封装基板及其制法制造技术

一种封装基板及其制法，形成止挡层于一核心层上，并形成贯穿该核心层的通孔，接着形成导电结构于该通孔中，再移除该止挡层，之后形成线路层于该核心层与该导电结构上，从而,经由该止挡层的设计，以利控制该导电结构的高度，并制作出所需的细线宽/线距的线路层。

【技术实现步骤摘要】
封装基板及其制法
本专利技术有关一种基板结构，尤指一种具有导通孔的封装基板及其制法。
技术介绍
为符合半导体封装件轻薄短小、多功能、高速度、高线路密度及高频化的开发方向，封装基板已朝向细线路及小孔径发展。现有封装基板制程已从传统100微米(μm)的线路尺寸缩减至30微米以下。图1A至图1H为现有封装基板1的制法的剖面示意图。如图1A所示，提供一核心板10，其相对两表面10a,10b具有第一金属层11a。如图1B所示，于该核心板10及第一金属层11a中形成至少一通孔(through-hole)100，再于该通孔100的孔壁及第一金属层11a上形成铜质导电层(seedlayer)12。如图1C所示，于该第一金属层11a上的导电层12上形成第二金属层11b，并于该通孔100中的导电层12上形成导电通孔11c。如图1D所示，于该通孔100的剩余空间中形成导电或不导电的塞孔材料15。如图1E所示，于各该第二金属层11b上及导电通孔11c上形成一金属盖层11d。如图1F所示，于各该金属盖层11d上形成一阻层14，并于该些阻层14中形成多个开口区140，以露出部分金属盖层11d。如图1G所示，蚀刻移除该开口区140中的金属盖层11d、第二金属层11b、导电层12及第一金属层11a，以令该阻层14下的金属盖层11d、第二金属层11b、导电层12及第一金属层11a作为线路层13。如图1H所示，移除该阻层14，以露出该线路层13，进而制得封装基板1。然而，现有封装基板1的制法采用减成蚀刻法(substractive)制作该线路层13，因需蚀刻极厚的金属材(金属盖层11d、第二金属层11b、导电层12及第一金属层11a)，故需使用大量的蚀刻液，导致该封装基板1的制作成本大幅增加。此外，蚀刻液会产生侧蚀底切现象(如图1F所示的锥状线路层13)，致使无法制作线宽更小的线路层13，故该线路层13的线宽/线距的最小化仅为25/25微米(μm)，因而难以符合未来对于细线宽/线距的需求。因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成为目前业界亟待克服的难题。
技术实现思路
有鉴于上述现有技术的缺失，本专利技术提供一种封装基板及其制法，以利控制导电结构的高度，并制作出所需的细线宽/线距的线路层。本专利技术的封装基板的制法，包括：形成一材质为惰性金属的止挡层于一核心层上；形成至少一贯穿该止挡层与该核心层的通孔；形成导电结构于该通孔中；移除位于该核心层上的该止挡层；以及形成线路层于该核心层与该导电结构上，使该线路层电性连接该导电结构。本专利技术还提供一种封装基板的制法，包括：形成至少一贯穿一核心层的通孔；形成一材质为惰性金属的止挡层于该核心层与该通孔的孔壁上；形成导电结构于该通孔中；移除位于该核心层上的该止挡层；以及形成线路层于该核心层与该导电结构上，使该线路层电性连接该导电结构。前述的制法中，构成该止挡层的材质包含镍、钯及/或金。前述的制法中，该导电结构的制程包含先形成金属材于该通孔中，再将填充材形成于该通孔剩余空间中。例如，该填充材为绝缘材。进一步，该导电结构的制程还包含形成该金属材于该止挡层上方，且于形成该填充材后，移除位于该止挡层上方的金属材，使该止挡层呈外露状态。前述的制法中，该止挡层的移除以化学剥离方式为之。前述的制法中，还包括于形成该止挡层与该通孔之前，先形成第一金属层于该核心层上，且移除位于该核心层上的该止挡层后，外露出该第一金属层。例如，该线路层的制程包含：形成导电层于该第一金属层与该导电结构上；形成阻层于该导电层上，且该阻层形成有多个图案化开口；形成第二金属层于该图案化开口中；以及移除该阻层及其下的该导电层与该第一金属层，以令该线路层包含该第二金属层及其下的该导电层与该第一金属层。本专利技术还提供一种封装基板，包括：核心层，其具有至少一通孔；导电结构，其形成于该通孔中，且该导电结构包含有接触结合该通孔的孔壁且材质为惰性金属的止挡层；以及线路层，其形成于该核心层上以电性连接该导电结构。前述的封装基板中，构成该止挡层的材质包含镍、钯及/或金。前述的封装基板中，该导电结构还包含有接触结合该止挡层的金属材。由上可知，本专利技术的封装基板及其制法，主要经由该止挡层的设计，以利于控制该导电结构的高度，并于移除该止挡层后，可制作出细线宽/线距(20/20微米以下)的线路层，故相较于现有技术，本专利技术的制法的成本低、产能高且量产性佳，并能符合未来对于细线宽/线距的需求。附图说明图1A至图1H为现有封装基板的制法的剖视示意图。图2A至图2H为本专利技术的封装基板的制法的第一实施例的剖视示意图。图3A至图3H为本专利技术的封装基板的制法的第二实施例的剖视示意图。主要组件符号说明1,2,3封装基板10核心板10a,10b,20a,20b表面100,210,300通孔11a,201第一金属层11b,231第二金属层11c导电通孔11d金属盖层12,230导电层13,23线路层14,24阻层140开口区15塞孔材料20核心板体200核心层200a,200b,21a表面21止挡层22,32导电结构22a,32a端部220金属材221填充材240图案化开口300a孔壁h高度差t厚度。具体实施方式以下经由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当视为本专利技术可实施的范畴。图2A至图2H为本专利技术的封装基板2的制法的第一实施例的剖视示意图。如图2A至图2B所示，提供一核心板体20，再形成至少一止挡层(stoplayer)21于该核心板体20上。在本实施例中，该核心板体20具有第一金属层201。例如，该核心板体20为铜箔基板(Coppercoatedlaminated，简称CCL)，其包含一核心层200，且于该核心层200的相对两表面200a,200b上形成有如铜箔的第一金属层201。具体地，形成该核心层200的材质采用含玻纤及有机树脂的基材，如BT(BismaleimideTriazine)、FR4或FR本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装基板的制法，其特征在于，包括：/n形成一材质为惰性金属的止挡层于一核心层上；/n形成至少一贯穿该止挡层与该核心层的通孔；/n形成导电结构于该通孔中；/n移除位于该核心层上的该止挡层；以及/n形成线路层于该核心层与该导电结构上，使该线路层电性连接该导电结构。/n

【技术特征摘要】
20190118 TW 1081020161.一种封装基板的制法，其特征在于，包括：
形成一材质为惰性金属的止挡层于一核心层上；
形成至少一贯穿该止挡层与该核心层的通孔；
形成导电结构于该通孔中；
移除位于该核心层上的该止挡层；以及
形成线路层于该核心层与该导电结构上，使该线路层电性连接该导电结构。


2.一种封装基板的制法，其特征在于，包括：
形成至少一贯穿一核心层的通孔；
形成一材质为惰性金属的止挡层于该核心层与该通孔的孔壁上；
形成导电结构于该通孔中；
移除位于该核心层上的该止挡层；以及
形成线路层于该核心层与该导电结构上，使该线路层电性连接该导电结构。


3.根据权利要求1或2中任一项所述的封装基板的制法，其特征在于，构成该止挡层的材质包含镍、钯及/或金。


4.根据权利要求1或2中任一项所述的封装基板的制法，其特征在于，该导电结构的制程包含先形成金属材于该通孔中，再将填充材形成于该通孔剩余空间中。


5.根据权利要求4所述的封装基板的制法，其特征在于，该填充材为绝缘材。


6.根据权利要求4所述的封装基板的制法，其特征在于，该导电结构的制程还包含形成该金属材于该止挡层上方，且于形成该填充材后，移除...

【专利技术属性】
技术研发人员：米轩皞，白裕呈，罗家麒，吴启睿，康政畬，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71