一种布线断线修复工艺制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种布线断线修复工艺，包括：基于气相沉积原理，在基片中Zap Hole两侧金属层上由于激光过度损伤造成的损伤缺口内，选择性地形成用于连接基片金属层的钨导电膜，并在钨导电膜上进行EHD‑银墨布线。本发明专利技术通过将现有的Zap+INK Wiring工艺(修复洞+油墨的布线工艺)改进为Zap+W(钨)Contact(Wiring Type)+INK Wiring(修复洞+钨膜(定点沉积)+油墨的布线工艺)，即在现有的Zap Hole和INK Wiring金属层之间增加金属钨来充当导电媒质，从而在Zap Hole表面被钨金属层完全覆盖的情况下，确保银墨溶液的填充效果非常理想，使银墨溶液的液体固化反应结束后可以完整的贴合在钨金属层上部，进而保证Ag布线时，银和基片绝缘层下面的金属层熔接过程中，导电性良好。

【技术实现步骤摘要】
一种布线断线修复工艺
本专利技术实施例涉及显示面板
，具体涉及一种布线断线修复工艺。
技术介绍
目前，EHDAgINKRepair(EHD-银墨修复)技术广泛应用于全世界各大面板厂的ArrayInlineWiringRepair(阵列在线布线维修)，利用银的低电阻特性打造高端面板产品。但是此技术无法应用于ArrayFinalWiringRepair(阵列最终布线维修)，原因在于需要用CuttingLaser(切割激光)在最顶部的绝缘层制造一个ZapHole(修复洞)之后才能进行Ag布线，来确保银和绝缘层下方的金属层熔接保证导电性。大多数面板厂的激光修复设备装配的是纳米级别的CuttingLaser(切割激光)，其发射频率不高于100Hz，无法做到选择加工的标准单独移除绝缘层，并且利用ZapHole方式连接银时，由于CuttingLaserPower(切割激光功率)存在波动以及频率低的问题，经常会产生ZapHole加工后，加工部位金属层两侧切割过度，呈空心状，导致银化合物液体流入后的固化反应形成物无法接触到掏空的两侧，导致接触不良而阻值飙高，形成断路(参考图1和图2)。京东方B9和B10面板厂均尝试过使用纳米CuttingLaser测试ArrayFinalINKRepair(阵列最终油墨修复)的实验，B9最终以失败告终，目前仅专注于ArrayInlineINKRepair(阵列在线油墨修复)；B10目前还处于继续研究测试的阶段，但进度成果不容乐观。目前，诸多国际知名公司例如：V-Tech(日本)；CharmEngineering(韩国)已从实验中得出，使用飞秒级别的CuttingLaser代替纳米级别的CuttingLaser，可以保证ZapHole的再现性和稳定性，ArrayFinalINKRepair的成功率也比较乐观，但是飞秒级别的CuttingLaser相对于纳米级别的CuttingLaser售卖价格高出十倍，相差一百万人民币，因此对于面板厂公司来说大批量更换飞秒级别CuttingLaser来解决此问题不太现实。
技术实现思路
为此，本专利技术实施例提供一种布线断线修复工艺，以解决现有技术中由于纳米切割激光在制作ZapHole时会在产品金属层两侧造成过度损伤而导致在ZapHole上面进行布线时，银墨溶液因无法渗透到损伤缺口而接触不到基片金属层，造成断线修复失败的问题。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：根据本专利技术实施例的第一方面，一种布线断线修复工艺，包括：基于气相沉积原理，在基片中ZapHole两侧金属层上由于激光过度损伤造成的损伤缺口内，选择性地形成用于连接基片金属层的钨导电膜，并在钨导电膜上进行EHD-银墨布线。进一步地，选取纳米级切割激光，在基片断线顶部的绝缘层发射切割激光制作一个ZapHole。进一步地，所述ZapHole的两侧边包括由顶部至底部依次露出的Metal2绝缘层、Metal2金属层(Al+Co)以及G.IN绝缘层，其中，切割激光在Metal2金属层的外侧边上形成损伤缺口。进一步地，所述纳米级切割激光为LCVD激光修复自带的纳米级切割激光。进一步地，所述气相沉积方法采用的催化分子选取W(CO)6。进一步地，向ZapHole处充入气态W(CO)6，基于其气体性质，使气态W(CO)6吸附在ZapHole的侧壁上，并渗透在ZapHole的损伤缺口内。进一步地，选取沉积激光，向ZapHole处发射沉积激光，使其诱导气态W(CO)6裂解生成一层钨导电膜覆盖在ZapHole的侧壁以及缺口处，并位于ZapHole的底部，连接ZapHole两侧的断线部分，形成导电层—钨金属层，其中，钨金属层由顶部至底部依次覆盖在Metal2绝缘层、Metal2金属层以及G.IN绝缘层上。进一步地，向ZapHole处注入银墨溶液，待银墨溶液固化后贴合在钨金属层的外壁上，并形成布线金属层—Ag金属层。本专利技术实施例具有如下优点：基于气相沉积原理，通过将现有的Zap+INKWiring工艺(修复洞+油墨的布线工艺)改进为Zap+W(钨)Contact(WiringType)+INKWiring(修复洞+钨膜(定点沉积方式)+油墨的布线工艺)，即在现有的ZapHole(修复洞)和INKWiring(油墨布线)金属层之间增加金属钨来充当导电媒质，从而在ZapHole表面被钨金属层完全覆盖的情况下，确保银墨溶液的填充效果非常理想，使银墨溶液的液体固化反应结束后可以完整的贴合在钨金属层上部，进而保证Ag布线时，银和基片绝缘层下面的金属层熔接过程中，导电性良好。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是示例性的，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。本说明书所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
能涵盖的范围内。图1为现有技术中Zap+INKWiring工艺的ZapHole结构剖面示意图；图2为现有技术中Zap+INKWiring工艺的ZapHole结构电子解析图；图3为本专利技术实施例提供的一种布线断线修复工艺的ZapHole结构剖面示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种布线断线修复工艺的ZapHole结构电子解析图；图5为本专利技术实施例提供的一种布线断线修复工艺的样品电阻测试表。图中：1、损伤缺口；2、Metal2绝缘层；3、Metal2金属层；4、G.IN绝缘层；5、钨金属层；6、布线金属层。具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1如图3所示，本专利技术实施例提供了一种布线断线修复工艺，包括：基于气相沉积方法，在基片中ZapHole(修复洞)两侧金属层上由于激光过度损伤造成的损伤缺口1内，选择性地形成用于连接基片金属层的钨导电膜，并在钨导电膜上进行EHD-银墨布线。具体的，先选取纳米级切割激光，在基片断线顶部的绝缘层发射切割激光制作一个ZapHole，使ZapHole的两侧边包括由顶部至底部依次露出的Metal2绝缘层2、Metal2金属层3(Al+Co)以及G.IN绝缘层4，其中，纳米级切割激光为LCVD激光修复自带的纳米级切本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种布线断线修复工艺，其特征在于，所述布线断线修复工艺包括：基于气相沉积方法，在基片中Zap Hole两侧金属层上由于激光过度损伤造成的损伤缺口内，选择性地形成用于连接基片金属层的钨导电膜，并在钨导电膜上进行EHD-银墨布线。/n

【技术特征摘要】
1.一种布线断线修复工艺，其特征在于，所述布线断线修复工艺包括：基于气相沉积方法，在基片中ZapHole两侧金属层上由于激光过度损伤造成的损伤缺口内，选择性地形成用于连接基片金属层的钨导电膜，并在钨导电膜上进行EHD-银墨布线。


2.根据权利要求1所述的一种布线断线修复工艺，其特征在于，所述布线断线修复工艺还包括：选取纳米级切割激光，在基片断线顶部的绝缘层发射切割激光制作一个ZapHole。


3.根据权利要求2所述的一种布线断线修复工艺，其特征在于，所述布线断线修复工艺还包括：所述ZapHole的两侧边包括由顶部至底部依次露出的Metal2绝缘层、Metal2金属层(Al+Co)以及G.IN绝缘层，其中，切割激光在Metal2金属层的外侧边上形成损伤缺口。


4.根据权利要求2所述的一种布线断线修复工艺，其特征在于，所述布线断线修复工艺还包括：所述纳米级切割激光为LCVD激光修复自带的纳米级切割激光。


5.根据权利要求1所述的一种布线断线修复工艺，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：林杰，
申请(专利权)人：林杰，
类型：发明
国别省市：陕西;61