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文档序号:24896534
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本发明提供一种能够抑制内部的异常过热的发生的半导体装置。所述半导体装置具有电路图案(13a、15a),该电路图案具有导通区(13a1、15a1)、以及经由连通部(13a2、15a2)与导通区(13a1、15a1)连通的布线区(13a3、15...
该专利属于富士电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士电机株式会社授权不得商用。
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