分光测定装置及分光测定方法制造方法及图纸

本发明专利技术的分光测定装置(1)具备光学系统(10)、光检测器(20)及解析部(30)。光学系统(10)将来自对象物(S)的被测定光朝光检测器(20)的受光面引导，且在光检测器(20)的受光面上形成被测定光的分光像。光检测器(20)具有在多行排列有多个像素的受光面。光检测器(20)通过在受光面上的第1区域的排列于1行或多行的多个像素，而遍及第1曝光时间受光分光像并输出被测定光的第1光谱数据。光检测器(20)通过在受光面上的第2区域的排列于1行或多行的多个像素，而遍及第2曝光时间受光分光像并输出被测定光的第2光谱数据。第2曝光时间比第1曝光时间长。由此，可实现能够使用一个光检测器取得高动态范围的光光谱的分光测定装置及分光测定方法。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种分光测定装置及分光测定方法。

技术介绍

1、分光测定装置可以通过光检测器受光由对象物产生的被测定光的分光像，取得该被测定光的光谱，且可以基于该光谱分析对象物的组成或监视对象物中的现象。分光测定装置有时要求取得高动态范围的光谱(参照专利文献1)。

2、例如，在通过等离子工艺而干蚀刻对象物的工序中，发生起因于在该蚀刻中使用的气体的光，或者也发生起因于蚀刻对象物的材料的光。有时起因于这些气体的光的波长带和起因于材料的光的波长带彼此不同。通过监视起因于气体的光的强度，可以监视气体的状态。通过监视起因于材料的光的强度的时间性变化，可以检测蚀刻结束时刻。起因于气体的光多为高强度，与之相比，起因于材料的光多为低强度。

3、伴随近年来半导体工艺精细化的进展，由干蚀刻形成的开口部变小，从该处产生的起因于材料的光(用于检测蚀刻结束时刻的光)的强度进一步变得微弱。在通过等离子工艺干蚀刻对象物的工序中，监视气体状态是重要的，检测蚀刻结束时刻也很重要。因此，必须通过分光测定装置取得包含起因于气体的高强度光及起因于材料的低强度光的双方的被测定光的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种分光测定装置，其中，

2.根据权利要求1所述的分光测定装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的分光测定装置，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的分光测定装置，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的分光测定装置，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的分光测定装置，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的分光测定装置，其中，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的分光测定装置，其中，

9.一种分光测定方法，其中，

10.根据权利要求9所述的分光测定方法，...

【技术特征摘要】

1.一种分光测定装置，其中，

2.根据权利要求1所述的分光测定装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的分光测定装置，其中，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的分光测定装置，其中，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的分光测定装置，其中，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的分光测定装置，其中，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的分光测定装置，其中，

8...

【专利技术属性】
技术研发人员：井口和也，增冈英树，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：