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本发明公开了一种聚酰亚胺结合铜柱元件的加工方法，属于晶片生产技术领域，包括以下步骤：S0在晶圆基板上沉积形成氮化硅层并完成刻蚀,完成钨塞通孔工艺及钨化学气相淀积形成钨柱；S1在氮化硅层和钨柱上沉积形成铜种子层；S2在铜种子层上生成掩膜图案，...
该专利属于绍兴同芯成集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过绍兴同芯成集成电路有限公司授权不得商用。

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