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本发明提供一种半导体器件制造方法，包括：提供一基底，该基底包括第一区域和第二区域，第一区域中包括至少一个第一待注入区；在基底上形成晶体硅层；在晶体硅层中对应于第一区域的部分形成至少一个第一晶体硅开口，同时在晶体硅层中对应于第二区域的部分形成...
该专利属于南京晶驱集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京晶驱集成电路有限公司授权不得商用。

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