温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种低压CMOS器件的制作方法，包括以下步骤：在半导体基片上形成衬底区；在半导体基片上制作STI；在衬底区的上表面制作闸极；在半导体基片的上表面设置光胶，以形成透射区和阻挡区，透射区与低压阱的位置相对应；低能量注入第一掺杂离子，...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。