【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，特别是涉及一种用于贴装的多层布线转接板及其制备方法。
技术介绍
1、多层布线转接板是指在基材上用rdl（重布线层）布线的方式进行多层结构的设置，其中层与层之间用pi或者氧化硅等绝缘层进行隔离，rdl布线多用大马士革或者电镀方式制作。多层布线转接板最早是用前道工艺制作，包括纳米级铜大马士革工艺以及imd层的抛光工艺，这样做的好处是可以在硅上做出多层布线结构，且硅基板不会因为图形带来应力变形的问题。
2、但是在新的使用方式中，硅基转接板必须要有直接植球与pcb板进行贴装的能力，且植球的热回流过程往往涉及3~6次，因此必须在rdl顶层布线上面制作凸块下金属层（ubm层）才能防止溢锡。ubm是突出在钝化层的外面的，在后续的热压键合过程中，这一部分凸点顶在键合盘的表面，承受的单位压强大大高于其他无ubm的区域。因为硅基转接板的基材往往不超过300μm，且硅比较脆，因此在热压过程中往往会因为ubm的存在而碎裂。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于贴装的多层布线转接板，用于解决现有技术中多层布线转接板的结构中由于ubm结构带来的稳定性差的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术是通过包括如下技术方案实现的。
3、本专利技术第一方面提供一种用于贴装的多层布线转接板，包括基底、重新布线金属层、钝化层和ubm金属层；所述重新布线金属层形成于所述基底表面，且所述重新布线金属层上形成有用于
4、在一个具体的实施方式中，所述ubm金属层与所述重新布线金属层通过互联孔实现电连接。
5、在一个具体的实施方式中，ubm金属层包括连接的互联孔填充部和压边延伸部，所述压边延伸部的两端均延伸至所述钝化层上，且压边延伸部的顶面低于未覆盖有所述压边延伸部的所述钝化层的顶面。
6、在一个具体的实施方式中，所述重新布线金属层上形成有凹槽结构，所述互联孔形成于所述重新布线金属层的所述凹槽结构处。
7、在另一个具体的实施方式中，位于所述重新布线金属层上的所述钝化层形成有凹槽结构，所述互联孔形成于所述钝化层的所述凹槽结构处。
8、本专利技术第二方面还提供了一种用于贴装的多层布线转接板的制备方法，包括以下步骤：
9、提供基底；
10、于所述基底上形成重新布线金属层，所述重新布线金属层上形成有用于显露所述基底的通孔；
11、于所述重新布线金属层和所述基底的表面形成连续的钝化层，且所述钝化层上形成有显露所述重新布线金属层的互联孔；
12、于所述互联孔处形成ubm金属层，所述ubm金属层与所述重新布线金属层电导通，且所述ubm金属层相对于所述钝化层压边设置，且所述ubm金属层的顶面低于所述钝化层的最高顶面。
13、在一个实施方式中，所述重新布线金属层上形成有凹槽结构，所述互联孔形成于所述重新布线金属层的所述凹槽结构处。
14、在一个实施方式优选的实施例中，形成带有凹槽结构的重新布线金属层的方法为：先形成第一重新布线金属层，然后在所述第一重新布线金属层上形成图形化的第二重新布线金属层，以形成显露所述第一重新布线金属层的凹槽结构。
15、在另一个实施方式中，位于所述重新布线金属层上的所述钝化层形成有凹槽结构，所述互联孔形成于所述钝化层的所述凹槽结构处。
16、在另一个实施方式优选的实施例中，形成带有凹槽结构的所述钝化层的方法为：首先在所述重新布线金属层和所述基底上形成连续的第一钝化层，所述第一钝化层形成有用于显露所述重新布线金属层的互联孔；再在位于所述基底上的所述第一钝化层上形成第二钝化层，且所述第二钝化层的顶面高于所述第一钝化层的最高顶面，以在所述钝化层上形成与所述互联孔贯通的凹槽结构。
17、如上所述，本专利技术的一种用于贴装的多层布线转接板及其制备方法，具有以下有益效果：
18、本专利技术中技术方案通过在转接板上形成相对于钝化层凹陷的ubm结构，使ubm的金属面低于钝化层，这一结构的转接板在后续的热压键合过程中ubm区域不会承受压力，只需要考虑占晶圆表面巨大多数区域的钝化层承受的压强就能保证晶圆表面的压力均匀度，避免产品裂片。
19、同时，本申请中这一结构的转接板的其他优势在于，凹陷的ubm结构在制作过程中是嵌入到钝化层的，在工艺成本不变的条件下，实现了产品高压键合条件下减少裂片的效果。
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1.一种用于贴装的多层布线转接板，其特征在于，包括基底、重新布线金属层、钝化层和UBM金属层；所述重新布线金属层形成于所述基底表面，且所述重新布线金属层上形成有用于显露所述基底的通孔；所述钝化层连续覆盖在所述重新布线金属层和所述基底的表面，所述钝化层上形成有用于显露所述重新布线金属层的互联孔；所述UBM金属层在所述互联孔处嵌入所述钝化层中，所述UBM金属层相对于所述钝化层压边设置，且所述UBM金属层的顶面低于所述钝化层的最高顶面。
2.根据权利要求1所述的多层布线转接板，其特征在于，所述UBM金属层与所述重新布线金属层通过互联孔实现电连接。
3.根据权利要求1所述的多层布线转接板，其特征在于，UBM金属层包括连接的互联孔填充部和压边延伸部，所述压边延伸部的两端均延伸至所述钝化层上，且压边延伸部的顶面低于未覆盖有所述压边延伸部的所述钝化层的顶面。
4.根据权利要求1所述的多层布线转接板，其特征在于，所述重新布线金属层上形成有凹槽结构，所述互联孔形成于所述重新布线金属层的所述凹槽结构处。
5.根据权利要求1所述的多层布线转接板，其特征在
6.一种用于贴装的多层布线转接板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述重新布线金属层上形成有凹槽结构，所述互联孔形成于所述重新布线金属层的所述凹槽结构处。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，形成带有凹槽结构的重新布线金属层的方法为：先形成第一重新布线金属层，然后在所述第一重新布线金属层上形成图形化的第二重新布线金属层，以形成显露所述第一重新布线金属层的凹槽结构。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，位于所述重新布线金属层上的所述钝化层形成有凹槽结构，所述互联孔形成于所述钝化层的所述凹槽结构处。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，形成带有凹槽结构的所述钝化层的方法为：首先在所述重新布线金属层和所述基底上形成连续的第一钝化层，所述第一钝化层形成有用于显露所述重新布线金属层的互联孔；再在位于所述基底上的所述第一钝化层上形成第二钝化层，且所述第二钝化层的顶面高于所述第一钝化层的最高顶面，以在所述钝化层上形成与所述互联孔贯通的凹槽结构。
...【技术特征摘要】
1.一种用于贴装的多层布线转接板，其特征在于，包括基底、重新布线金属层、钝化层和ubm金属层；所述重新布线金属层形成于所述基底表面，且所述重新布线金属层上形成有用于显露所述基底的通孔；所述钝化层连续覆盖在所述重新布线金属层和所述基底的表面，所述钝化层上形成有用于显露所述重新布线金属层的互联孔；所述ubm金属层在所述互联孔处嵌入所述钝化层中，所述ubm金属层相对于所述钝化层压边设置，且所述ubm金属层的顶面低于所述钝化层的最高顶面。
2.根据权利要求1所述的多层布线转接板，其特征在于，所述ubm金属层与所述重新布线金属层通过互联孔实现电连接。
3.根据权利要求1所述的多层布线转接板，其特征在于，ubm金属层包括连接的互联孔填充部和压边延伸部，所述压边延伸部的两端均延伸至所述钝化层上，且压边延伸部的顶面低于未覆盖有所述压边延伸部的所述钝化层的顶面。
4.根据权利要求1所述的多层布线转接板，其特征在于，所述重新布线金属层上形成有凹槽结构，所述互联孔形成于所述重新布线金属层的所述凹槽结构处。
5.根据权利要求1所述的多层布线转接板，其特征在于，位于所述重新布线金属层上的所述钝化层形成有凹...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯光建，辛咪，戴正茂，程泽明，吴菁菁，
申请(专利权)人：浙江集迈科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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