半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够抑制内部的异常过热的发生的半导体装置。所述半导体装置具有电路图案(13a、15a)，该电路图案具有导通区(13a1、15a1)、以及经由连通部(13a2、15a2)与导通区(13a1、15a1)连通的布线区(13a3、15a3)。另外，具有电路图案(13b、14b)，该电路图案具有导通区(13b1、14b1)、以及经由连通部(13b2、14b2)与导通区(13b1、14b1)连通并且与布线区(13a3、15a3)分离预定间隔地相对的布线区(13b3、14b3)。而且，具备将布线区(13a3、15a3)与布线区(13b3、14b3)电连接的导线。此时，在从导线的布线方向(W1、W2)观察时，连通部(13a2、15a2)与连通部(13b2、14b2)分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
半导体装置包括例如IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor：金属氧化物半导体场效应管)等半导体元件。这样的半导体装置例如用作功率转换装置。半导体装置使用多个IGBT芯片与FWD(FreeWheelingDiode：续流二极管)芯片，并利用布线部件任意地连接。由此，半导体装置能够实现逆变器等所需的功能。如此，在半导体装置中谋求大容量化。例如，谋求能够处理大电流的半导体模块构造(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平8-78620号公报
技术实现思路
技术问题然而，若作为大容量化而使额定电流增加，则有时导致利用以往的额定电流没有问题的布线部件中发生异常过热。例如，导致在连接陶瓷电路基板的电路图案之间的导线上发生异常过热。若在半导体装置的内部发生异常过热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n第一导电部，其具有第一导通区、以及经由第一连通部与所述第一导通区连通的第一布线区；/n第二导电部，其具有第二导通区、以及经由第二连通部与所述第二导通区连通并且与所述第一布线区以分离预定间隔的方式对置的第二布线区；以及/n布线部件，其将所述第一布线区与所述第二布线区电连接，/n在从所述布线部件的布线方向观察时，所述第一连通部与所述第二连通部分离。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180606 JP 2018-1084371.一种半导体装置，其特征在于，具备：
第一导电部，其具有第一导通区、以及经由第一连通部与所述第一导通区连通的第一布线区；
第二导电部，其具有第二导通区、以及经由第二连通部与所述第二导通区连通并且与所述第一布线区以分离预定间隔的方式对置的第二布线区；以及
布线部件，其将所述第一布线区与所述第二布线区电连接，
在从所述布线部件的布线方向观察时，所述第一连通部与所述第二连通部分离。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一导电部的所述第一布线区比所述第一导通区宽，
所述第二导电部的所述第二布线区比所述第二导通区宽。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第一导电部，所述第一布线区相对于所述第一导通区垂直地延伸，
在所述第二导电部，所述第二布线区相对于所述第二导通区垂直地延伸，
所述第一导通区与所述第二导通区隔着所述第一布线区和所述第二布线区而分别向相反侧延伸。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第一导电部，所述第一布线区比所述第一导通区宽，
在所述第二导电部，所述第二连通部在其侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：矶崎诚，高桥圣一，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP