【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件制造方法
本专利技术涉及集成电路制造
，特别涉及一种半导体器件制造方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件朝着更高的元件密度，以及更高集成度的方向发展，半导体器件中膜层的厚度也越来越薄，当以某些膜层（例如多晶硅层）作为掩膜层执行离子注入工艺时，该掩膜层较易被离子击穿，会使得离子被注入至非离子注入区。例如图1为执行完离子注入工艺之后的半导体结构的示意图；参考图1，当掩膜层3a的厚度较薄时，在执行离子注入工艺之后，离子会击穿掩膜层3a而被注入至非离子注入区a中，从而影响最终制成的半导体结构的电性能。因此，当执行离子注入工艺之前，通常需要在掩膜层3a上方覆盖光刻胶层，以光刻胶层和掩膜层3a共同作为离子注入掩膜层。详细的，图2-图5为相关技术中形成离子注入掩膜层的过程中半导体结构的示意图。如图2所示，首先提供一基底1，所述基底1上形成有介质层2和多晶硅层3。参考图3，刻蚀所述基底上的介质层2和多晶硅层3以形成图案化的介质层2a和图案化的多晶硅层3a并暴露出离子注入区，其中，具体可以通过在...
【技术保护点】
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供一基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域中包括至少一个第一待注入区；/n在所述基底上形成晶体硅层，所述晶体硅层覆盖所述第一区域和所述第二区域；/n执行第一次刻蚀工艺刻蚀所述晶体硅层，以在所述晶体硅层中对应于所述第一区域的部分形成至少一个第一晶体硅开口，并在所述晶体硅层中对应于所述第二区域的部分形成至少一个第二晶体硅开口；其中，所述第一晶体硅开口与所述第一待注入区一一对应，所述第一晶体硅开口在垂直于所述基底表面方向上的投影落入至对应的第一待注入区中，且所述第一晶体硅开口的开口尺寸小于对应的第一待注入区的...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一基底，所述基底包括第一区域和第二区域，所述第一区域中包括至少一个第一待注入区；
在所述基底上形成晶体硅层，所述晶体硅层覆盖所述第一区域和所述第二区域；
执行第一次刻蚀工艺刻蚀所述晶体硅层，以在所述晶体硅层中对应于所述第一区域的部分形成至少一个第一晶体硅开口，并在所述晶体硅层中对应于所述第二区域的部分形成至少一个第二晶体硅开口；其中，所述第一晶体硅开口与所述第一待注入区一一对应，所述第一晶体硅开口在垂直于所述基底表面方向上的投影落入至对应的第一待注入区中，且所述第一晶体硅开口的开口尺寸小于对应的第一待注入区的宽度尺寸；
在所述晶体硅层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层填充所述至少一个第一晶体硅开口和所述至少一个第二晶体硅开口；
图案化所述第一光刻胶层，以在所述第一光刻胶层中对应于所述第一区域的部分形成至少一个第一光刻胶开口，所述第一光刻胶开口与所述第一待注入区一一对应，且所述第一光刻胶开口的边沿与对应的第一待注入区的边缘对齐；
执行第二次刻蚀工艺，以图案化后的第一光刻胶层为掩膜刻蚀所述晶体硅层，以在所述晶体硅层中形成至少一个第三晶体硅开口；
执行离子注入工艺以向所述第一待注入区中注入离子。
2.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，执行完所述第二次刻蚀工艺之后，所述第一光刻胶层和所述晶体硅层的厚度之和大于或等于0.4微米。
3.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第二区域包括至少一个第二待注入区，所述第二晶体硅开口与所述第二待注入区一一对应，且所述第二晶体硅开口的边沿与对应的第二待注入区的边缘对齐。
4.如权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在所述晶体硅层中对应于所述第一区域的部分形成至少一个第一晶体硅开口，以及在所述晶体硅层中对应于所述第二区域的部分形成至少一个第二晶体硅开口的方法包括：
在所述晶体硅层上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层覆盖所述第一区域和所述第二区域；
图案化所述第二光刻...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒲甜松，李庆民，陈信全，杨宗凯，
申请(专利权)人：南京晶驱集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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