一种晶圆表面处理方法和表面处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆表面处理方法和表面处理装置。所述晶圆表面处理方法包括：使用第一溶液对所述晶圆进行第一次清洗；使用第二溶液对所述晶圆进行第二次清洗，以得到清洗后的晶圆，所述清洗后的晶圆表面接触角为70～90度；其中，所述第一溶液包括体积比为（1～50）：1的氨水和双氧水的混合溶液；所述第二溶液包括体积比为(2.2～6.3)：1的硫酸和双氧水的混合溶液。基于本发明专利技术可保证光刻胶的稳定性和支撑性，避免了在该黄光制程中光刻胶出现线宽倒塌的问题。

The invention relates to a wafer surface treatment method and a surface treatment device

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆表面处理方法和表面处理装置
本专利技术属于集成电路
，特别是涉及一种晶圆表面处理方法和表面处理装置。
技术介绍
黄光制程是通过对涂覆在晶圆（Wafer），例如硅晶片表面的光敏性物质，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后通过刻蚀液进行刻蚀脱模并最终获得永久性图形的过程。目前，随着制程节点线宽越作越小的情况，例如在55nm或以下的先进制程中，晶圆表面的性质对于黄光制程条件越趋重要，晶圆在经过常规的清洗，晶圆表面往往呈较强的亲水性，其易使得后续的黄光制程中出现光阻线宽倒塌（Peeling）的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶圆表面处理方法和清洗装置，本专利技术的表面处理方法改善了晶圆表面的表面特性，使其在适用于黄光制程时，与光刻胶之间形成较强的键合力，从而保证了光刻胶的稳定性和支撑性，避免了在该黄光制程中光刻胶出现线宽倒塌的问题。为实现上述目的，本专利技术是通过以下的技术方案实现的：本专利技术提供了一种晶圆表面处理方法，其包括：使用第一溶液对所述晶圆进行第一次清洗；使用第二溶液对所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆表面处理方法，其特征在于，其包括：/n使用第一溶液对所述晶圆进行第一次清洗；/n使用第二溶液对所述晶圆进行第二次清洗，以得到清洗后的晶圆，所述清洗后的晶圆表面接触角为70～90度；/n其中，所述第一溶液包括体积比为（1～50）：1的氨水和双氧水的混合溶液；/n所述第二溶液包括体积比为(2.2～6.3)：1的硫酸和双氧水的混合溶液。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面处理方法，其特征在于，其包括：
使用第一溶液对所述晶圆进行第一次清洗；
使用第二溶液对所述晶圆进行第二次清洗，以得到清洗后的晶圆，所述清洗后的晶圆表面接触角为70～90度；
其中，所述第一溶液包括体积比为（1～50）：1的氨水和双氧水的混合溶液；
所述第二溶液包括体积比为(2.2～6.3)：1的硫酸和双氧水的混合溶液。


2.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述第一次清洗和/或所述第二次清洗步骤采用超声波清洗，所述超声频率为500～2000kHz。


3.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述第一次清洗的温度为150～190℃，时间为500～1200秒。


4.根据权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述第二次清洗的温度为80～150℃，时间为500～1200秒。


5.如权利要求1所述的晶圆表面处理方法，其特征在于，所述晶圆表面处理方法还包括对所述清洗后的晶圆进行干燥的步骤，所述干燥的步...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏玮，杨子亿，
申请(专利权)人：晶芯成北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11