半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及的半导体装置，包括：半导体芯(3)；以及引线(4)，包含：通过焊锡(6)与半导体芯片(3)电连接的电极连接部(41)、以及从平面看从电极连接部(41)向外侧突出的突出部(42)，其中，在引线(4)的突出部(42)上的位于半导体芯片(3)侧的面上，具有沿引线(4)的宽度方向(W)从一端横跨至另一端的焊料流出防止用沟槽形成区域(R2)。根据本发明专利技术，即便是在半导体芯片与引线之间形成的焊料厚度较厚时，也能够防止焊料流至在制造过程中不希望焊料触及的部位上。

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
以往，一种将引线焊接在半导体芯片后形成的半导体装置已被普遍认知。在该引线上，形成有用于在制造时防止焊锡材料流出的沟槽(例如，参照专利文献1)。专利文献1中记载的上述以往的半导体装置901如图7(a)以及图7(b)所示，在半导体芯片903上焊接有引线904，引线904的电极连接部941上的电极连接面941a的外侧形成有呈环状的焊锡材料流出防止用沟槽944。另外，专利文献1中记载的上述以往的半导体装置901如图7(c)所示，是以：在制造时将焊锡材料涂布在电极连接面941的中央部(参照图7(c1))，通过润湿性使该焊锡材料遍布整个所期望的范围(参照图7(c2))为前提的。并且，在半导体装置901上的焊锡材料流出防止用沟槽944内的区域上，为了使分区中的内外的润湿性各不相同，还形成有从分区的中央呈放射性延展的分区943，该分区943用于抑制被涂布在电极连接面941a的中央部的焊锡材料延展至超出所期望的范围之外。先行技术文献【专利文献1】特开2012-125786号公报【专利文献2】特开2017-199809号公报为了缓和作用于位于半导体芯片与引线之间的焊锡处的应力(特别是热应力)，通常的被知晓的有效方式是将该焊锡的厚度保持在固定的厚度以上(例如,参照专利文献2)。然而，形成在专利文献1中记载的以往的半导体装置901上的焊料流出防止用沟槽944的沟槽宽度较小，因此尽管其能够防止被涂布在电极连接面941a的中央部上后仅会因湿润度而延展的厚度较小的焊料的流出，但如果想要形成专利文献2中记载的厚度较大的焊料时，当大量的焊料在引线904的表面延展时，想要防止焊料941流至焊料流出防止用沟槽944的外侧是非常困难的。因此，鉴于上述课题，本专利技术的目的是提供一种半导体装置，其即便是在半导体芯片与引线之间形成的焊料厚度较厚时，也能够防止焊料流至在制造过程中不希望焊料触及的部位上。
技术实现思路
【1】本专利技术涉及的半导体装置，其特征在于，包括：半导体芯片；以及引线，包含：通过焊锡与所述半导体芯片电连接的电极连接部、以及从平面看从所述电极连接部向外侧突出的突出部，其中，在所述引线的所述突出部上的位于所述半导体芯片侧的面上，具有沿所述引线的宽度方向从一端横跨至另一端的焊料流出防止用沟槽形成区域。【2】在本专利技术的半导体装置中，所述焊料流出防止用沟槽形成区域上形成有多个沟槽。【3】在本专利技术的半导体装置中，形成在所述焊料流出防止用沟槽形成区域上的各个沟槽在相互平行的同时从平面看相对于所述宽度方向倾斜。【4】在本专利技术的半导体装置中，形成在所述焊料流出防止用沟槽形成区域上的各个沟槽在相互平行的同时沿所述宽度方向延伸。【5】在本专利技术的半导体装置中，在所述引线的所述电极连接部上的连接着所述半导体芯片的电极连接面上，进一步具有：在整个所述电极连接面上形成有多个沟槽的半导体芯片固定用沟槽形成区域。【6】在本专利技术的半导体装置中，所述半导体芯片固定用沟槽形成区域具有：作为所述多个沟槽中沿第一方向延伸的沟槽的集合的第一个半导体固定用沟槽群；以及作为所述多个沟槽中沿与所述第一方向交错的第二方向延伸的沟槽的集合的第二个半导体固定用沟槽群。【7】在本专利技术的半导体装置中，所述引线在进一步包含用于与所述半导体装置的外部相连接的外部连接端子的同时，作为所述突出部，还具有：从所述电极连接部向所述外部连接端子突出的外部连接端子连结部；以及向不同于所述外部连接端子连结部的方向突出的外突部，所述外突部从平面看突出至所述半导体芯片的轮廓外侧以及当所述半导体芯片被安装在基板上时的该基板的轮廓外侧。【8】在本专利技术的半导体装置中，所述引线在进一步包含外部连接端子的同时，作为所述突出部，还具有：从所述电极连接部向所述外部连接端子突出的外部连接端子连结部；以及向不同于所述外部连接端子连结部的方向突出的外突部，所述外突部从平面看突出至安装有所述半导体芯片的基板的外侧。【9】在本专利技术的半导体装置中，所述引线的所述外突部上具有所述焊料流出防止用沟槽形成区域。【10】在本专利技术的半导体装置中，在所述引线的所述突出部上的位于与所述半导体芯片侧相反一侧的面上，进一步具有：从平面看与所述焊料流出防止用沟槽形成区域部分重叠且形成有多个沟槽的应力缓和用沟槽形成区域。专利技术效果根据本专利技术涉及的半导体装置，由于在所述引线的所述突出部上的位于所述半导体芯片侧的面上，具有沿所述引线的宽度方向从一端横跨至另一端的焊料流出防止用沟槽形成区域，因此在制造时，即便是在半导体芯片与引线之间形成的焊料厚度较厚时，溶融后的焊料也会被在与引线的宽度方向相垂直的方向上具有较大宽度的焊料流出防止用沟槽形成区域所充分地封堵住。而且，由于该焊料流出防止用沟槽形成区域沿引线的宽度方向从一端横跨至另一端，因此能够阻断溶融后的焊料在引线表面的延展路径。这样一来，即便是在半导体芯片与引线之间形成的焊料厚度较厚时，也能够防止焊料流至在制造过程中不希望焊料触及的部位上。附图说明图1是用于说明实施方式涉及的半导体装置1的示意图。其中，图1(a)是透过半导体装置1的内部的上端面图，图1(b)是A-A截面图。图2是展示实施方式涉及的半导体装置1的制造过程中树脂封装前的状态的示意图。其中，图2(a)是半导体装置1的中间体1M的上端面图，图2(b)是半导体装置1的中间体1M的侧面图。图3是用于说明实施方式涉及的半导体装置1的引线4的电极连接片4g的示意图。其中，图3(a)是电极连接片4g的下端面图，图3(b)是B-B截面图，图3(c)是C部放大图，图3(d)是D部放大图。图4是实施方式涉及的半导体装置的制造方法的流程图。图5是用于说明实施方式涉及的半导体装置的制造方法的示意图。其中，图5(a)～图5(f)分别展示各个制造工序。图6是用于说明实施方式涉及的半导体装置1的焊料流出防止用沟槽形成区域R2中沟槽图案(Pattan)的变形例的示意图。其中，图6(a)展示变形例一，图6(b)展示变形例二，图6(c)展示变形例三。图7是用于说明以往的半导体装置901的示意图。其中图7(a)以往的半导体装置901的上端面图，图7(b)是Z-Z截面图，图7(c)是用于说明以往的半导体装置901的焊料延展的示意图。在图7(c)中，按(c1)～(c3)的顺序展示了随时间变化的焊料延展状态。图中符号906表示焊料。具体实施方式下面将参照附图对本专利技术的半导体装置的具体实施方式进行说明。另外，各附图仅是简图，不一定严格反映出实际的尺寸。在本说明书中，为了区分通过回流焊(Reflow)硬化前和硬化后的焊料状态，使用“焊料”与“焊锡”来加以说明，因此相同部位上配置的“焊料”与“焊锡”使用的是同一符号。1.实施方式中半导体装置1的构成实施方式涉及的半导体装置1如图1所示，包括：基板2；半导体芯片3；引线4(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：/n半导体芯片；以及/n引线，包含：通过焊锡与所述半导体芯片电连接的电极连接部、以及从平面看从所述电极连接部向外侧突出的突出部，/n其中，在所述引线的所述突出部上的位于所述半导体芯片侧的面上，具有沿所述引线的宽度方向从一端横跨至另一端的焊料流出防止用沟槽形成区域。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
半导体芯片；以及
引线，包含：通过焊锡与所述半导体芯片电连接的电极连接部、以及从平面看从所述电极连接部向外侧突出的突出部，
其中，在所述引线的所述突出部上的位于所述半导体芯片侧的面上，具有沿所述引线的宽度方向从一端横跨至另一端的焊料流出防止用沟槽形成区域。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述焊料流出防止用沟槽形成区域上形成有多个沟槽。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
其中，形成在所述焊料流出防止用沟槽形成区域上的各个沟槽在相互平行的同时从平面看相对于所述宽度方向倾斜。


4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
其中，形成在所述焊料流出防止用沟槽形成区域上的各个沟槽在相互平行的同时沿所述宽度方向延伸。


5.根据权利要求1至4中任意一项所述的半导体装置，其特征在于：
其中，在所述引线的所述电极连接部上的连接着所述半导体芯片的电极连接面上，进一步具有：在整个所述电极连接面上形成有多个沟槽的半导体芯片固定用沟槽形成区域。


6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：
其中，所述半导体芯片固定用沟槽形成区域具有：作为所述多个沟槽中沿第一方向延伸的沟槽的集合的...

【专利技术属性】
技术研发人员：中川政雄，桑野亮司，篠竹洋平，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP