边耦合半导体激光器的制造方法技术

边耦合半导体激光器的制造方法，在n型磷化铟衬底材料上外延生长n型缓冲层；1）在外延n型缓冲层表面生长一层二氧化硅；2）用全息曝光将光栅制作到半导体表面沉积的二氧化硅中；3）生长二氧化硅绝缘层并在脊条顶部开出窗口并制作电极；其量子阱材是InP/InGaAsP材料或InP/AlGaInA材料体系。激光器激射波长在1250-1700纳米之间。本发明专利技术使用普通全息曝光技术，制作出具有均匀一级光栅的边耦合半导体激光器。成本低且质量高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
边耦合半导体激光器的制造方法，其特征是在n型磷化铟衬底材料上外延生长n型缓冲层；1）在外延n型缓冲层表面生长一层二氧化硅；2）用全息曝光将光栅制作到半导体表面沉积的二氧化硅中：先用全息曝光的方式在光刻胶上曝光显影出光栅图形；然后用湿法或干法刻蚀，将光栅从光刻胶转移到二氧化硅层并去除残余光刻胶）；之后用光刻方式在光刻胶上形成脊条波导；随后用湿法或干法刻蚀去掉未被光刻胶掩盖的脊条外二氧化硅，并暴露出将被大范围刻蚀的半导体表面；在不去掉光刻胶的情况下，使用纯氧气干法刻蚀，去掉一定厚度的侧壁光刻胶，之前被光刻胶遮盖的部分二氧化硅光栅图形暴露在外；此时形成由两层材料构成的掩膜版：光刻胶部分，掩盖脊条中心...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李静思，李思敏，
申请(专利权)人：南京威宁锐克信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：