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边耦合半导体激光器的制造方法，在n型磷化铟衬底材料上外延生长n型缓冲层；1）在外延n型缓冲层表面生长一层二氧化硅；2）用全息曝光将光栅制作到半导体表面沉积的二氧化硅中；3）生长二氧化硅绝缘层并在脊条顶部开出窗口并制作电极；其量子阱材是InP...
该专利属于南京威宁锐克信息技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京威宁锐克信息技术有限公司授权不得商用。

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