半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制内部的异常过热的发生的半导体装置。所述半导体装置具有电路图案(13a、15a)，该电路图案具有导通区(13a1、15a1)、以及经由连通部(13a2、15a2)与导通区(13a1、15a1)连通的布线区(13a3、15a3)。另外，具有电路图案(13b、14b)，该电路图案具有导通区(13b1、14b1)、以及经由连通部(13b2、14b2)与导通区(13b1、14b1)连通并且与布线区(13a3、15a3)分离预定间隔地相对的布线区(13b3、14b3)。而且，具备将布线区(13a3、15a3)与布线区(13b3、14b3)电连接的导线。此时，在从导线的布线方向(W1、W2)观察时，连通部(13a2、15a2)与连通部(13b2、14b2)分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
半导体装置包括例如IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor：金属氧化物半导体场效应管)等半导体元件。这样的半导体装置例如用作功率转换装置。半导体装置使用多个IGBT芯片与FWD(FreeWheelingDiode：续流二极管)芯片，并利用布线部件任意地连接。由此，半导体装置能够实现逆变器等所需的功能。如此，在半导体装置中谋求大容量化。例如，谋求能够处理大电流的半导体模块构造(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平8-78620号公报
技术实现思路
技术问题然而，若作为大容量化而使额定电流增加，则有时导致利用以往的额定电流没有问题的布线部件中发生异常过热。例如，导致在连接陶瓷电路基板的电路图案之间的导线上发生异常过热。若在半导体装置的内部发生异常过热，则有可能因该过热而导致半导体装置故障。这导致半导体装置的可靠性的降低。本专利技术是鉴于这点而做出的，其目的在于，提供一种能够抑制内部的异常过热的发生的半导体装置。技术方案根据本专利技术的一个观点，提供一种半导体装置，所述半导体装置具备：第一导电部，其具有第一导通区、经由第一连通部与所述第一导通区连通的第一布线区；第二导电部，其具有第二导通区、以及经由第二连通部与所述第二导通区连通并且与所述第一布线区分离预定间隔地相对的第二布线区；以及布线部件，其将所述第一布线区与所述第二布线区的电连接，在从所述布线部件的布线方向观察时，所述第一连通部与所述第二连通部分离。技术效果根据公开的技术，能够抑制内部的异常过热的发生，而防止可靠性的降低。本专利技术的上述及其他目的、特征以及优点通过与表示作为本专利技术的例子而优选的实施方式的附图相关联的以下的说明而变得显而易见。附图说明图1是实施方式的半导体装置的一例的俯视图。图2是实施方式的半导体装置的一例的截面图。图3是实施方式的陶瓷电路基板的一例的俯视图。图4是参考例的陶瓷电路基板的试样的俯视图。图5是示出参考例的陶瓷电路基板的试样的主要部分的表面的上升温度分布的图。图6是实施方式的陶瓷电路基板的试样的俯视图。图7是示出实施方式的陶瓷电路基板的试样的主要部件的表面的上升温度分布的图。图8是实施方式的陶瓷电路基板的其他试样的俯视图。图9是示出实施方式的陶瓷电路基板的电路图案的变形例的图(其一)。图10是示出实施方式的陶瓷电路基板的电路图案的变形例的图(其二)。图11是示出参考例的陶瓷电路基板的电路图案的变形例的图(其一)。图12是示出参考例的陶瓷电路基板的电路图案的变形例的图(其二)。符号说明10a、10b陶瓷电路基板11a、11b绝缘板12a、12b金属板13a、14a、15a、16a、13b、14b、15b电路图案13a1、15a1、13b1、14b1导通区13a2、15a2、13b2、14b2连通部13a3、15a3、13b3、14b3布线区13b4切口部14a1、14a2、13b5、13b6元件配置区21a、22a、21b、22b、21c、22c、21d、22d半导体元件30散热板40壳体41侧壁部42a、42b阶梯部43a、43b、43c、43d端子配置部44收纳区45a、45b、45c内部端子部46a、46b、46c、46d外部端子部51a、52a、51b、52b、52c导线53接地线60半导体装置80、85试样具体实施方式以下，参照附图，对实施方式进行说明。利用图1和图2对实施方式的半导体装置进行说明。图1是实施方式的半导体装置的一例的俯视图，图2是实施方式的半导体装置的一例的截面图。应予说明，图2是图1的单点划线X-X的截面图。如图1和图2所示，半导体装置60具有陶瓷电路基板10a、10b、以及设置在陶瓷电路基板10a、10b的正面的半导体元件21a、21b、21c、21d和半导体元件22a、22b、22c、22d。应予说明，陶瓷电路基板10a、10b通过导线51a、51b而电连接。此外，半导体装置60具有经由焊料(省略图示)而配置有这样的陶瓷电路基板10a、10b的散热板30、以及配置在散热板30上并包围陶瓷电路基板10a、10b的壳体40。应予说明，壳体40与陶瓷电路基板10a、10b通过导线52a、52b、52c而电连接。在半导体装置60中，示例了分别利用多个导线51a、51b、52a、52b、52c进行陶瓷电路基板10a、10b间的连接、陶瓷电路基板10a、10b与壳体之间的连接的情况。在半导体装置60中，不限于多个导线51a、51b、52a、52b、52c，只要是具有导电性的布线部件即可。布线部件具有经由焊料等结合部件与陶瓷电路基板10a、10b或壳体40直接地接合的两个以上的接合处，并且在其之间电导通。另外，布线部件在接合部位与接合部位之间具有不与陶瓷电路基板10a、10b或壳体40接触的非接合部位。另外，布线部件可以使用板状的引线框架或薄带状的带体。半导体元件21a、21b、21c、21d、22a、22b、22c、22d是由硅或碳化硅构成的开关元件。开关元件是例如IGBT、功率MOSFET等。这样的半导体元件21a、21b、21c、21d、22a、22b、22c、22d例如在背面具备输入电极(漏极或集电极)作为主电极，并在正面具备控制电极(栅极)以及输出电极(源极或发射极)作为主电极。另外，半导体元件21a、21b、21c、21d、22a、22b、22c、22d根据需要而包括SBD(SchottkyBarrierDiode：肖特基二极管)、以及FWD等二极管。这样的半导体元件21a、21b、21c、21d、22a、22b、22c、22d在背面具备输出电极(阴电极)作为主电极，并在正面具备输入电极(阳电极)作为主电极。另外，半导体元件21a、21b、21c、21d、22a、22b、22c、22d可以包括将IGBT与FWD组装而成的单一元件的RC(ReverseConducting：反向导通)-IGBT。应予说明，在本实施方式中，列举仅包括半导体元件21a、21b、21c、21d、22a、22b、22c、22d的情况为例进行说明。但是不限于该情况，根据需要也可以设置电子部件。应予说明，电子部件是例如电阻、热敏电阻、电容器、浪涌吸收器等。陶瓷电路基板10a、10b具有绝缘板11a、11b、以及形成在绝缘板11a、11b的背面的金属板12a、12b。此外，陶瓷电路基板10a、10b分别具有形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n第一导电部，其具有第一导通区、以及经由第一连通部与所述第一导通区连通的第一布线区；/n第二导电部，其具有第二导通区、以及经由第二连通部与所述第二导通区连通并且与所述第一布线区以分离预定间隔的方式对置的第二布线区；以及/n布线部件，其将所述第一布线区与所述第二布线区电连接，/n在从所述布线部件的布线方向观察时，所述第一连通部与所述第二连通部分离。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180606 JP 2018-1084371.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一导电部，其具有第一导通区、以及经由第一连通部与所述第一导通区连通的第一布线区；
第二导电部，其具有第二导通区、以及经由第二连通部与所述第二导通区连通并且与所述第一布线区以分离预定间隔的方式对置的第二布线区；以及
布线部件，其将所述第一布线区与所述第二布线区电连接，
在从所述布线部件的布线方向观察时，所述第一连通部与所述第二连通部分离。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一导电部的所述第一布线区比所述第一导通区宽，
所述第二导电部的所述第二布线区比所述第二导通区宽。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第一导电部，所述第一布线区相对于所述第一导通区垂直地延伸，
在所述第二导电部，所述第二布线区相对于所述第二导通区垂直地延伸，
所述第一导通区与所述第二导通区隔着所述第一布线区和所述第二布线区而分别向相反侧延伸。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第一导电部，所述第一布线区比所述第一导通区宽，
在所述第二导电部，所述第二连通部在其侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：矶崎诚，高桥圣一，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP