The invention discloses a chip embedding method of silicon cavity as carrier plate, which specifically includes the following steps: 101) preliminary processing step, 102) bonding step and 103) forming step; the invention provides a chip embedding method of silicon cavity as carrier board with convenient fabrication and simplified process, and filling the bottom of the chip.
【技术实现步骤摘要】
一种硅空腔做载板的芯片嵌入方法
本专利技术涉及半导体
，更具体的说，它涉及一种硅空腔做载板的芯片嵌入方法。
技术介绍
毫米波射频技术在半导体行业发展迅速，其在高速数据通信、汽车雷达、机载导弹跟踪系统以及空间光谱检测和成像等领域都得到广泛应用，预计2018年市场达到11亿美元，成为新兴产业。新的应用对产品的电气性能、紧凑结构和系统可靠性提出了新的要求，对于无线发射和接收系统，目前还不能集成到同一颗芯片上(SOC)，因此需要把不同的芯片包括射频单元、滤波器、功率放大器等集成到一个独立的系统中实现发射和接收信号的功能。目前把多种不同功能芯片通过贴片或者嵌入到转接板的工艺已经在业内成为热点，但是对于其中的空腔嵌入芯片工艺，因为空腔底部高度不一致，或者芯片较大，腔体面积较大，芯片跟空腔有接触，不能形成毛细导通，这样对于嵌入后的芯片做底部填充比较难。
技术实现思路
本专利技术克服了现有技术的不足，提供制作方便、工艺简化，对芯片底部进行填充的一种硅空腔做载板的芯片嵌入方法。本专利技术的技术方案如下...
【技术保护点】
1.一种硅空腔做载板的芯片嵌入方法，其特征在于，具体包括如下步骤：/n101)初步处理步骤：通过光刻和干法刻蚀工艺在上载板下表面刻蚀出空腔；/n在下载板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化，形成绝缘层；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；光刻定义出下载板上表面设置金属凸点的位置，电镀金属形成金属凸点，去除光刻胶和种子层；/n102)键合步骤：上载板、下载版通过直接键合和/或胶键合的工艺键合，减薄上载板上表面，并通过干法刻蚀工艺使空腔底部露出；/n103)成型步骤：在步骤102)的空腔表面沉积绝缘层，然后通过湿法腐蚀工艺去除部分绝缘层，使金属凸点露...
【技术特征摘要】
1.一种硅空腔做载板的芯片嵌入方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
101)初步处理步骤：通过光刻和干法刻蚀工艺在上载板下表面刻蚀出空腔；
在下载板上表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化，形成绝缘层；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；光刻定义出下载板上表面设置金属凸点的位置，电镀金属形成金属凸点，去除光刻胶和种子层；
102)键合步骤：上载板、下载版通过直接键合和/或胶键合的工艺键合，减薄上载板上表面，并通过干法刻蚀工艺使空腔底部露出；
103)成型步骤：在步骤102)的空腔表面沉积绝缘层，然后通过湿法腐蚀工艺去除部分绝缘层，使金属凸点露出；在空腔中用旋涂工艺或者压合工艺进行填充胶体，然后通过刻蚀或者研磨工艺去除空腔表面的多余胶体，使填充胶体平滑，只留下空腔中的胶体；胶体填满空腔或填充一部分；
加热空腔靠近下载版的面，将芯片通过FC工艺焊接在空腔内，并与金属凸点联通。
2.一种硅空腔做载板的芯片嵌入方法，其特征在于，具体包括如下步骤：
101)载板下表面处理步骤：带有SOI层的载板，通过光刻、刻蚀工艺在SOI层的载板下表面制作TSV孔，刻蚀停在SOI层表面；更换气体继续刻蚀SOI层，使刻蚀停在SOI层下面的材质上，且继续刻蚀SOI层下面的刻蚀深度控制在在1um到100um之间；
载板下表面沉积氧化硅或者氮化硅，或者直接热氧化形成绝缘层；通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层；电镀金属，使金属充满TSV孔形成金属柱，并在200到500度温度下密化金属柱，使金属柱更致密；通过CMP工艺使载板下...
【专利技术属性】
技术研发人员：郁发新，冯光建，王永河，马飞，程明芳，
申请(专利权)人：浙江集迈科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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