【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，更详细地说，涉及在硅基板的至少一个主面上形成硅结晶的凹部，以玻璃质物质充填该凹部的硅基板，以及在该硅基板上形成遮蔽层，将除去部分该遮蔽层的硅基板，在氟酸溶液中阳极氧化，或在含有氟的气相中，以该遮蔽层的除去部为中心、选择性地形成多孔质硅(PS)区域，通过氧化该PS区域内部的部分或全部硅细柱、形成含有二氧化硅的多孔质区域，通过在含有该二氧化硅的多孔质区域中掺杂杂质元素、再进行热处理，来形成以氧化硅为主要成分、在含有上述杂质元素的氧化物的致密的玻璃质中充填上述存在PS区域的硅基板的形成方法。
技术介绍
有一种技术，形成改变细孔径的若干多孔质硅(PS)的区域，在具有大的细孔径的PS部分选择性地掺杂杂质，将其氧化成为氧化硅，形成光导波路等。这样的技术由本申请专利技术者们们专利技术的已有技术文献特开平10-133047号公报、特开平11-14848号公报、特开平11-242125号公报、特开2000-47045号公报中已经有公开。但是，在这些文献中都没有涉及到，通过掺杂杂质产生的二氧化硅玻璃的玻璃化转变点温度的下降效果和玻璃膨胀系数的增大效果等。根据玻璃专...
【技术保护点】
一种硅基板，其特征在于： 在结晶质硅基板的至少一个主面一侧形成硅结晶的凹部，具有以被埋入该凹部的氧化硅该为主要成分的玻璃质区域，同时，所述玻璃质区域的玻璃化转变温度Ｔｇ比纯粹的二氧化硅玻璃的玻璃化转变温度低、是９００℃以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：永田清一，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，永田清一，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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