【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成光路芯片
，特别是一种采用双层结构的混合集成光路芯片。
技术介绍
混合集成光路采用由不同材料制作的各种功能器件，将其集成到一个微光学平台上，形成性能稳定、易于控制的集成芯片。混合集成为各个独立器件的设计提供了更多的自由度，不同功能的器件可以分别选择各自最合适的材料以及最佳工艺以取得最好的性能。而单片集成光路，由于制作各个独立器件的最佳材料、最佳尺寸不同，不得不带来器件性能的折中。因此，混合集成目前是集成光路的两种方案中最具实用价值的一种。混合集成光路中的关键技术是实现高效的片上光互连，即实现高对准容差、低损耗的片上光互连。高效片上光互连的实现将能充分发挥集成芯片中各个分立器件的最佳性能，大幅度缩短集成芯片的研制周期，甚至在将来形成统一的片上光互连标准后实现集成芯片中不同厂商的同类独立器件产品可高效片上替换，进一步降低集成芯片成本，扩大集成规模，促进集成芯片功能的增加完善。传统的混合集成光路芯片采用单层结构，所有的独立器件都被固定在同一个微光学平台上，各个独立器件之间通过微光学平台上加工的波导结构来实现光连接，所述波导结构与独立器件采用端...
【技术保护点】
一种采用双层结构的混合集成光路芯片，其特征在于，该混合集成光路芯片中，将混合集成光路芯片分为器件层与光线路层，光在两层之间典型的光行进路线为：由光纤输入、行进至光线路层、行进至器件层通过独立器件、行进至光线路层、行进至器件层通过独立器件、行进至光线路层、……、行进至器件层通过独立器件、行进至光线路层、行进至光纤。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，刘育梁，李芳，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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