耦合半导体试验装置和被试验半导体装置的接口电路制造方法及图纸

该接口电路（２０）具有ｎ个缓冲电路（２３．１～２３．ｎ）、在从测试器１向ｎ个ＤＵＴ（２７．１～２７．ｎ）提供信号时，连接测试器１的外部插头１４和ｎ个缓冲电路（２３．１～２３．ｎ）的输入节点，同时将ｎ个缓冲电路（２３．１～２３．ｎ）的输出节点分别连接到ｎ个ＤＵＴ（２７．１～２７．ｎ），在测定ｎ个ＤＵＴ（２７．１～２７．ｎ）的电压－电流特性时，将ｎ个ＤＵＴ（２７．１～２７．ｎ）逐个依次与测试器（１）的外部插头（１４）连接规定时间的开关组（２２、２３．１～２３．ｎ、２４．１～２４．ｎ、２５．１～２５．ｎ）。从而，可以使测试器（１）的同时测试个数成为ｎ倍，可以降低成本和提高测试精度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及接口电路，特别是涉及耦合半导体试验装置和被试验半导体装置的接口电路。
技术介绍
以前，在半导体集成电路装置(以下，称为LSI)领域中，在出厂前测试各LSI是否正常，只出厂正常的LSI。该测试中，多个LSI与1台半导体试验装置(以下，称为测试器)连接。通常，LSI的1个外部端子与测试器的1个外部插头连接，例如从测试器的外部插头对LSI的外部端子提供信号。另外，还有为了削减LSI的测试成本而将测试器的输出插头与LSI并列连接的方法(例如参考特开2002-189058号公报)。但是，仅仅是将测试器的输出插头只与多个LSI并列连接，会产生测试器的输出阻抗不匹配，导致输出信号的波形品质恶化、和测试器的输出电流不能均等地分配给多个LSI，不能正确进行测试。近年，随着处理技术的进步，在现有的高电源电压品种的LSI之外，还增加了低电源电压品种的LSI。但是，若用测试高电源电压品种的LSI的测试器测试低电源电压品种的LSI，则由于输出电压的分辨精度差，不能进行测试。因此，另外需要电压精度高的测试器，测试成本变高。另外，LSI向低耗电化发展，随之LSI的输出电流被抑制，LSI的输出阻抗本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耦合半导体试验装置和多个被试验半导体装置的接口电路，具有多个缓冲电路，分别与所述多个被试验半导体装置对应设置，它们的输入节点相互连接，各缓冲电路将所述半导体试验装置的输出信号传送给对应的被试验半导体装置；所述半导体试验装置具有： 信号发生电路，生成经所述多个缓冲电路提供给所述多个被试验半导体装置的信号；测定电路，测定各被试验半导体装置的电压－电流特性；测试端子；以及切换电路，在第１模式时耦合所述信号发生电路和所述测试端子，在第２模式时 耦合所述测定电路和所述测试端子；所述接口电路还具有：第１开关元件，其一电极与所述...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杉本胜，船仓辉彦，长泽秀和，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]