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脊型半导体激光器301是在化合物AlGaInAs的活性层14的一侧依次层积化合物AlInAs的载体终止层16、化合物AlGaInAs的包层17、化合物InGaAsP的蚀刻终止层18，在蚀刻终止层18的包层17侧的相反侧设置脊波导40的半导体...
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