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本发明公开了一种基于砷化镓半导体晶片微缺陷改善外延层中橄榄球缺陷的方法，尤其是半绝缘砷化镓半导体晶片，通过化学机械抛光和清洗方法，可以改善砷化镓微缺陷对外延层中橄榄球状缺陷的影响。...
该专利属于厦门中芯晶研半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门中芯晶研半导体有限公司授权不得商用。

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