一种六面包围嵌入式封装方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种六面包围嵌入式封装方法，包括以下步骤：A，在嵌入转接板制作TSV铜柱，减薄转接板另一面，露出铜柱底端；B，在转接板表面刻蚀空腔，腐蚀空腔内铜柱；C，空腔内嵌入芯片，在芯片与空腔的缝隙中间填充胶体固化，在芯片表面做RDL和焊盘；D，制作具有互联结构的封盖，把封盖跟转接板键合在一起，得到六面包覆的嵌入式封装结构。

An embedded encapsulation method with six facets

【技术实现步骤摘要】
一种六面包围嵌入式封装方法
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种六面包围嵌入式封装方法。
技术介绍
微波毫米波射频集成电路技术是现代国防武器装备和互联网产业的基础，随着智能通信、智能家居、智能物流、智能交通等“互联网+”经济的快速兴起，承担数据接入和传输功能的微波毫米波射频集成电路也存在巨大现实需求及潜在市场。但是对于高频率的微系统，天线阵列的面积越来越小，且天线之间的距离要保持在某个特定范围，才能使整个模组具备优良的通信能力。但是对于射频芯片这种模拟器件芯片来讲，其面积不能像数字芯片一样成倍率的缩小，这样就会出现特高频率的射频微系统将没有足够的面积同时放置PA/LNA，此处PA为PowerAmplifier(功率放大器)，LNA为LowNoiseAmplifier(低噪声放大器)，需要把PA/LNA堆叠起来。用于堆叠的模组一般先把PA/LNA嵌入到空腔中，然后在空腔的底部设置金属接地TSV，然后在芯片正面进行RDL(重布线层)布线把信号引出。但是对于表面有发射和接收功能的射频芯片来说，表面布线容易损伤芯片表面，且该表面裸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种六面包围嵌入式封装方法，其特征在于，包括以下步骤：/nA，在嵌入转接板制作TSV铜柱，减薄转接板另一面，露出铜柱底端；/nB，在转接板表面刻蚀空腔，腐蚀空腔内铜柱；/nC，空腔内嵌入芯片，在芯片与空腔的缝隙中间填充胶体固化，在芯片表面做RDL和焊盘；/nD，制作具有互联结构的封盖，把封盖跟转接板键合在一起，得到六面包覆的嵌入式封装结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种六面包围嵌入式封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
A，在嵌入转接板制作TSV铜柱，减薄转接板另一面，露出铜柱底端；
B，在转接板表面刻蚀空腔，腐蚀空腔内铜柱；
C，空腔内嵌入芯片，在芯片与空腔的缝隙中间填充胶体固化，在芯片表面做RDL和焊盘；
D，制作具有互联结构的封盖，把封盖跟转接板键合在一起，得到六面包覆的嵌入式封装结构。


2.如权利要求1所述的六面包围嵌入式封装方法，其特征在于，所述步骤A具体包括：
在硅片表面制作TSV孔，孔直径范围在1um到1000um，深度在10um到1000um；
在硅片上方沉积绝缘层，或者直接热氧化，绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层，种子层厚度范围在1nm到100um；
电镀铜，使铜金属充满TSV，200到500度温度下密化使铜更致密；铜CMP工艺使硅片表面铜去除，使硅片表面只剩下填铜；...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁发新，冯光建，王永河，马飞，程明芳，
申请(专利权)人：浙江集迈科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33