低压CMOS器件的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种低压CMOS器件的制作方法，包括以下步骤：在半导体基片上形成衬底区；在半导体基片上制作STI；在衬底区的上表面制作闸极；在半导体基片的上表面设置光胶，以形成透射区和阻挡区，透射区与低压阱的位置相对应；低能量注入第一掺杂离子，以在衬底区形成表面超导层；大角度注入第二掺杂离子，以在衬底区形成低压LDD晕环；高能量注入第二掺杂离子，使第二掺杂离子穿透闸极和STI，以在衬底区形成低压阱。本发明专利技术采用Halo注入结合高能注入，使用同一光罩实现低压阱和LDD晕环的制作，减少了光罩的数量，节省了成本。

Fabrication of low voltage CMOS devices

【技术实现步骤摘要】
低压CMOS器件的制作方法
本专利技术属于半导体器件制造
，尤其涉及一种低压CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)器件的制作方法。
技术介绍
Halo注入(晕环注入，一种半导体器件制造工艺)广泛应用于0.18微米低压(例如，1.8伏)CMOS器件的制作，主要原理是在LDD(轻掺杂漏区)注入中加入相反类型的掺杂以抑制短沟道效应。在采用Halo注入工艺制作低压CMOS器件的过程中，以图1所示的低压CMOS器件为例，为了制作低压p阱101和第一LDD晕环103，需要分别设置相对应的光罩。同样地，为了制作低压n阱102和第二LDD晕环104，也需要分别设置对应的光罩。图2-6示出了制造图1所示的低压CMOS器件的部分结构的制作流程。如图2所示，在半导体基片上形成p型衬底11，并制作STI(浅沟槽隔离)12。然后，如图3所示，沿箭头所示方向向p型衬底中注入杂质离子，形成低压p阱101。其中第一光胶13用于阻挡硼注入。该步骤需要设置阱光罩。然后，如图4所示，形成氧化层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低压CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n在半导体基片上形成衬底区；/n在所述半导体基片上制作STI；/n在所述衬底区的上表面制作闸极；/n在所述半导体基片的上表面设置光胶，以形成透射区和阻挡区，所述透射区与低压阱的位置相对应；/n低能量注入第一掺杂离子，以在所述衬底区形成表面超导层；/n大角度注入第二掺杂离子，以在所述衬底区形成低压LDD晕环；/n高能量注入所述第二掺杂离子，使所述第二掺杂离子穿透所述闸极和所述STI，以在所述衬底区形成所述低压阱。/n

【技术特征摘要】
1.一种低压CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在半导体基片上形成衬底区；
在所述半导体基片上制作STI；
在所述衬底区的上表面制作闸极；
在所述半导体基片的上表面设置光胶，以形成透射区和阻挡区，所述透射区与低压阱的位置相对应；
低能量注入第一掺杂离子，以在所述衬底区形成表面超导层；
大角度注入第二掺杂离子，以在所述衬底区形成低压LDD晕环；
高能量注入所述第二掺杂离子，使所述第二掺杂离子穿透所述闸极和所述STI，以在所述衬底区形成所述低压阱。


2.如权利要求1所述的低压CMOS器件的制作方法，其特征在于，所述光胶的厚度与所述低压阱的深度相适应。


3.如权利要求1所述的低压CMOS器件的制作方法，其特征在于，所述第二掺杂离子为硼离子。


4.如权利要求3所述的低压CMOS器件的制作方法，其特征在于，在所述大角度注入第二掺杂离子的步骤中，所述第二掺杂离子的掺杂浓度为1.8E1...

【专利技术属性】
技术研发人员：林威，刘建华，吴晓丽，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31