脊型半导体激光器以及脊型半导体激光器的制造方法技术

脊型半导体激光器301是在化合物AlGaInAs的活性层14的一侧依次层积化合物AlInAs的载体终止层16、化合物AlGaInAs的包层17、化合物InGaAsP的蚀刻终止层18，在蚀刻终止层18的包层17侧的相反侧设置脊波导40的半导体激光器，该脊波导40包含在化合物InP的层中由化合物InGaAsP形成的衍射光栅20’。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及的脊型半导体激光器的制造方法的特征在于，在所述AlGaInAs层的层积后、所述第一 InGaAsP层的层积前，在AsH3气体气氛中使温度降低。由于化合物AlGaInAs中V族元素为I种(仅有As)，为了保护AlGaInAs层的生长表面，可以仅在AsH3气体的气氛中降低生长温度。即，可以在不考虑气体的分解效率的情况下保护AlGaInAs层的生长表面。本专利技术涉及的脊型半导体激光器的制造方法的特征在于，所述第一 InGaAsP层的层积温度比所述活性层的层积温度低X°c (30 < X < 70)。专利技术效果本专利技术能够提供具有能改善制造中衍射光栅形成的再现性并且防止蚀刻终止层的结晶品质劣化的构造的。附图说明图I是说明本专利技术涉及的脊型半导体激光器的制造方法的图。(I)是第一工序，外延生长工序，(2)是第二工序，衍生光栅形成工序，(3)是第三工序，InP包层和InGaAs接触层生长工序，(4)是第四工序，脊波导形成工序，(5)是第五工序，绝缘膜和电极膜形成工序。具体实施例方式下面具体地示出实施方案而详细说明本专利技术，但是本申请的专利技术不解释为限定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：幸前笃郎，大手康义，浅冈淳一，平位谦司，横山弘，
申请(专利权)人：NTT电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：