本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法与对应的半导体器件。半导体芯片被安装在引线框架上。用于半导体芯片的绝缘封装的第一部分由被模制到半导体芯片上的激光直接成型(LDS)材料来形成。传导性构造(通过激光钻孔LDS材料和镀制提供)在绝缘封装的第一部分的外表面与半导体芯片之间延伸。导电夹子被应用到绝缘封装的第一部分的外表面上，其中导电夹子被电耦合到传导性构造和引线框架。绝缘封装的第二部分由封装模制材料(环氧混合物)制成，其被模制到导电夹子上并且被应用到绝缘封装的第一部分的外表面上。
【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法与对应的半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月24日提交的序号为102018000020998的意大利专利申请的优先权权益，该申请的内容在法律允许的最大程度上通过整体引用并入于此。
本说明书涉及制造诸如集成电路(IC)的半导体器件。一个或多个实施例可以被应用到半导体封装，例如，QFN(四方扁平无引线)类型的半导体封装。使用QFN封装的用于在汽车、工业与消费领域中的功率IC(例如，所谓的“智能”功率IC)是实施例的示例性的可能应用领域。
技术介绍
例如，功率QFN电路可以使用利用软焊料附接的夹子(clip)。诸如铜夹的夹子可以被采用来替代常规的线接合互连件，其目的是促进降低电阻和电感，同时改进热学性能。针对某些器件类型“经定制”的夹子可以被直接安装在半导体焊盘上。在存在多个裸片(堆叠或并排)、或者在混合的封装还包括布线的情况下(诸如在智能功率技术应用中的用于栅极或触发功能的线接合，或者用于数字信号的线接合)，依靠该解决方案可能结果是复杂的。定制夹子可以表示封装成本的显著部分。一般的夹子已经被提出，但它们非常昂贵且组装复杂。并且，经由软焊料附接夹子可能结果是本质上“脏的”处理，该处理可能需要附加的清洁步骤。在本领域中存在克服常规解决方案的前述缺陷的需要。
技术实现思路
一个或多个实施例涉及半导体器件(例如，QFN功率封装)。一个或多个实施例包括：利用模制过程制造的夹子-QFN封装，包括：激光直接成型(LDS)被应用以密封组件(具有线、带、过孔等)，该组件具有用例如铜形成的定制叶片，在LDS激光照射接着电镀；标准的夹子(单一大小/形状)可以被焊接到顶部叶片、以及被焊接到引线框架。一个或多个实施例可以包括：在夹子焊接之后，用于密封封装的次级模制步骤。一个或多个实施例促进提供在基板设计中给予高度灵活性的功率QFN封装(例如，具有用于回蚀刻处理的布线设计的裸铜(Cu)条带)，同时还促进用以处置高功率等级的夹子的使用(例如，用于IGBT应用)。在一个或多个实施例中，夹子可以与封装腔体大小(LDS模制腔体)相对是标准的。在一个或多个实施例中，因为处理可以在已经被模制的封装上执行，所以夹子焊接的过程(甚至利用标准过程)将对流程没有影响。因为可以被应用于智能功率技术(例如，双极-CMOS-DMOS或BCD技术)，一个或多个实施例促进了通过依靠基于LDS方案的成本的减少。附图说明现在将参考附图仅通过示例的方式描述一个或多个实施例，其中：图1是根据本说明书的实施例的跨器件的横截面视图，图2是根据本说明书的实施例的例示了器件的某些部分的平面图，其中为了易于说明位于图1的II-II平面的上方的某些部分被移除，图3和图4是与图2的视图相似的另外视图，并且例示了根据本说明书的实施例的器件的某些部分，图5例示了本说明书的实施例到器件的多个条带的可能扩展，以及图6至图13例示了根据本说明书的实施例的方法中的步骤，其中图7A、图7B和图7C表示过孔的提供的细节，并且图9是以流程图的形式。具体实施方式在接下来的描述中，一个或多个具体细节被说明，其目的是提供本说明书的实施例的示例的深入理解。实施例可以在不具有一个或多个具体的细节的情况下，或是利用其他方法、部件、材料等，而被获取，。在其他情况下，已知的结构、材料或操作可以不被详细图示或描述，以便实施例的某些方面将不会被掩盖。在本说明书中对“实施例”或“一个实施例”的引用旨在指示与实施例相关描述的特定的配置、结构、或特点被包括在至少一个实施例中。因此，可以在本说明书的一个或多个地方存在的诸如“在实施例中”或“在一个实施例中”的短语不一定指代一个且相同的实施例。另外，特定的配置、结构、或特点可以在一个或多个实施例中以任何适当的方式组合。在本文中使用的引用仅出于方便而被提供，并且因此不限定保护的范围或实施例的范围。将以其他方式理解的是，本文中单独地或组合地结合附图的任何一个附图所讨论的细节和特征，不一定被限制为在如该附图中例示的实施例中使用；事实上，这样的细节和特征可以单独地或组合地被应用在附属于本文的附图中的任何其他附图所例示的实施例中。如前所述，功率QFN电路可以使用夹子(例如用软焊料附接)作为常规线接合互连件的替代，其目的是促进低电阻和电感，同时还改进热学性能。诸如美国专利号为7,663,211B2和8,049,312B2，以及美国专利申请公开号为2007/0114352A1和2008/0173991A1的美文档，是可能遭受如在前文中讨论的各种缺点的已知布置的示例，以上所有文档通过引用被并入本文。图1是根据本说明书的实施例的跨(例如，以集成电路或IC的形式的)器件10的横截面视图。如本文中例示的，器件10包括被布置在引线框架14的裸片焊盘部分140处的一个或多个半导体芯片或裸片12。用于(多个)芯片或(多个)裸片12的电连接线(例如，信号和功率)可以以如下方式被提供(例如，在芯片或裸片的前表面或顶表面处)：-经由线接合/带(ribbon)接合16、160(到引线框架14的外部分)和/或-经由柱凸(studbump)18和过孔20到用于夹子24的布线网络和叶片(paddle)22。如本文所例示的，夹子24在(多个)芯片或(多个)裸片12的前表面或顶表面的上方延伸，夹子24具有延伸部240，该延伸部促进到引线框架14的外部分的电(和机械)耦合。如先前所讨论的，通过诸如铜夹的夹子来替代(整体地或部分地)线接合/带接合互连件在本领域中是常规的，本文不必要对其提供更详细的描述。如在图1中例示的(单个)器件10还具有器件封装，包括：-第一封装材料261，其范围由虚线示出，第一封装材料261包括激光直接成型(LDS)材料，其被布置在介于引线框架14(具有(多个)芯片或(多个)裸片12)和夹子24(具有关联的叶片22)之间，使得过孔20(以及线接合16)延伸通过第一封装材料261；以及-第二封装材料262，包括常规封装材料(例如，环氧材料)，其通过在夹子24(与(多个)芯片或(多个)裸片12相对)之上、以及在引线框架14的外部分之上延伸来完成器件封装。如本领域技术人员众所周知的，激光直接成型(LDS)是在各种领域中被采用的技术，其可以涉及包含添加剂的树脂模制(例如，注塑模制)。激光束可以被应用到被模制部分的表面，以便将期望的图案转移到被模制部件的表面。然后，涉及诸如铜的金属的金属化处理(诸如无电镀制处理)可以被使用以在经激光处理的表面上镀制期望的传导性图案。LDS处理也已知以适合用于提供过孔或接触焊盘。在图2至图5中，与结合图1已经讨论了的部件或元件类似的部件或元件由类似的附图标记来指示，并且对应的描述将出于简洁而不被重复。本质上，图2例本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种方法，包括：/n将激光直接成型材料模制到至少一个半导体芯片上，所述至少一个半导体芯片被安装在引线框架上，经模制的所述激光直接成型材料提供用于所述至少一个半导体芯片的绝缘封装的至少一个部分，所述绝缘封装的所述至少一个部分具有外表面；/n提供至少一个导电构造，所述至少一个导电构造在所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面与所述至少一个半导体芯片之间延伸；以及/n将导电夹子应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面、以及所述至少一个导电构造的顶表面上，所述导电夹子被电耦合到所述至少一个导电构造并且电耦合到所述引线框架，其中所述至少一个半导体芯片被定位成介于所述引线框架和所述导电夹子之间。/n
【技术特征摘要】
20181224 IT 1020180000209981.一种方法，包括：
将激光直接成型材料模制到至少一个半导体芯片上，所述至少一个半导体芯片被安装在引线框架上，经模制的所述激光直接成型材料提供用于所述至少一个半导体芯片的绝缘封装的至少一个部分，所述绝缘封装的所述至少一个部分具有外表面；
提供至少一个导电构造，所述至少一个导电构造在所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面与所述至少一个半导体芯片之间延伸；以及
将导电夹子应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面、以及所述至少一个导电构造的顶表面上，所述导电夹子被电耦合到所述至少一个导电构造并且电耦合到所述引线框架，其中所述至少一个半导体芯片被定位成介于所述引线框架和所述导电夹子之间。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：将模制材料模制到所述导电夹子上，所述导电夹子被应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面上，所述模制材料提供针对所述至少一个半导体芯片的所述绝缘封装的至少一个另外部分。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述至少一个半导体芯片上提供至少一个接触柱凸，所述至少一个接触柱凸面向所述至少一个导电构造。
4.根据权利要求3所述的方法，其中提供所述至少一个导电构造包括：形成开口，所述开口延伸通过经模制的所述激光直接成型材料，以暴露所述至少一个接触柱凸，以及利用导电材料填充所述开口。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面处提供用于所述导电夹子的安装叶片。
6.根据权利要求5所述的方法，其中提供用于所述导电夹子的所述安装叶片包括：镀制所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面。
7.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述至少一个导电构造包括：
激光钻孔至少一个孔，所述至少一个孔延伸通过所述激光直接成型材料；以及
镀制所述至少一个孔的内壁。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过焊料焊或激光焊将所述导电夹子应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面上。
9.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·G·齐格利奥利，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利;IT
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