【技术实现步骤摘要】
本公开涉及激光加工方法、半导体器件制造方法和检查装置。
技术介绍
1、已知有一种激光加工装置，其为了将包括半导体衬底和形成于半导体衬底的正面上的功能元件层的晶片分别沿着多条线切断，而从半导体衬底的背面侧对晶片照射激光，来分别沿着多条线在半导体衬底的内部形成多排改性区域。专利文献1所记载的激光加工装置包括红外线摄像机，能够从半导体衬底的背面侧观察形成于半导体衬底的内部的改性区域和形成于功能元件层的加工损伤等。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2017-64746号公报
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、在上述那样的激光加工装置中，存在以可形成跨多排改性区域的裂纹的条件，从半导体衬底的背面侧对晶片照射激光的情况。在该情况下，如果由于例如激光加工装置的问题等而导致跨多排改性区域的裂纹并未充分地延伸至半导体衬底的正面侧，则在后续的步骤中，有可能无法将晶片分别沿着多条线可靠地切断。特别是，在改性区域的形成后对半导体衬底的背面进行研磨的情况下，如果无法在研磨步骤之前，先确认跨多排改性区域的裂纹是否充分地延伸至半导体衬底的正面侧，则在研磨步骤之后，有可能无法将晶片分别沿着多条线可靠地切断，使得研磨步骤变得无用。
3、关于跨多排改性区域的裂纹是否充分地延伸至半导体衬底的正面侧，仅观察改性区域是难以进行确认的。虽然也可考虑观察跨多排改性区域的裂纹，但是，由于裂纹的宽度通常比红外线的波长小，因此难以仅使用红外
4、本专利技术的目的在于提供一种能够确认出跨多排改性区域的裂纹是否充分地延伸至半导体衬底的正面侧的激光加工方法、半导体器件制造方法和检查装置。
5、用于解决课题的方法
6、本专利技术的一个方面的激光加工方法，其特征在于，包括：包括：第1步骤，准备包括具有正面和背面的半导体衬底和形成于正面的功能元件层的晶片，沿着多条线的各条线从背面侧对晶片照射激光，由此沿着多条线的各条线在半导体衬底的内部形成多排改性区域；和第2步骤，检查在多排改性区域中的最靠近正面的第1改性区域与最靠近第1改性区域的第2改性区域之间的检查区域中是否存在从第1改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端，在第1步骤中，以可形成跨多排改性区域的裂纹的条件，沿着多条线的各条线从背面侧对晶片照射激光，在第2步骤中，从背面侧使焦点对焦到检查区域内，检测在半导体衬底中从正面侧向背面侧传播的光，由此检查在检查区域中是否存在前端。
7、在该激光加工方法中，从半导体衬底的背面侧使焦点对焦到第1改性区域与第2改性区域之间的检查区域内，检测在半导体衬底中从正面侧向背面侧传播的光。通过这样地检测光，在检查区域中存在从第1改性区域向半导体衬底的背面侧延伸的裂纹的前端的情况下，能够确认到该前端。而且，在检查区域中存在该前端的情况下，推测为跨多排的改性区域的裂纹没有充分地延伸到半导体衬底的正面侧。因此，根据该激光加工方法，能够确认出对跨多排改性区域的裂纹是否充分地延伸至半导体衬底的正面侧。
8、本专利技术的一个方面的激光加工方法，包括：第1步骤，准备包括具有正面和背面的半导体衬底和形成于正面的功能元件层的晶片，沿着多条线的各条线从背面侧对晶片照射激光，由此沿着多条线的各条线在半导体衬底的内部形成多排改性区域；和第2步骤，检查在多排改性区域中的最靠近正面的第1改性区域与最靠近第1改性区域的第2改性区域之间的检查区域中是否存在从第2改性区域向正面侧延伸的裂纹的前端，在第1步骤中，以可形成跨多排改性区域的裂纹的条件，沿着多条线的各条线从背面侧对晶片照射激光，在第2步骤中，从背面侧使焦点对焦到相对于正面位于与背面相反侧的区域，来使与焦点关于正面对称的虚拟焦点位于检查区域内，检测在半导体衬底中从背面侧起经由正面向背面侧传播的光，由此检查在检查区域中是否存在有前端。
9、在该激光加工方法中，从背面侧起使焦点对焦到相对于正面与背面相反侧的区域，使与焦点关于正面对称的虚拟焦点位于检查区域(第1改性区域与第2改性区域之间的检查区域)内，检测在半导体衬底中从背面侧起经由正面向背面侧传播的光。通过这样地检测光，在检查区域中存在从第2改性区域向半导体衬底的正面侧延伸的裂纹的前端的情况下，能够确认到该前端。而且，在检查区域中存在该前端的情况下，推测为跨多排的改性区域的裂纹没有充分地延伸到半导体衬底的正面侧。因此，根据该激光加工方法，能够确认出对跨多排改性区域的裂纹是否充分地延伸至半导体衬底的正面侧。
10、在本专利技术的一个方面的激光加工方法中，也可以在第1步骤中，以使跨多排改性区域的裂纹到达正面的条件，来分别沿着多条线从背面侧对晶片照射激光。由此，能够确认出跨多排改性区域的裂纹是否到达了半导体衬底的正面。
11、本专利技术的一个方面的激光加工方法，也可以还包括基于第2步骤中的检查结果来评价第1步骤中的加工结果的第3步骤，在第3步骤中，在检查区域中不存在前端的情况下，评价为跨多排改性区域的裂纹到达了正面，在检查区域中存在前端的情况下，评价为跨多排改性区域的裂纹未到达正面。由此，能够基于评价结果来决定后续的步骤的实施方式。
12、在本专利技术的一个方面的激光加工方法中，多排改性区域也可以为2排改性区域。由此，能够以良好效率来实施多排改性区域的形成以及跨多排改性区域的裂纹的检查。
13、本专利技术的一个方面的半导体器件制造方法包括：上述的激光加工方法所包括的第1步骤、第2步骤和第3步骤；以及第4步骤，在第3步骤中评价为跨多排改性区域的裂纹到达了正面的情况下，通过对背面进行研磨来使跨多排改性区域的裂纹露出到背面，并分别沿着多条线将晶片切断为多个半导体器件。
14、根据该半导体器件制造方法，在被评价为跨多排改性区域的裂纹未到达半导体衬底的正面的情况下，半导体衬底的背面的研磨并不会被实施，因此能够防止在研磨步骤之后无法将晶片分别沿着多条线可靠地切断这样的情况的发生。
15、本专利技术的一个方面的检查装置，包括：支承晶片的载置台，其中，晶片包括具有正面和背面的半导体衬底和形成于正面的功能元件层，且沿着多条线的各条线在半导体衬底的内部形成有多排改性区域；光源，其输出对于半导体衬底具有透射性的光；和物镜，其使从光源输出并在半导体衬底中传播后的光通过；光检测部，其检测通过了物镜后的光；和检查部，其基于从光检测部输出的信号，检查在多排改性区域中的最靠近正面的第1改性区域与最靠近第1改性区域的第2改性区域之间的检查区域中是否存在从1改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端，物镜，从背面侧起使焦点对焦到检查区域内，光检测部检测在半导体衬底中从正面侧向背面侧传播的光。
16、该检查装置，从半导体衬底的背面侧使焦点对焦到第1改性区域与第2改性区域之间的检查区域内，检测在半导体衬底中从正面侧向背面侧传播的光。通过这样地检测光，在检查区域中存在从第1改性区域向半导体衬底的背面侧延伸的裂纹的前端的情况下，能够确认到该前端。
【技术保护点】
1.一种激光加工方法，其特征在于，包括：
2.一种激光加工方法，其特征在于，包括：
3.如权利要求1或2所述的激光加工方法，其特征在于：
4.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种激光加工方法，其特征在于，包括：
2.一种激光加工方法，其特征在于，包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：坂本刚志，铃木康孝，佐野育，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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