芯片封装结构及其形成方法技术

本申请的实施例提供一种芯片封装结构及其形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体装置及其形成方法，且特别关于芯片封装结构及其形成方法。
技术介绍
半导体装置被使用于各种电子产品中，例如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。一般而言，在半导体基底上按序沉积绝缘或介电层、导电层以及半导体层，并且以光刻的方式将各材料层图案化以于其上形成电路组件及元件，借此制造半导体装置。通常在半导体晶圆之上制造许多集成电路。可以在晶圆级(waferlevel)加工与封装晶圆的晶粒，且已发展用于晶圆级封装的各种技术。
技术实现思路
本专利技术实施例包含一种芯片封装结构的形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面、在第一基底的第二表面之上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法亦包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。本专利技术实施例亦包含一种芯片封装结构的形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面、在第一基底的第二表面之上形成凸块与虚设凸块。第一表面与第二表面相反，凸块电性连接至芯片，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法亦包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面。此方法亦包含经由凸块与虚设凸块将切割基底接合至第二基底。<br>本专利技术实施例亦包含一种芯片封装结构。此芯片封装结构包含第一基底。第一基底具有第一表面以及与第一表面相反的第二表面。此芯片封装结构亦包含位于第一表面之上的芯片、位于第二表面之上的虚设凸块。虚设凸块与芯片电气绝缘，虚设凸块位于第一基底的角部之上，虚设凸块的第一侧壁与第一基底的第二侧壁大致上共平面，且虚设凸块的第三侧壁与第一基底的第四侧壁大致上共平面。附图说明通过以下的详细描述配合说明书附图，可以更加理解本专利技术实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制且仅用于说明的目的。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。根据一些实施例，图1A～1G是形成芯片封装结构的工艺的各阶段的剖面示意图。根据一些实施例，图1D-1是图1D的芯片封装结构的俯视图。根据一些实施例，图1E-1是图1E的芯片封装结构的俯视图。根据一些实施例，图1E-2是沿着图1E-1中的剖面线II-II’示出芯片封装结构的剖面示意图。根据一些实施例，图1F-1是图1F的芯片封装结构的俯视图。根据一些实施例，图1F-2是沿着图1F-1中的剖面线II-II’示出芯片封装结构的剖面示意图。根据一些实施例，图2是图1F的芯片封装结构的俯视图。根据一些实施例，图3A、3B是形成芯片封装结构的工艺的各阶段的剖面示意图。根据一些实施例，图3A-1是图3A的芯片封装结构的底视示意图。附图标记说明：10～晶种层；100、200、300～芯片封装结构；110～基底；110c～切割基底；111～半导体结构；111a、111b～表面；112～导孔；113～绝缘层；114～重分布结构；114a～介电层；114b～线路层；114c～导孔；115～导电垫；116～绝缘层；117～重分布结构；117a～介电层；117b～线路层；117c～导孔；118a、118b～导电垫；119～缓冲环；119a～开口；120～芯片结构；122～顶表面；130～导电凸块；140～底部填充层；150～模封层；152～顶表面；154、156～侧壁；162、164～开口；172～凸块；174～虚设凸块；174c～切割虚设凸块；182～焊料层；182b～焊球；184～虚设焊料层；184b～虚设焊球；184c～切割虚设焊料层；184t～顶表面；190～基底；192～介电层；194～线路层；196～导孔；198、198a、198b～导电垫；210～底部填充层；C～角部；D1、D2～距离；E1、E2～圆端；G1～间隙；I-I’、II-II’～剖面线；S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7～侧壁；SC～切割线；T1、T2、T3、T4、T5、T6～厚度；W1、W2、W3、W4、W5、W6、W7、W8、W9～宽度。具体实施方式以下内容提供许多不同实施例或范例，用于实施本专利技术实施例的不同部件。组件和配置的具体范例描述如下，以简化本专利技术实施例。当然，这些仅仅是范例，并非用于限定本专利技术实施例。举例来说，叙述中若提及第一部件形成于第二部件上或上方，可能包含形成第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可能包含额外的部件形成于第一部件和第二部件之间，使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本专利技术实施例在不同范例中可重复使用参考数字及/或字母。此重复是为了简化和清楚的目的，并非代表所讨论的不同实施例及/或组态之间有特定的关系。此外，本文可能使用空间相对用语，例如“在……之下”、“在……下方”、“下方的”、“在……上方”、“上方的”及类似的用词，这些空间相对用语为了便于描述如图所示的一个(些)元件或部件与另一个(些)元件或部件之间的关系。这些空间相对用语包含使用中或操作中的装置的不同方位，以及附图中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，则在此所使用的空间相对形容词也将依转向后的方位来解释。应理解的是，可以在所述方法之前、期间或之后进行额外的操作步骤，且在所述方法的一些其他实施例中，可以取代或省略一些所述的操作步骤。描述本专利技术一些实施例。可以在这些实施例中所述阶段之前、期间及/或之后进行额外的操作步骤。针对不同的实施例，一些所述的阶段可被取代或省略。额外的部件可被并入半导体装置结构。针对不同的实施例，一些后文所述的部件可被取代或省略。虽然以特定顺序进行的操作步骤说明一些实施例，但可以其他合理的顺序进行这些操作步骤。图1A～1G是根据一些实施例的形成芯片封装结构的工艺的各阶段的剖面示意图。根据一些实施例，如图1A所示，提供基底110。在一些实施例中，基底110是中介层晶圆(interposerwafer)。根据一些实施例，基底110包含半导体结构111、导孔112、绝缘层113、重分布结构114以及导电垫115。根据一些实施例，半导体结构111具有表面111a与表面111b。在一些实施例中，半导体结构111本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片封装结构的形成方法，包括：/n将一芯片接合至一第一基底的一第一表面；/n在该第一基底的一第二表面之上形成一虚设凸块，其中该第一表面与该第二表面相反，且该虚设凸块与该芯片电气绝缘；以及/n切穿该第一基底与该虚设凸块以形成一切割基底与一切割虚设凸块，其中该切割虚设凸块位于该切割基底的一角部之上，该切割虚设凸块的一第一侧壁与该切割基底的一第二侧壁大致上共平面，且该切割虚设凸块的一第三侧壁与该切割基底的一第四侧壁大致上共平面。/n

【技术特征摘要】
20181221 US 62/783,421;20190507 US 16/405,4291.一种芯片封装结构的形成方法，包括：
将一芯片接合至一第一基底的一第一表面；
在该第一基底的一第二表面之上形成一虚设凸块，其中该第一表面与该第二表面相反，且该虚设凸块与该芯片电气绝缘；以及
切穿该第一基底与该虚设凸块以形成一切割基底与一切割虚设凸块，其中该切割虚设凸块位于该切割基底的一角部之上，该切割虚设凸块的一第一侧壁与该切割基底的一第二侧壁大致上共平面，且该切割虚设凸块的一第三侧壁与该切割基底的一第四侧壁大致上共平面。


2.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：
在切穿该第一基底与该虚设凸块之前，在该虚设凸块之上形成一虚设焊料层，其中切穿该第一基底与该虚设凸块的步骤还包括切穿该虚设焊料层以形成一切割虚设焊料层。


3.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：
在该第一基底的该第二表面之上形成该虚设凸块时，在该第一基底的该第二表面之上形成一凸块，其中该凸块电性连接至该芯片。


4.如权利要求3所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：
在切穿该第一基底与该虚设凸块之前，在该凸块之上与该虚设凸块之上分别形成一焊料层与一虚设焊料层，其中该虚设焊料层较该焊料层薄，且切穿该第一基底与该虚设凸块的步骤还包括切穿该虚设焊料层以形成一切割虚设焊料层。


5.如权利要求4所述的芯片封装结构的形成方法，还包括：
在切穿该...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄松辉，黄冠育，侯上勇，林于顺，黄贺昌，许书嘉，李百渊，叶宫辰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71