一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，属于晶片生产技术领域，包括以下步骤：S0在晶圆基板上沉积形成氮化硅层并完成刻蚀,完成钨塞通孔工艺及钨化学气相淀积形成钨柱；S1在氮化硅层和钨柱上沉积形成铜种子层；S2在铜种子层上生成掩膜图案，掩膜图案为光阻层；S3以单片式电镀工艺在钨柱上方生成铜柱；S4用有机溶剂去除铜种子层上的光阻层；S5以湿法蚀刻氮化硅层上的铜种子层蚀刻去除图案下的铜种子层；S6在氮化硅层上涂布聚酰亚胺；S7以干法蚀刻氮化硅层上聚酰亚胺层，使铜柱上部结构露出；S8以选择性化学镀方式形成铜柱的贵金属包覆层；解决了现有技术中导线焊接铜垫面的工艺散热性较差和在恶劣环境场合使用上接触点可靠性差的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法
本专利技术涉及晶片生产
，更具体地说，涉及一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法。
技术介绍
电子元件的发展趋向于更小更薄更轻及较好的性能特性，散热性及接触的可靠性是非常重要的尤其是对于高电流高电压高频的功率元件。目前芯片晶粒生产工艺生成铜/铝垫面，晶粒切割后，用金，铝，或铜导线焊接引线框架(LeadFrame)，进行封装作业。在晶粒的导电垫面，以氮化硅为钝化层，引线框架之间，以导线焊接，但因为垫面埋嵌入晶粒介质层，导线焊接铜垫面的工艺散热性较差，而且长时间在恶劣环境场合使用上，容易产生接触可靠性的问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，解决了现有技术中导线焊接铜垫面的工艺散热性较差和在恶劣环境场合使用上接触点可靠性差的问题。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：1.一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，包括以下步骤：S0在晶圆基板上以等离子体增强型化学气相沉积法工艺沉积形成氮化硅层并完成刻蚀,在氮化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS0在晶圆基板上以等离子体增强型化学气相沉积法工艺沉积形成氮化硅层(3)并完成刻蚀,在氮化硅层(3)上完成钨塞通孔工艺及钨化学气相淀积形成钨柱(6)；/nS1以物理气相沉积工艺在氮化硅层(3)和钨柱(6)上沉积形成铜种子层(8)；/nS2以光阻涂布技术在铜种子层(8)上生成掩膜图案，掩膜图案为光阻层(9)，对光阻层(9)进行黄光工艺；/nS3以单片式电镀工艺在钨柱(6)上方生成铜柱(1)，所述铜柱(1)高度为5至10um；/nS4用有机溶剂去除铜种子层(8)上的光阻层(9)；/nS5以湿法蚀刻氮化硅层(3)上的铜种子层(8)...

【技术特征摘要】
1.一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
S0在晶圆基板上以等离子体增强型化学气相沉积法工艺沉积形成氮化硅层(3)并完成刻蚀,在氮化硅层(3)上完成钨塞通孔工艺及钨化学气相淀积形成钨柱(6)；
S1以物理气相沉积工艺在氮化硅层(3)和钨柱(6)上沉积形成铜种子层(8)；
S2以光阻涂布技术在铜种子层(8)上生成掩膜图案，掩膜图案为光阻层(9)，对光阻层(9)进行黄光工艺；
S3以单片式电镀工艺在钨柱(6)上方生成铜柱(1)，所述铜柱(1)高度为5至10um；
S4用有机溶剂去除铜种子层(8)上的光阻层(9)；
S5以湿法蚀刻氮化硅层(3)上的铜种子层(8)蚀刻去除图案下的铜种子层(8)；
S6在氮化硅层(3)上涂布聚酰亚胺，所述聚酰亚胺层(4)厚度高于铜柱高，进行黄光工艺使聚酰亚胺层(4)覆盖铜柱(1)边缘并包裹铜柱(1)顶部；
S7以干法蚀刻氮化硅层(3)上聚酰亚胺层(4)，使铜柱(1)上部结构露出，蚀刻至铜柱(1)上部露出深度0.5至2um，以温度350～450℃固化保留的聚酰亚胺层(4)，所述聚酰亚胺层(4)固化形成钝化保护层；
S8以选择性化学镀方式形成铜柱(1)的贵金属包覆层(2)；
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【专利技术属性】
技术研发人员：严立巍，李景贤，陈政勋，
申请(专利权)人：绍兴同芯成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33