砷化镓半导体晶片微缺陷改善外延层橄榄球缺陷的方法技术

本发明专利技术公开了一种基于砷化镓半导体晶片微缺陷改善外延层中橄榄球缺陷的方法，尤其是半绝缘砷化镓半导体晶片，通过化学机械抛光和清洗方法，可以改善砷化镓微缺陷对外延层中橄榄球状缺陷的影响。

Method of improving Rugby defect in epitaxial layer by micro defect of GaAs semiconductor wafer

【技术实现步骤摘要】
砷化镓半导体晶片微缺陷改善外延层橄榄球缺陷的方法
本专利技术属于半导体领域，特别涉及一种基于砷化镓半导体晶片微缺陷对其外延层橄榄球缺陷影响的方法，及该方法使用的化学腐蚀液。
技术介绍
砷化镓（GaAs）是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一。砷化镓的电子迁移率比硅高5倍，其器件的运算速率也比硅高得多，使其再信息处理和信息传递等领域有独特的应用。砷化镓不但具有高迁移率，而且有半绝缘特性，可设计高频、高速、低噪声、低功耗的器件或集成电路；如金属半导体场效应晶体管（MESFET）、高迁移率晶体管（HEMT）、微波单片集成电路（MMIC）、双异质结双极晶体管（HBT）、微波&毫米波集成电路的超高速集成电路。另外，苹果iPhoneX手机的结构光人脸识别功能，带动砷化镓基垂直腔面发射激光器（VCSEL）及高阶通讯元件需求大增。砷化镓基VCSEL还广泛应用于5G、人工智能、物联网、数据中心、云计算、自动驾驶等领域。尤其是SI-GaAs砷化镓是理想的衬底材料。目前用于砷化镓外延薄膜生长方法主要是有机化学气相沉积（MOCVD），MOCVD生长方法具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种砷化镓半导体晶片微缺陷改善外延层橄榄球缺陷的方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）用化学机械抛光方法把砷化镓半导体晶片加工成镜面，用四甲基氢氧化铵、表面活性剂和水混合物化学机械抛光砷化镓半导体晶片；（2）用去离子水冲洗化学机械抛光后晶片；（3）用离心力旋转对抛光晶片干燥；（4）用四甲基氢氧化铵、表面活性剂和水的混合物清洗半导体晶片；（5）用去离子水冲洗晶片；（6）用连续多步的四甲基氢氧化铵、表面活性剂和水的混合物清洗处理晶片；（7）再次用去离子水冲洗晶片；（8）再次用离心式旋转使得到晶片的干燥；其中所述四甲基氢氧化铵、表面活性剂和水的混合物中，按照体积百分计算，四甲基氢氧化铵的含量为0...

【技术特征摘要】
1.一种砷化镓半导体晶片微缺陷改善外延层橄榄球缺陷的方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）用化学机械抛光方法把砷化镓半导体晶片加工成镜面，用四甲基氢氧化铵、表面活性剂和水混合物化学机械抛光砷化镓半导体晶片；（2）用去离子水冲洗化学机械抛光后晶片；（3）用离心力旋转对抛光晶片干燥；（4）用四甲基氢氧化铵、表面活性剂和水的混合物清洗半导体晶片；（5）用去离子水冲洗晶片；（6）用连续多步的四甲基氢氧化铵、表面活性剂和水的混合物清洗处理晶片；（7）再次用去离子水冲洗晶片；（8）再次用离心式旋转使得到晶片的干燥；其中所述四甲基氢氧化铵、表面活性剂和水的混合物中，按照体积百分计算，四甲基氢氧化铵的含量为0.1-20%和表面活性剂的含量为0.1-5%。


2.根据权利要求1所述的砷化镓半导体晶片微缺陷改善外延层橄榄球缺陷的方法，其特征在于：所述步骤（1）在2-20℃的温度下进行处理时间为1-10分钟。


3.根据权利要求1所述的砷化镓半导体晶片微...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈基生，
申请(专利权)人：厦门中芯晶研半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35