制造半导体器件的方法与对应的半导体器件技术

本公开的实施例涉及制造半导体器件的方法与对应的半导体器件。半导体芯片被安装在引线框架上。用于半导体芯片的绝缘封装的第一部分由被模制到半导体芯片上的激光直接成型(LDS)材料来形成。传导性构造(通过激光钻孔LDS材料和镀制提供)在绝缘封装的第一部分的外表面与半导体芯片之间延伸。导电夹子被应用到绝缘封装的第一部分的外表面上，其中导电夹子被电耦合到传导性构造和引线框架。绝缘封装的第二部分由封装模制材料(环氧混合物)制成，其被模制到导电夹子上并且被应用到绝缘封装的第一部分的外表面上。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法与对应的半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年12月24日提交的序号为102018000020998的意大利专利申请的优先权权益，该申请的内容在法律允许的最大程度上通过整体引用并入于此。
本说明书涉及制造诸如集成电路(IC)的半导体器件。一个或多个实施例可以被应用到半导体封装，例如，QFN(四方扁平无引线)类型的半导体封装。使用QFN封装的用于在汽车、工业与消费领域中的功率IC(例如，所谓的“智能”功率IC)是实施例的示例性的可能应用领域。
技术介绍
例如，功率QFN电路可以使用利用软焊料附接的夹子(clip)。诸如铜夹的夹子可以被采用来替代常规的线接合互连件，其目的是促进降低电阻和电感，同时改进热学性能。针对某些器件类型“经定制”的夹子可以被直接安装在半导体焊盘上。在存在多个裸片(堆叠或并排)、或者在混合的封装还包括布线的情况下(诸如在智能功率技术应用中的用于栅极或触发功能的线接合，或者用于数字信号的线接合)，依靠该解决方案可能结果是复杂的。定制夹本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，包括：/n将激光直接成型材料模制到至少一个半导体芯片上，所述至少一个半导体芯片被安装在引线框架上，经模制的所述激光直接成型材料提供用于所述至少一个半导体芯片的绝缘封装的至少一个部分，所述绝缘封装的所述至少一个部分具有外表面；/n提供至少一个导电构造，所述至少一个导电构造在所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面与所述至少一个半导体芯片之间延伸；以及/n将导电夹子应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面、以及所述至少一个导电构造的顶表面上，所述导电夹子被电耦合到所述至少一个导电构造并且电耦合到所述引线框架，其中所述至少一个半导体芯片被定位成介于所述引线框架和所述导电夹子之...

【技术特征摘要】
20181224 IT 1020180000209981.一种方法，包括：
将激光直接成型材料模制到至少一个半导体芯片上，所述至少一个半导体芯片被安装在引线框架上，经模制的所述激光直接成型材料提供用于所述至少一个半导体芯片的绝缘封装的至少一个部分，所述绝缘封装的所述至少一个部分具有外表面；
提供至少一个导电构造，所述至少一个导电构造在所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面与所述至少一个半导体芯片之间延伸；以及
将导电夹子应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面、以及所述至少一个导电构造的顶表面上，所述导电夹子被电耦合到所述至少一个导电构造并且电耦合到所述引线框架，其中所述至少一个半导体芯片被定位成介于所述引线框架和所述导电夹子之间。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：将模制材料模制到所述导电夹子上，所述导电夹子被应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面上，所述模制材料提供针对所述至少一个半导体芯片的所述绝缘封装的至少一个另外部分。


3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述至少一个半导体芯片上提供至少一个接触柱凸，所述至少一个接触柱凸面向所述至少一个导电构造。


4.根据权利要求3所述的方法，其中提供所述至少一个导电构造包括：形成开口，所述开口延伸通过经模制的所述激光直接成型材料，以暴露所述至少一个接触柱凸，以及利用导电材料填充所述开口。


5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面处提供用于所述导电夹子的安装叶片。


6.根据权利要求5所述的方法，其中提供用于所述导电夹子的所述安装叶片包括：镀制所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面。


7.根据权利要求1所述的方法，其中提供所述至少一个导电构造包括：
激光钻孔至少一个孔，所述至少一个孔延伸通过所述激光直接成型材料；以及
镀制所述至少一个孔的内壁。


8.根据权利要求1所述的方法，还包括：通过焊料焊或激光焊将所述导电夹子应用到所述绝缘封装的所述至少一个部分的所述外表面上。


9.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·G·齐格利奥利，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：意大利;IT