芯片封装结构及其形成方法技术

本申请的实施例提供一种芯片封装结构及其形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体装置及其形成方法，且特别关于芯片封装结构及其形成方法。
技术介绍
半导体装置被使用于各种电子产品中，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。一般而言，在半导体基底上按序沉积绝缘或介电层、导电层以及半导体层，并且以光刻的方式将各材料层图案化以于其上形成电路组件及元件，借此制造半导体装置。通常在半导体晶圆之上制造许多集成电路。可以在晶圆级(waferlevel)加工与封装晶圆的晶粒，且已发展用于晶圆级封装的各种技术。
技术实现思路
本专利技术实施例包含一种芯片封装结构的形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面、在第一基底的第二表面之上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法亦包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。本专利技术实施例亦包含一种芯片封装结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构的形成方法，包括：/n将一芯片接合至一第一基底的一第一表面；/n在该第一基底的一第二表面之上形成一虚设凸块，其中该第一表面与该第二表面相反，且该虚设凸块与该芯片电气绝缘；以及/n切穿该第一基底与该虚设凸块以形成一切割基底与一切割虚设凸块，其中该切割虚设凸块位于该切割基底的一角部之上，该切割虚设凸块的一第一侧壁与该切割基底的一第二侧壁大致上共平面，且该切割虚设凸块的一第三侧壁与该切割基底的一第四侧壁大致上共平面。/n

【技术特征摘要】
20181221 US 62/783,421;20190507 US 16/405,4291.一种芯片封装结构的形成方法，包括：
将一芯片接合至一第一基底的一第一表面；
在该第一基底的一第二表面之上形成一虚设凸块，其中该第一表面与该第二表面相反，且该虚设凸块与该芯片电气绝缘；以及
切穿该第一基底与该虚设凸块以形成一切割基底与一切割虚设凸块，其中该切割虚设凸块位于该切割基底的一角部之上，该切割虚设凸块的一第一侧壁与该切割基底的一第二侧壁大致上共平面，且该切割虚设凸块的一第三侧壁与该切割基底的一第四侧壁大致上共平面。


2.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：
在切穿该第一基底与该虚设凸块之前，在该虚设凸块之上形成一虚设焊料层，其中切穿该第一基底与该虚设凸块的步骤还包括切穿该虚设焊料层以形成一切割虚设焊料层。


3.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：
在该第一基底的该第二表面之上形成该虚设凸块时，在该第一基底的该第二表面之上形成一凸块，其中该凸块电性连接至该芯片。


4.如权利要求3所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：
在切穿该第一基底与该虚设凸块之前，在该凸块之上与该虚设凸块之上分别形成一焊料层与一虚设焊料层，其中该虚设焊料层较该焊料层薄，且切穿该第一基底与该虚设凸块的步骤还包括切穿该虚设焊料层以形成一切割虚设焊料层。


5.如权利要求4所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：
在切穿该...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄松辉，黄冠育，侯上勇，林于顺，黄贺昌，许书嘉，李百渊，叶宫辰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71