基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器制造技术

一种基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器，包括：一缓冲层；一下波导层，该下波导层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下包层上；一光栅层，该光栅层制作在多量子阱有源层上；一上波导层，该上波导层制作在光栅层上；一包层，该包层制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在包层上；一P电极，该P电极制作在接触层上；一N电极，该N电极制作在缓冲层的背面。本发明专利技术可以克服外部反射光对激光器内部的影响，压窄激光线宽，增加激光器的频率稳定性和增大输出功率的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别涉及一种基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器。
技术介绍
窄线宽半导体激光器具有非常重要的应用价值。(I)在前沿科学研究方面，可用于高精度光谱测量、量子/原子频标等领域；(2)在国防安全领域可用于激光雷达系统、激光通信、光电对抗、光电导航等；(3)在物联网领域、高速通信领域，高稳定度窄线宽激光器是光纤高灵敏度光纤传感系统和相干光通信系统的核心器件。半导体激光器相比于光纤激光器和YAG激光器具有可靠性高、寿命长、能耗低、体积小等优点，非常有益于在上述领域中的应用。半导体激光器相比于光纤激光器和YAG激光器具有可靠性高、寿命长、能耗低、体积小等优点，非常有益于在上述领域中的应用。传统的窄线宽半导体激光器主要包括:法布里-珀罗(F-P)腔半导体激光器、分布反馈半导体激光器(DFB)、分布布拉格反射半导体激光器(DBR)和外腔半导体激光器(ECDL)。其中，普通结构的法布里-珀罗(F-P)腔半导体激光器中，利用解理而成的两个面构成谐振腔，简单易做，然而这类激光器仅能在直流驱动下实现静态单纵模工作，而在高速调制下不能保证单纵模工作，增益峰值、振荡模式本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器，包括：一缓冲层；一下波导层，该下波导层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下包层上；一光栅层，该光栅层制作在多量子阱有源层上；一上波导层，该上波导层制作在光栅层上；一包层，该包层制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在包层上；一P电极，该P电极制作在接触层上；一N电极，该N电极制作在缓冲层的背面。

【技术特征摘要】
1.一种基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器,包括:一缓冲层；一下波导层，该下波导层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下包层上；一光栅层，该光栅层制作在多量子阱有源层上；一上波导层，该上波导层制作在光栅层上；一包层，该包层制作在上波导层上；一接触层，该接触层制作在包层上；一 P电极，该P电极制作在接触层上；一 N电极，该N电极制作在缓冲层的背面。2.根据权利要求1所述的基于非对称相移光栅的窄线宽DFB半导体激光器，其中该缓冲层的材料为选择II1-V族化合物半导体材料、I1-VI族化合物半导体材料、IV-VI族化合物半导体材料或四元化合物半导体材料。3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建国，郭锦锦，黄宁博，孙文惠，邓晔，祝宁华，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：