高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造方法。主要分两个步骤：第一步BOT面图形镍金电镀，第二步TOP面图形镍金电镀。BOT面图形镍金电镀时，需要通过导电孔与TOP面连接，在TOP面加上电流进行BOT面镍金电镀；TOP面镍金电镀时，需要通过导电孔与BOT面连接，在BOT面加上电流进行TOP面镍金电镀。本发明专利技术通过金厚的均匀性控制，TOP面图形镍金电镀层。金厚控制在1um+/‑0.02um。目的是在IC封装中，使金线与邦定面的镍金镀层更好的键合在一起，实现数据的稳定、快速和有效传输；另一方面，为达到欧盟环保要求提出的ROHS标准，IC封装后采用无铅焊锡贴片装到主板上。本专利制造方法对BOT面金厚的控制在0.15um到0.2um之间，对贴片的稳定性和可靠性具有重大的改善。

【技术实现步骤摘要】
高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造方法
本专利技术涉及电路封装基板制造
，涉及一种高频毫米波IC封装基板图形镍金镀层的制造方法。
技术介绍
随着无线通信技术由4G逐渐向5G在过渡，相关的电子产品和由网络技术构成的通讯设备同时也需要发生改变，众多大容量信息的高速处理对IC封装基板的性能要求也越来越高。生产出具有高频以及超高频的IC封装基板已然成为一种发展必然趋势，迫在眉睫。因此，在高频毫米波IC封装基板的制造过程中，相关产品的研发和生产细节，都需要不断的精细化，持续优化和改善制作方法。其中就包括本专利提到所述高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造方法等等。只有这样，才能提高产品封装的良品率，实现无铅焊锡贴片的可靠性和稳定性，真正实现产品性能上的重大突破。无论是在3G无线移动通信，还是目前的4G通信，传统的IC封装基板的制造工艺，还是有很多方面可以优化和提升的。尤其是在制造过程的细节方面，在数据指标控制方面，都有优化和改进的空间。从而真正做到提高产品良率和性能，同时降低研发和生产成本。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造方法，通过控制并制作均匀的30um导电膜附在图形表面，通过设计好的导电孔，将电流均匀合理的输送的需要电镀的金属面，最终形成质密、均匀性好的可控的镍金电镀层。一方面，TOP面图形镍金层电镀。金厚控制在1um+/-0.02um，主要是在下一步的IC封装过程中，使金线与邦定面镍金电镀层面更好的键合在一起，实现数据的快速有效传输；另一方面，为达到欧盟环保要求提出的ROHS标准，IC封装好后基本上采用无铅焊锡贴片装到主板上。那么本专利制造方法对BOT面金厚的控制在0.15um到0.2um之间，对贴片的稳定性和可靠性方面具有重大的改善。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：在已经完成蚀刻的TOP面图形和BOT面图形上分别制作30微英寸均匀的导电膜，分别对BOT面图形和TOP面图形进行镍金层的电镀。通过高精密的电镀整流机来对镍金层厚度的精确控制控制。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍：其中：图1为本专利技术实施工艺流程图；图2为本专利技术实施BOT面图形镍金电镀层制作的剖面示意图；图2标号说明：1、TOP面和BOT面终检的玻璃纤维和陶瓷粉等绝缘材料；2、连接TOP面图形和BOT面图形的导电孔；3、BOT面线路图形；4、TOP面线路图形；5、用于电镀时负责整个板面导通的30微英寸导电膜具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例请参考图1和图2，本专利技术的实施例为：一种高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造方法，包括以下步骤：Step1、在BOT面图形上贴一层保护胶，TOP面图形不贴保护胶；Step2、在TOP面制作一侧30um的钯铜导电膜；Step3、用保护胶保护TOP面导电膜，同时去除BOT面保护胶。通过精密整流机，在TOP面夹点位加上电流，电流由导电膜到导电孔，再到BOT面图形。电镀镍的电流密度为4.5ASF，电镀时间为70分钟；电镀金的电流密度为0.5ASF。电镀时间为8分钟。最后就可以得到均匀的镍层3um和金层0.15-0.2um厚度。这样的镍金层控制，确保下一步的贴片，既可以使用无铅焊锡，达到环保方面的要求，又可以解决传统贴片容易松动、接触不良等等问题。确保无铅焊锡贴片的稳定性和可靠性，充分发挥产品的高频性能；Step4、在BOT面面制作一侧30um的钯铜导电膜，用保护胶保护BOT面导电膜；Step5、去除TOP面保护胶和导电膜。通过精密整流机，在BOT面夹点位加上电流，电流由导电膜到导电孔，再到TOP面图形。电镀镍的电流密度为7.5ASF，电镀时间为70分钟；电镀金的电流密度为0.5ASF。电镀时间为47分钟。最后就可以得到均匀的镍层5um和金层1um厚度；Step6、去除BOT面保护胶和导电膜，完成对高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀层的制造。以上所述为本专利技术的实施过程以及工艺参数，凡是利用本专利技术说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的
，均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀的制造方法，其特征在于：TOP面和BOT面镍金电镀层的制作；/n根据高频IC对封装基板图形的性能要求，通过图形设计，制作精密干版，图形曝光显影，最后图形蚀刻，完成TOP面和BOT面图形。此时，同一层的IC邦定手指与手指之间，手指与板边之间都是开路的。上下层图形有金属导电孔实现连接。/n导通原理：通过TOP面上制作30微英寸的导电膜，把这一面图形全部接通，TOP面再通过金属导电孔，与BOT面需要电镀镍金的图形接通。用绝缘胶把TOP面整面保护好，在TOP面开几个可以加电流的接电孔，在TOP面加电流，对BOT面进行镍金电镀；反过来，进行TOP面镍金电镀时，也要现在BOT面上制作30微英寸的导电膜，原理也是一样的。电镀完镍金后，通过化学的方法，去除导电膜。最后在连接IC的邦定手指表面上(常称为TOP面)形成纯度很高很均匀的镍金层，镀层金厚1um+/-0.02um；同时要贴在主板上的那一面(常称为BOT面)也形成均匀性很高的镍金层。由于无铅焊锡对镀金层尤其是金厚要求极高，金厚要求0.15um到0.2um，才能有更好的可靠性和稳定性。/n

【技术特征摘要】
1.一种高频毫米波IC封装基板双面图形镍金电镀的制造方法，其特征在于：TOP面和BOT面镍金电镀层的制作；
根据高频IC对封装基板图形的性能要求，通过图形设计，制作精密干版，图形曝光显影，最后图形蚀刻，完成TOP面和BOT面图形。此时，同一层的IC邦定手指与手指之间，手指与板边之间都是开路的。上下层图形有金属导电孔实现连接。
导通原理：通过TOP面上制作30微英寸的导电膜，把这一面图形全部接通，TOP面再通过金属导电孔，与BOT面需要电镀镍金的图形接通。用绝缘胶把TOP面整面保护好，在TOP面开几个可以加电流的接电孔，在TOP面加电流，对BOT面进行镍金电镀；反过来，进行TOP面镍金电镀时，也要现在BOT面上制作30微英寸的导电膜，原理也是一样的。电镀完镍金后，通过化学的方法，去除导电膜。最后在连接IC的邦定手指表面上(常称为TOP面)形成纯度很高很均匀的镍金层，镀层金厚1um+/-0.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁甲，尤宁圻，
申请(专利权)人：美龙翔微电子科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44