一种用于晶圆生产中铜柱元件加工方法技术

本发明专利技术公开了一种用于晶圆生产中铜柱元件加工方法，属于晶片生产技术领域，包括以下步骤：S1在晶圆基板上沉积形成氮化硅层；S2在氮化硅层上沉积形成氧化硅层；S3进行黄光工艺，在晶片基板上生成掩膜图案；S4在氧化硅层和氮化硅层上进行纵向蚀刻蚀刻出铜柱镀沟槽；S5以电化学镀铜工艺进行铜电镀形成铜电镀层，铜电镀层厚度大于铜柱厚度；S6用化学机械研磨方法去除沟槽外的铜；S7以湿法或干法电浆蚀刻氧化硅层，露出铜柱；S8以化学电镀方式形成铜柱的贵金属外壳包覆层；S9用引线框架在贵金属外壳包覆层上焊接，其焊接接触面形成共熔合金接触层，本方案以铜柱结构取代嵌入型铜或铝垫面取得较佳的导电及散热性功率元件，提高接触长期导通的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆生产中铜柱元件加工方法
本专利技术涉及晶片生产
，更具体地说，涉及一种用于晶圆生产中铜柱元件加工方法。
技术介绍
电子元件的发展趋向于更小更薄更轻及较好的性能特性，散热性及接触的可靠性是非常重要的尤其是对于高电流高电压高频的功率元件。目前芯片晶粒生产工艺生成铜或铝垫面，晶粒切割后，用金，铝，或铜导线焊接引线框架(LeadFrame)，进行封装作业。在晶粒的导电垫面和引线框架之间，以导线焊接，但因为垫面埋嵌入晶粒介质层，使得散热性较差，而且导线焊接铜垫面的工艺，在长时间使用上，容易产生接触可靠性的问题。取代嵌入型垫面，改用铜柱结构，对于大电流高电压高频的功率元件生产工艺，有益于导电性散热性及接触可靠性。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种用于晶圆生产中铜柱元件加工方法，以铜柱结构取代嵌入型铜或铝垫面取得较佳的导电及散热性功率元件，提高接触长期导通的可靠性。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种用于晶圆生产中铜柱元件加工方法，在晶圆生产工艺过程步骤至钨化学气相淀积及钨化学机械研磨工艺之后，包括以下步骤：S1以等离子体增强型化学气相沉积法工艺，在晶圆基板上沉积形成氮化硅层；S2以低温化学气相沉积或是旋转涂布玻璃设备，在氮化硅层上沉积形成氧化硅层；S3进行黄光工艺，在晶片基板上生成掩膜图案；S4在氧化硅层和氮化硅层上进行纵向蚀刻，蚀刻深度为氧化硅层加氮化硅层厚度，蚀刻出铜柱镀沟槽；S5以物理薄膜沉积溅射铜的种子层，种子层厚度为以电化学镀铜工艺进行铜电镀形成铜电镀层，铜电镀层厚度大于铜柱厚度；S6用化学机械研磨方法去除沟槽外的铜；S7以湿法或干法电浆蚀刻氧化硅层，蚀刻止于氮化硅层，氧化硅对氮化硅蚀刻选择比大于20，露出铜柱；S8以化学电镀方式形成铜柱的贵金属外壳包覆层；S9用引线框架在贵金属外壳包覆层上焊接，所述引线框架和贵金属外壳包覆层的焊接接触面形成共熔合金接触层。作为本专利技术的一种优选方案，在步骤S1中，还包括以低压力化学气相沉积法工艺，在晶圆基板上沉积形成氮化硅层。作为本专利技术的一种优选方案，在步骤S1中，所述氮化硅层的厚度大于作为本专利技术的一种优选方案，在步骤S2中，还包括使用旋转涂布玻璃设备在氮化硅层上沉积形成氧化硅层。作为本专利技术的一种优选方案，在步骤S2中，所述氧化硅层的厚度为作为本专利技术的一种优选方案，在步骤S4中，所述铜柱镀沟槽的深度为作为本专利技术的一种优选方案，在步骤S4中，所述铜柱厚度为作为本专利技术的一种优选方案，在步骤S8中，所述贵金属外壳包覆层包覆为镍、钯和金的组合。作为本专利技术的一种优选方案，在步骤S9中，引线框架为铜夹框架。本专利技术的有益效果：以铜柱结构取代嵌入型铜或铝垫面取得较佳的导电及散热性功率元件，以铜柱结构取代嵌入型垫面提高接触长期导通的可靠性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为步骤S2完成后的示意图；图2为步骤S4完成后的示意图；图3为步骤S5完成后的示意图；图4为步骤S6完成后的示意图；图5为步骤S7完成后的示意图；图6为步骤S8完成后的示意图；图7为步骤S9完成后的示意图。图中标号说明：1铜柱、2氧化硅层、3氧化硅层、4贵金属外壳包覆层、5引线框架、6钨柱、7晶圆基板具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图所示，一种用于晶圆生产中铜柱元件加工方法，在晶圆生产工艺过程步骤至钨化学气相淀积及钨化学机械研磨工艺之后，包括以下步骤：S1以等离子体增强型化学气相沉积法(PECVDPlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)工艺，在晶圆基板7上沉积形成氮化硅层3；S2以低温化学气相沉积或是旋转涂布玻璃设备，在氮化硅层3上沉积形成氧化硅层2，如图1所示；S3进行黄光工艺，在晶片基板上生成掩膜图案；S4在氧化硅层2和氮化硅层3上进行纵向蚀刻，蚀刻深度为氧化硅层2加氮化硅层3厚度，蚀刻出铜柱1镀沟槽，如图2所示；S5以物理薄膜沉积溅射铜的种子层，种子层厚度为以电化学镀铜(ECPElectrodeChemicalPlating)工艺进行铜电镀形成铜电镀层，铜电镀层厚度大于铜柱1厚度，如图3所示；S6用化学机械研磨方法(CMPChemicalMechanicalPolishing)去除沟槽外的铜，如图4所示；S7以湿法或干法电浆蚀刻氧化硅层2，蚀刻止于氮化硅层3，氧化硅对氮化硅蚀刻选择比大于20，露出铜柱1结构，刻蚀选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相对刻蚀速率快慢，如图5所示；S8以化学电镀方式形成铜柱1的贵金属外壳包覆层4，贵金属外壳包覆层4用于和外部导通的接触体共熔连接，如图6所示；S9用引线框架5在贵金属外壳包覆层4上焊接，引线框架5和贵金属外壳包覆层4的焊接接触面形成共熔合金接触层，如图7所示，共熔合金接触层具有低电阻高导电性及高散热性，最终形成低电阻高导电及高散热性元件。在步骤S1中，还包括以低压力化学气相沉积法(LPCVD-LowPressureChemicalVaporDeposition)工艺，在晶圆基板7上沉积形成氮化硅层3。在步骤S1中，氮化硅层3的厚度大于在步骤S2中，还包括使用旋转涂布玻璃设备在氮化硅层3上沉积形成氧化硅层2。在步骤S2中，氧化硅层2的厚度为在步骤S4中，铜柱1镀沟槽的深度为在步骤S4中，铜柱1厚度为在步骤S8中，贵金属外壳包覆层4包覆为镍(Ni)、钯(Pd)和金(Au)的组合。在步骤S9中，引线框架5为铜夹框架(CuClipLeadFrame)。完成步骤S1至S9，最终形成一种用于晶圆生产中铜柱元件，包括铜柱1、钨柱6、晶圆基板7和引线框架5，铜柱1下端固定连接在晶圆基板7上，钨柱6的上端固定连接在铜柱1的下端，铜柱1的侧面和顶面包覆有贵金属外壳包覆层4，引线框架5焊接在贵金属外壳包覆层4上，引线框架5和贵金属外壳包覆层4的焊接接触面形成共熔合金接触层。该铜柱元件是低电阻高导电及高散热性的元件。以铜柱结构取代现有技术中嵌入型铜或铝垫面，取得较佳的导电及散热性功率元件，以铜柱结构取代现有技术中嵌入型垫面，提高接触长期导通的可靠性。在本说明书的描本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于晶圆生产中铜柱元件加工方法，在晶圆生产工艺过程步骤至钨化学气相淀积及钨化学机械研磨工艺之后，其特征在于：/n包括以下步骤：/nS1以等离子体增强型化学气相沉积法工艺，在晶圆基板(7)上沉积形成氮化硅层(3)；/nS2以低温化学气相沉积或是旋转涂布玻璃设备，在氮化硅层(3)上沉积形成氧化硅层(2)；/nS3进行黄光工艺，在晶片基板上生成掩膜图案；/nS4在氧化硅层(2)和氮化硅层(3)上进行纵向蚀刻，蚀刻深度为氧化硅层(2)加氮化硅层(3)厚度，蚀刻出铜柱(1)镀沟槽；/nS5以物理薄膜沉积溅射铜的种子层，种子层厚度为

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆生产中铜柱元件加工方法，在晶圆生产工艺过程步骤至钨化学气相淀积及钨化学机械研磨工艺之后，其特征在于：
包括以下步骤：
S1以等离子体增强型化学气相沉积法工艺，在晶圆基板(7)上沉积形成氮化硅层(3)；
S2以低温化学气相沉积或是旋转涂布玻璃设备，在氮化硅层(3)上沉积形成氧化硅层(2)；
S3进行黄光工艺，在晶片基板上生成掩膜图案；
S4在氧化硅层(2)和氮化硅层(3)上进行纵向蚀刻，蚀刻深度为氧化硅层(2)加氮化硅层(3)厚度，蚀刻出铜柱(1)镀沟槽；
S5以物理薄膜沉积溅射铜的种子层，种子层厚度为以电化学镀铜工艺进行铜电镀形成铜电镀层，铜电镀层厚度大于铜柱(1)厚度；
S6用化学机械研磨方法去除沟槽外的铜；
S7以湿法或干法电浆蚀刻氧化硅层(2)，蚀刻止于氮化硅层(3)，氧化硅对氮化硅蚀刻选择比大于20，露出铜柱(1)；
S8以化学电镀方式形成铜柱(1)的贵金属外壳包覆层(4)；
S9用引线框架(5)在贵金属外壳包覆层(4)上焊接，所述引线框架(5)和贵金属外壳包覆层(4)的焊接接触面形成共熔合金接触层。


2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆生产中铜柱元件加工方法，其特征在于：在步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，李景贤，陈政勋，
申请(专利权)人：绍兴同芯成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33