【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路设计，特别是涉及一种互补型金属氧化物薄膜晶体管、制备方法及运算放大电路。
技术介绍
1、近年来，随着电子产品向柔性、可穿戴、轻薄化的发展，柔性电子器件凭借轻薄、可弯曲、可拉伸的特点，引起了学术界和产业界研究的热潮。相较于传统的硅基技术，tft技术可大面积成膜和可直接集成在柔性基板上的特点，更顺应时代发展的潮流。而mo-tft(metal-oxide thin-film transistor,金属氧化物薄膜晶体管)器件因其优良的性能、简单的制造工艺成为近年来tft技术中的热门研究对象。
2、然而n型或p型mo-tft的场效应迁移率较低，导致器件本身的跨导较低，从而大大影响了tft电路本身的性能，导致mo-tft电路的发展较为缓慢。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种互补型金属氧化物薄膜晶体管、制备方法及运算放大电路，该互补型金属氧化物薄膜晶体管具有更高的场效应迁移率和跨导，将其应用于mo-tft电路中，能够大大提升mo-tft电路的性能。
<...【技术保护点】
1.一种互补型金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述互补型金属氧化物薄膜晶体管包括由下往上依次生长的基板、缓冲层、核心层和钝化层；
2.根据权利要求1所述的一种互补型金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述N型区底栅电极层覆盖N型区部分缓冲层的中间区域；
3.根据权利要求1所述的一种互补型金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述N型区有源层采用N型金属氧化物薄膜，所述P型区有源层采用P型金属氧化物薄膜。
4.一种互补型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的一种互补型金属氧化物薄膜晶体管的制备方...
【技术特征摘要】
1.一种互补型金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述互补型金属氧化物薄膜晶体管包括由下往上依次生长的基板、缓冲层、核心层和钝化层；
2.根据权利要求1所述的一种互补型金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述n型区底栅电极层覆盖n型区部分缓冲层的中间区域；
3.根据权利要求1所述的一种互补型金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述n型区有源层采用n型金属氧化物薄膜，所述p型区有源层采用p型金属氧化物薄膜。
4.一种互补型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的一种互补型金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述p型金属氧化物薄膜为sno薄膜，所述n型金属氧化物薄膜为a-igzo薄膜。
6.一种基于互补型金属氧化物薄膜晶体管的运算放大电路，其特征在于，所述运算放大电路包括电源端口、接地端口、以及依次连接的偏置模块、差分输入模块、放大模块和输出缓冲模块；
...【专利技术属性】
技术研发人员：梁洁，孟繁钊，李意，张磊，张建华，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：
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