半导体装置用接合线制造方法及图纸

提供一种半导体装置用的Pd被覆Cu接合线，其在半导体装置封装中使用的模塑树脂中的硫含量增大的情况下，也能在175℃以上的高温环境下充分地得到球接合部的接合可靠性。在具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层的半导体装置用接合线中，接合线中包含总计为0.03～2质量％的Ni、Rh、Ir、Pd中的1种以上，还包含总计为0.002～3质量％的Li、Sb、Fe、Cr、Co、Zn、Ca、Mg、Pt、Sc、Y中的1种以上。通过使用上述接合线，在半导体装置封装中使用的模塑树脂中的硫含量增大的情况下，也能在175℃以上的高温环境下充分地得到球接合部的接合可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置用接合线
本专利技术涉及用于将半导体元件上的电极与外部引线等电路布线基板的布线连接的半导体装置用接合线。
技术介绍
现在，作为将半导体元件上的电极与外部引线之间接合的半导体装置用接合线(以下，称为“接合线”)，主要使用线径15～50μm程度的细线。接合线的接合方法一般是并用超声波的热压接方式，可使用通用接合装置、将接合线穿过其内部而用于连接的劈刀夹具等。接合线的接合工序中，在利用电弧热能将线尖端加热熔融并利用表面张力形成球(FAB：FreeAirBall自由空气球)后，使该球部压接接合于在150～300℃的范围内加热了的半导体元件的电极上(以下，称为“球接合”)，接着在形成线弧后，将线部压接接合于外部引线侧的电极上(以下，称为“楔接合”)，从而接合线的接合工序完成。接合线的接合对象即半导体元件上的电极使用在Si基板上成膜有以Al为主体的合金的电极构造，外部引线侧的电极使用实施了镀Ag或镀Pd的电极构造等。至今为止，接合线的材料以Au为主流，但以LSI用途为中心而向Cu的替代正在推进。另一方面，以近年来的电动汽车、混合动力汽车的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置用接合线，其具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，其特征在于，/n所述接合线含有作为“第1合金元素群”的Ni、Rh、Ir中的1种以上以及Pd：0.05质量％以上中的一方或双方，在作为接合线中的含量来评价第1合金元素群含量，并基于Cu合金芯材中的Pd含量而换算为接合线中的含量从而评价Pd含量时，在所述评价的含量中，第1合金元素群与Pd的总计含量为0.03～2质量％；/n所述接合线还包含总计为0.002～3质量％的Li、Sb、Fe、Cr、Co、Zn、Ca、Mg、Pt、Sc、Y中的1种以上，在含有Ca、Mg的情况下，接合线中的Ca、Mg的含量分别为0.011质...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置用接合线，其具有Cu合金芯材和形成于所述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层，其特征在于，
所述接合线含有作为“第1合金元素群”的Ni、Rh、Ir中的1种以上以及Pd：0.05质量％以上中的一方或双方，在作为接合线中的含量来评价第1合金元素群含量，并基于Cu合金芯材中的Pd含量而换算为接合线中的含量从而评价Pd含量时，在所述评价的含量中，第1合金元素群与Pd的总计含量为0.03～2质量％；
所述接合线还包含总计为0.002～3质量％的Li、Sb、Fe、Cr、Co、Zn、Ca、Mg、Pt、Sc、Y中的1种以上，在含有Ca、Mg的情况下，接合线中的Ca、Mg的含量分别为0.011质量％以上，在含有Zn的情况下，接合线中的所述第1合金元素群和Zn的总计含量为2.1质量％以上。


2.如权利要求1所述的半导体装置用接合线，其特征在于，
所述Pd被覆层的厚度为0.015～0.150μm。


3.如权利要求1或2所述的半导体装置用接合线，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：小田大造，山田隆，江藤基稀，榛原照男，宇野智裕，
申请(专利权)人：日铁新材料股份有限公司，日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP