【技术实现步骤摘要】
一种芯片嵌入转接板凹槽制作方法
本专利技术涉及半导体
，更具体的说，它涉及一种芯片嵌入转接板凹槽制作方法。
技术介绍
毫米波射频技术在半导体行业发展迅速，其在高速数据通信、汽车雷达、机载导弹跟踪系统以及空间光谱检测和成像等领域都得到广泛应用，预计2018年市场达到11亿美元，成为新兴产业。新的应用对产品的电气性能、紧凑结构和系统可靠性提出了新的要求，对于无线发射和接收系统，目前还不能集成到同一颗芯片上(SOC)，因此需要把不同的芯片包括射频单元、滤波器、功率放大器等集成到一个独立的系统中实现发射和接收信号的功能。传统封装工艺把各种功能芯片和无源器件安装在基板上，占用面积大，可靠性差，不能满足封装系统越来越小型化的趋势，而基于标准硅工艺的三维异构封装技术(系统级封装SIP)运用TSV技术和空腔结构将不同衬底不同功能的芯片集成在一起，能在较小的区域内实现芯片的堆叠和互联，大大减小了功能件的面积并增加了其可靠性，越来越成为该产业未来发展的方向。基于空腔结构的三维异构技术，往往需要在空腔内埋置射频芯片，方便芯片...
【技术保护点】
1.一种芯片嵌入转接板凹槽制作方法，其特征在于，具体包括如下步骤：/n101)金属柱成型步骤：通过光刻、刻蚀工艺在载板上表面制作TSV孔，在载板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成绝缘层；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层，电镀金属，使金属充满TSV孔，形成金属柱，并在200到500度温度下密化金属柱，使金属柱更致密；通过CMP工艺使载板上表面金属去除，使载板上表面只剩下填充的金属；/n102)空腔制作步骤：对载板的背面进行减薄，减薄后的厚度在100nm到700um之间；其中减薄采用直接在载板背部进行减薄处理，或者用临时键合的工艺保护住载板设...
【技术特征摘要】
1.一种芯片嵌入转接板凹槽制作方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
101)金属柱成型步骤：通过光刻、刻蚀工艺在载板上表面制作TSV孔，在载板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成绝缘层；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层，电镀金属，使金属充满TSV孔，形成金属柱，并在200到500度温度下密化金属柱，使金属柱更致密；通过CMP工艺使载板上表面金属去除，使载板上表面只剩下填充的金属；
102)空腔制作步骤：对载板的背面进行减薄，减薄后的厚度在100nm到700um之间；其中减薄采用直接在载板背部进行减薄处理，或者用临时键合的工艺保护住载板设置TSV孔的一面，再用载片做支撑减薄载板背面；用干法刻蚀工艺在载板上表面设置TSV孔区域的表面进行干法刻蚀或湿法腐蚀出空腔；空腔的整体形状为方形、圆形、椭圆形或三角形，空腔的侧壁为垂直或倾斜设置；然后用湿法腐蚀工艺去除金属柱表面的绝缘层；
103)初次腐蚀处理步骤：在载板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成绝缘层；通过湿法腐蚀的工艺刻蚀载板上表面，使金属柱底部的绝缘层全部刻蚀去除，再继续通过湿法腐蚀的工艺对露出的铜柱进行腐蚀，并在在金属柱的...
【专利技术属性】
技术研发人员：郁发新，冯光建，王永河，马飞，程明芳，
申请(专利权)人：浙江集迈科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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