短小光波导芯片的测量方法技术

一种短小光波导芯片的测量方法，是使用由激光器、输入透镜光纤、芯片、凸透镜、显示屏、输出透镜光纤和探测设备组成的设备进行的测量，包括：首先对经解理露出了波导端面的芯片用粘合剂粘在一段反光的材料上；在芯片的输入端采用输入透镜光纤引入光信号，芯片的输入端位于输入透镜光纤输出光最强点的位置，从芯片输出的光信号经凸透镜成像于显示屏，通过成像光斑判断芯片的通光情况并找出凸透镜的最佳位置点；把输出透镜光纤置于所述凸透镜的最佳成像点处以使接受到的芯片输出信号最强，该信号经光纤传输到探测设备，由此得到芯片的传输谱及波导损耗特性；完成芯片的测量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光波导芯片的测量方法，尤其是一种能够快速找出短小芯片输出光信号的最强位置、排除杂散信号干扰的测量方法。
技术介绍
随着微纳米加工技术的不断进步，光波导芯片的尺寸也逐渐由厘米、毫米向微米量级过度，因为波长尺度的光波导有着独特的性质。以SOI(Silicon-on-insulator)材料为例，当SOI光波导的横截面尺寸与单模光纤的孔径相当时，实现900光路弯曲的波导长度长达几千微米，但是，如果是深刻蚀的SOI纳米线波导或者光子晶体波导，其横截面尺寸为几百纳米，但实现900弯曲的波导长度仅需几微米。可见，光波导器件的小型化有利于实现大规模的芯片集成，且芯片的总体损耗也更低。但是，由此衍生出来的问题是芯片测试难度的加大。这是因为，光波导的横截面与光纤端面差异巨大，由此引起的耦合损耗大于30dB，而且，微米尺度的芯片使测试时直接找到最佳光信号的输出位置也十分困难。芯片测试前首先需要解理、使波导端面从芯片两端露出而方便测量。常规的解理方法是，首先使衬底减薄至100微米左右，再从正面直接解理。这种方法有两个缺点，一是解理位置由于人为操作原因可能存在很大偏差，而一旦有偏差再次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种短小光波导芯片的测量方法，该测量方法是使用由激光器、输入透镜光纤、芯片、凸透镜、显示屏、输出透镜光纤和探测设备组成的设备进行的测量，其特征在于，包括如下步骤：（１）首先对经解理露出了波导端面的芯片用粘合剂粘在一段反光的材料上；　 　（２）在芯片的输入端采用输入透镜光纤引入光信号，芯片的输入端位于输入透镜光纤输出光最强点的位置，从芯片输出的光信号经凸透镜成像于显示屏，通过成像光斑判断芯片的通光情况并找出凸透镜的最佳位置点；（３）之后把输出透镜光纤置于所述凸 透镜的最佳成像点处以使接受到的芯片输出信号最强，该信号经光纤传输到探测设备，由此得到芯片的传输谱及波...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：余和军，余金中，邢波，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]