【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
在功率集成电路的发展中，为了将功率开关以及控制电路整合在一起而开发的单芯片制程，尤其是目前用于制作单片集成电路的横向二次扩散金属氧化物半导体(lateraldoublediffusionMOS，LDMOS)制程，为一主流趋势。LDMOS制程是于半导体基板的表面进行平面扩散(planardiffusion)以便形成横向的主要电流路径，由于LDMOS是以典型的IC制程所制造，因此控制电路与LDMOS可以整合在一个单片电源IC上，LDMOS制程采用表面电场缩减(reducedsurfaceelectricfield，RESURE)技术与低厚度外延(BPI)或N型阱区(N-well)，可以达到高电压与低导通阻抗的目标。LDMOS器件为近似于传统FET器件的一种场效应晶体管器件(FET)，皆包括在半导体衬底中形成一对被沟道区域所分隔开来的源/漏极区域，并且依次于沟道区域上方形成栅电极，然而，LDMOS器件与传统FET器件...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：/n基底，所述基底内形成有相邻的阱区和漂移区；/n栅极结构，位于所述阱区和漂移区交界处的基底上；/n源区，位于所述栅极结构一侧的阱区内；/n漏区，位于所述栅极结构另一侧的漂移区内；/n硅化物阻挡层，位于所述栅极结构和所述漏区之间的基底上，所述硅化物阻挡层还延伸至所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁和部分顶壁上；/n光吸收层，位于所述硅化物阻挡层上；/n介电层，位于所述栅极结构露出的基底上，且所述介电层还覆盖所述栅极结构以及光吸收层；/n导电结构，位于所述介电层内，且所述导电结构的底端位于所述光吸收层中或者位于所述光吸收层上。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底内形成有相邻的阱区和漂移区；
栅极结构，位于所述阱区和漂移区交界处的基底上；
源区，位于所述栅极结构一侧的阱区内；
漏区，位于所述栅极结构另一侧的漂移区内；
硅化物阻挡层，位于所述栅极结构和所述漏区之间的基底上，所述硅化物阻挡层还延伸至所述栅极结构靠近所述漏区的侧壁和部分顶壁上；
光吸收层，位于所述硅化物阻挡层上；
介电层，位于所述栅极结构露出的基底上，且所述介电层还覆盖所述栅极结构以及光吸收层；
导电结构，位于所述介电层内，且所述导电结构的底端位于所述光吸收层中或者位于所述光吸收层上。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述光吸收层为单层结构，包括第一能量吸收层。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一能量吸收层的材料为硅。
4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一能量吸收层的厚度为3纳米至7纳米。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述光吸收层包括：高K介质层和位于所述高K介质层上的第一能量吸收层；或者，
所述光吸收层包括：第一能量吸收层以及位于所述第一能量吸收层上的高K介质层。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述光吸收层包括：第二能量吸收层、位于所述第二能量吸收层上的高K介质层以及位于所述高K介质层上的第一能量吸收层。
7.如权利要求5或6所述的半导体结构，其特征在于，所述高K介质层的材料为氮化硅或氮氧化硅。
8.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二能量吸收层的厚度为3纳米至7纳米。
9.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二能量吸收层的材料为硅。
10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：金属硅化物层，位于所述光吸收层上。
11.如权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述金属硅化物层的材料为钴硅化合物、镍硅化合物或钛硅化合物。
12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底内形成有相邻接的阱区和漂...
【专利技术属性】
技术研发人员：伏广才，赖海长，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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