具有使用激光烧蚀的部分EMI屏蔽去除的半导体器件制造技术

半导体器件具有基板。第一部件和第二部件设置在基板上方。第一部件包括天线。凸缘设置在基板上方的第一部件和第二部件之间。密封剂沉积在基板和凸缘上方。导电层形成在密封剂上方并与凸缘接触。使用激光烧蚀去除第一部件上方的导电层的第一部分。

【技术实现步骤摘要】
具有使用激光烧蚀的部分EMI屏蔽去除的半导体器件
本专利技术总体上涉及半导体器件，并且更特别地涉及半导体器件以及形成半导体器件的方法，所述半导体器件具有使用激光烧蚀部分地去除的电磁干扰（EMI）屏蔽层。
技术介绍
半导体器件通常存在于现代电子产品中。半导体器件执行各式各样的功能，诸如信号处理、高速计算、发射和接收电磁信号、控制电子设备、将太阳光转化为电力以及为电视显示器创建视觉图像。在通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费者产品的领域中存在半导体器件。半导体器件也存在于军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公装备中。半导体器件通常包括用于处理射频（RF）信号的一些电路。最近的技术进步允许使用系统级封装（SiP）技术与小尺寸、低高度、高时钟频率和良好便携性集成的高速数字和RF半导体封装。SiP器件包括一起集成在单个半导体封装中的多个半导体部件，例如，半导体管芯、半导体封装、集成无源器件和分立有源或无源电部件。图1图示了现有技术的SiP器件30。SiP器件30包括设置在PCB或其它基板32上的多个部件。基板32包括一个或多个绝缘层3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：/n提供基板；/n在所述基板上方设置第一部件和第二部件，其中所述第一部件包括天线；/n在所述基板上方在所述第一部件和所述第二部件之间设置凸缘；/n在所述基板和凸缘上方沉积密封剂；/n在所述密封剂上方并与所述凸缘接触来形成导电层；以及/n使用激光烧蚀去除所述第一部件上方的所述导电层的第一部分。/n

【技术特征摘要】
20181227 US 16/2341561.一种制造半导体器件的方法，包括：
提供基板；
在所述基板上方设置第一部件和第二部件，其中所述第一部件包括天线；
在所述基板上方在所述第一部件和所述第二部件之间设置凸缘；
在所述基板和凸缘上方沉积密封剂；
在所述密封剂上方并与所述凸缘接触来形成导电层；以及
使用激光烧蚀去除所述第一部件上方的所述导电层的第一部分。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括通过金属剥离去除在所述密封剂的第一部分上方的所述导电层的所述第一部分。


3.根据权利要求2所述的方法，还包括在金属剥离之后在所述密封剂的所述第一部分上方执行软激光烧蚀。


4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
使用第一激光器去除所述导电层的所述第一部分；以及
使用第二激光器去除所述导电层的第二部分。


5.根据权利要求1所述的方法，还包括：
去除在所述密封剂的第一表面上方的所述导电层的所述第一部分；
在去除所述导电层的所述第一部分之后旋转所述半导体器件；以及
在旋转所述半导体器件之后，去除在所述密封剂的第二表面上方的所述导电层的第二部分。


6.根据权利要求5所述的方法，还包括：
使用垂直于所述密封剂的第一表面定向的第一激光束从所述密封剂的所述第一表面去除所述导电层的所述第一部分；以及
使用平行于所述密封剂的第二表面并且垂直于所述密封剂的所述第一表面定...

【专利技术属性】
技术研发人员：金昌伍，KW邱，曹成源，BW蔡，JW李，
申请(专利权)人：新科金朋私人有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG