态的所述晶舟进行保持的卸载区域相面对，并向第一方向输送净化空气；第二净化单元，其与所述第一待机区域相面对，并向第二方向输送净化空气；以及第三净化单元，其与所述第二待机区域相面对，并向第三方向输送净化空气，所述第一净化单元、所述第二净化单元、所述第三净化单元构成为能够各自独立地控制风量，在所述装填室内的配置所述晶舟交换装置的高度形成预定的气流。专利技术的效果根据本公开，能够发挥如下优异效果，即抑制微小颗粒的产生并且提高生产率。附图说明图1是本公开的实施例的基板处理装置的立体图。图2是本公开的实施例的基板处理装置的处理炉的纵剖视图。图3是本公开的实施例的基板处理装置的侧视图。图4是基板处理装置的装填室的俯视图。图5是表示进行移载的基板保持体的配置的基板处理装置的侧视图。图6中的(A)是表示作为本公开的比较例示出的现有例的一例的装填室的俯视图，(B)是表示作为本公开的比较例示出的现有例的另一例的装填室的俯视图。图7是说明本公开的实施例的净化空气的气流的说明图。图8中的(A)示出了作为现有例的一例的装填室中的预定高度的风速分布，(B)示出了本公开的实施例的装填室中的预定高度的风速分布。图9中的(A)是图8的(A)的A－A向视图，(B)是图8的(B)的A－A向视图，(C)是图8的(A)的B－B向视图，(D)是图8的(B)的B－B向视图。图10是基板处理装置的控制器的功能框图。图中：1—基板处理装置；5—晶圆；12—装填室；14—晶舟；18—处理室；31—晶舟交换装置；32—第一净化单元；33—第二净化单元；34—第三净化单元；42—第一风扇单元；44—第一缓冲区域；46—第二风扇单元；48—第二缓冲区域；51—第三风扇单元；53—第三缓冲区域；54—主吸气管道；56—副吸气管道。具体实施方式以下参照附图对本公开的实施例进行说明。首先对本公开的实施例的基板处理装置的概要进行说明。在本实施例中说明的基板处理装置用于半导体装置的制造工艺，即在将作为处理对象的基板收纳于处理室的状态下利用加热器对基板进行加热并实施处理。更具体而言，是一种立式的基板处理装置，其以将多个基板在铅垂方向上按照预定的间隔层叠的状态同时对该多个基板进行处理。对于作为基板处理装置的处理对象的基板，例如可以举出形成有半导体集成电路装置(半导体器件)的半导体晶圆基板(以下简称为“晶圆”)。另外，作为基板处理装置进行的处理，例如可以举出氧化处理、扩散处理、为了除去缺陷或者进行离子注入后的载流子活化的退火、通过热CVD(ChemicalVaporDeposition：化学气相沉积)反应进行的成膜处理等。接下来对本实施例的基板处理装置的概略结构例进行说明。图1是表示本实施例的基板处理装置的结构例的立体图。基板处理装置1具备可在内部配置处理炉2等主要部的壳体3。在壳体3的正面侧配置有晶盒载台4。在晶盒载台4上对作为收纳晶圆5的基板收纳具的前开式晶圆传送盒(以下称为“晶盒”)6进行搬送、载置。晶盒6在其内部可收纳例如25张的晶圆5且构成为在未图示的盖关闭的状态下载置于晶盒载台4上。即，晶盒6在基板处理装置1中用作晶圆载体。在比晶盒载台4靠向里侧的壳体3内配置有晶盒搬送装置7。在晶盒搬送装置7的近旁分别配置有晶盒搁架8、晶盒开启器9和基板张数检测器11。晶盒搬送装置7在晶盒载台4与晶盒搁架8之间搬送晶盒6。晶盒搁架8配置于晶盒开启器9的上方且保持为载置有多个晶盒6的状态。晶盒搁架8可以由所谓旋转搁架构成，所述旋转搁架具有能够利用未图示的驱动机构进行旋转的搁架板。晶盒开启器9打开晶盒6的盖而使晶盒6的内部与后述的装填室12连通。基板张数检测器11与晶盒开启器9相邻配置并对打开了盖的晶盒6内的晶圆5的张数进行检测。在相对于晶盒开启器9而言的壳体3内的背面侧形成有装填室12，该装填室12在壳体3内区划为单室空间。对于该装填室12的详情将在后面叙述。在装填室12内配置有：基板移载机13、以及作为基板保持体的晶舟14。基板移载机13具有能够水平地直线运动的末端执行器(夹钳)15。利用未图示的驱动装置使末端执行器15进行上下旋转动作，从而能够在置于晶盒开启器9的位置的晶盒6与晶舟14之间搬送晶圆5。晶舟14构成为能够使多张(例如50～150张的程度)的晶圆5以水平姿态且中心一致的状态在铅垂方向上空出预定间隔排列层叠，并在纵向上保持为多层。保持有晶圆5的晶舟14构成为能够利用作为升降机构的晶舟升降机16(后述)进行升降。此外，晶舟14的下部成为圆筒状的隔热部14a，该隔热部14a由Si、SiC等耐热性材料形成。或者，也可以在晶舟14中装填预定张数的隔热板，该隔热板由Si、SiC等耐热性材料形成为与晶圆5相同的形状。在壳体3内的背面侧上部、即装填室12的上方侧配置有处理炉2。在处理炉2内构成为，装填有多张本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：/n装填室，其与对基板进行处理的处理室连通，且能够收纳两个以上的保持多个基板的晶舟；/n升降机，其使所述晶舟在所述处理室与所述装填室之间出入；/n晶舟交换装置，其构成为能够使从所述处理室取出的搭载于所述升降机的状态的晶舟向第一待机区域及第二待机区域移动；/n第一净化单元，其与所述装填室内的对搭载于所述升降机的状态的所述晶舟进行保持的卸载区域相面对，并向第一方向输送净化空气；/n第二净化单元，其与所述第一待机区域相面对，并向第二方向输送净化空气；以及/n第三净化单元，其与所述第二待机区域相面对，并向第三方向输送净化空气，/n所述第一净化单元、所述第二净化单元、所述第三净化单元构成为能够各自独立地控制风量，在所述装填室内的配置所述晶舟交换装置的高度形成预定的气流。/n

【技术特征摘要】
20190628 JP 2019-1215361.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
装填室，其与对基板进行处理的处理室连通，且能够收纳两个以上的保持多个基板的晶舟；
升降机，其使所述晶舟在所述处理室与所述装填室之间出入；
晶舟交换装置，其构成为能够使从所述处理室取出的搭载于所述升降机的状态的晶舟向第一待机区域及第二待机区域移动；
第一净化单元，其与所述装填室内的对搭载于所述升降机的状态的所述晶舟进行保持的卸载区域相面对，并向第一方向输送净化空气；
第二净化单元，其与所述第一待机区域相面对，并向第二方向输送净化空气；以及
第三净化单元，其与所述第二待机区域相面对，并向第三方向输送净化空气，
所述第一净化单元、所述第二净化单元、所述第三净化单元构成为能够各自独立地控制风量，在所述装填室内的配置所述晶舟交换装置的高度形成预定的气流。


2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述装填室具有大致长方体状的内部空间，在上表面形成有与所述处理室连通的连通口，在前表面形成有基板搬入搬出口，沿着第一侧面并排设置所述第一净化单元和所述第三净化单元，在所述第一侧面与背面的角部配置所述第二净化单元，沿着与所述第一侧面相向的第二侧面配置所述升降机，所述晶舟交换装置的两个回转轴与所述第一侧面接近并配置于所述第一净化单元的下方。


3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第二方向上存在所述第一待机区域和所述卸载区域，所述第二净化单元构成为能够弥补所述卸载区域中的从所述第一净化单元供给的风量的不足。


4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一净化单元、所述第二净化单元、所述第三净化单元具有与所述晶舟的长度方向平行地延伸的吹出口，所述第二净化单元和所述第三净化单元的吹出口的长度比所述第一净化单元的长度长，所述第二净化单元的吹出口的下端比所述晶舟交换装置的上端低。


5.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一净化单元具有：第一轴流风扇，其向所述第一方向送风；第一过滤器，其设置在该第一轴流风扇的下游侧；第一缓冲区域，其设置在所述第一轴流风扇与所述第一过滤器之间，
所述第二净化单元具有：第二轴流风扇，其向所述第二方向送风；第二过滤器，其设置在该第二轴流风扇的下游侧；第二缓冲区域，其设置在所述第二轴流风扇与所述第二过滤器之间，
所述第三净化单元具有：第三轴流风扇，其向所述第三方向送风；第三过滤器，其设置在该第三轴流风扇的下游侧；第三缓冲区域，其设置在所述第三轴流风扇与所述第三过滤器之间，
所述第二净化单元在所述第一缓冲区域和所述第二轴流风扇的吸气侧经由包含呈曲柄状折弯的流路并使流体连通的管道而吸入所述净化空气。


6.一种基板处理装置，具备：
装填室，其与对基板进行处理的处理室连通，并收纳从该处理室取出的晶舟；
升降机，其使所述晶舟在所述处理室与所述装填室之间出入；以及
净化单元，其与利用所述装填室内...

【专利技术属性】
技术研发人员：广谷博史，高田畅人，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP